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中可以看出，只要加在二极管两端的正向电压大于其导通电压（对于硅二极管来说，此电压约为0.5-0.6v；对于锗二极管来说，此电压约为0.18-0.2v；随型号而异）之后，这个正向电压的微小变化，就会使二极管的......
场为低得多的漂移区域提供了出色的掺杂和电阻水平。在相同的击穿电压下，漂移区的宽度与击穿电场成反比。 另一个重要参数是漂移区的导通电阻。分析前面的 PN 结二极管示例，我们可以看到导通电......
采用肖特基结构，具备较低的正向导通电压。 4.更好的EMI结果 SiC二极管的较小反向恢复电流能够带来更好的EMI性能......
部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通......
管压降基本不变特性。二极管的管压降特性：二极管导通后其管压降基本不变，对硅二极管而言这一管压降是0.6V左右，对锗二极管而言是0.2V左右。如图所示是由普通3只二极管......
和快速恢复或开关时间。射频(RF)肖特基二极管的导通电压低。具有30 mV导通电压的二极管在单电源应用中可提供令人满意的结果。 当耦合电容上的负载较高时，如ADA4432-1输入阻抗缓冲器，耦合电容上的平均电压沿正向电压......
=Vbat-Vs,栅极表现为高电平，NMOS的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过NMOS的DS接入形成回路，若电源接反，NMOS的导通电压为0，NMOS截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而......
模拟电路入门100个知识点！; 1、在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V ，导通......
。 当二极管两端的正向电压超过一定数值Vth，内电场很快被削弱，电流迅速增长，二极管正向导通。Vth叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通......
的压降（体二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的），同时也要关注体二极管的过电流能力。 当满足MOS管的导通条件时，MOS管的D极和S极会导通，这个时候体二极管是截止状态，因为MOS管的导通内阻极小，一般......
MOS 管的导通电阻或者体二极管正向导通产生压降，电池端电压高于负载端。比较器检测到这个压降，驱动MOS 导通，这样负载电流就能经由低阻抗的导通电阻流过。在出......
是此类应用的理想器件。幸运的是，MOSFET可以取代标准硅二极管，并提供意想不到的应用优势。 简介 理想二极管使用低导通电阻功率开关（通常为MOSFET）来模拟二极管的单向电流行为，但没有二极管的......
钳位作用进行保护，如下图所示，假设0.7V为D1和D2的导通电压。 Vin大于等于Vmax，D1导通，Vout会被钳位在Vmax Vin小于等于Vmin时，Vout被钳位在Vmin 二极管钳位保护电路 ......
二极管还能这么玩？(2024-10-24 22:13:35)
钳位电路应用举例 在某些电路中会利用两个二极管的钳位作用进行保护，如下图所示，假设0.7V为D1和D2的导通电压。 Vin大于......
年的时间，完成了1,200V的碳化硅二极管和MOS管的设计、量产，建立了以碳化硅高性价比的高可靠系列产品，同时在供应链体系保障和质量体系都建立了完善了体系。 SiC在双碳背景下的发展机遇 由于......
图所示，假设0.7V为D1和D2的导通电压。 Vin大于等于Vmax，D1导通，Vout会被钳位在Vmax Vin小于等于Vmin时，Vout被钳位在Vmin 二极管钳位保护电路 ......
持在数据表规定的绝对最大额定值范围内，并且必须符合下列等式： 图18  箝位结构 重布置栅极电阻；双重目的 栅极电阻设置了MOSFET的导通速度和关断速度，限制了在主开关源极的电压负向瞬态时，肖特基二极管的......
会有一个0.7V（硅管）的导通压降，如果实际电流很大的话，那么就会产生一个热损耗，会导致发热。而且如果反接的电压很大的话，超过反向截止电压，也会击穿二极管本身，导致二极管失效，起不......
S或S到D都一样的电阻。 在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。 两个电阻分压后，为G提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管内部的二极管......
这个电路的楼主被众多网友痛批。说是DS之间存在一个二极管根本没法实现。楼主没有注明场效应管的管脚名称，由于存在一个应用场效应管的惯性思维，导致楼主蒙冤。其实场效应管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和......
MCU1 RX引脚被VCC1上拉为5V。 2. MCU2 TX发送低电平（0V），此时Vgs（图中1、2引脚电压差）电压差约等于3.3V，2N7002导通，2N7002里面的二极管3-->2方向......
图和电路图。简单的讲，要让他当做开关，只要让Vgs（导通电压）达到一定值，引脚D、S就会导通，Vgs没有达到这个值就截止。 那么......
。 2. MCU2 TX发送低电平（0V），此时Vgs（图中1、2引脚电压差）电压差约等于3.3V，2N7002导通，2N7002里面的二极管3-->2方向......
恒流电路 三极管恒流电路 三极管的恒流电路，主要是利用Q2三极管的基级导通电压为0.6~0.7V这个特性；当Q2三极管导通，Q1三极管基级电压被拉低而截止，负载R1......
的元件增加了源-漏之间跨接的保护二极管，从而区分了源极和漏极。 实际的元件，p型的衬底是接正电源的，使得栅极预先成为相对负电压，因此p型的管子，栅极不用加负电压了，接地就能保证导通。 相当于预先形成了不能导通......
半导体丨可靠性考核 其中，碳化硅二极管作为第三代半导体材料在大功率PFC电路中是必不可少的，凭借碳化硅二极管的高频性能，无反向恢复的特性，可以减小开关损耗和整机体积，显著提高转换效率和功率密度。据了......
和好坏的判断 首先要强调的是用数字万用表测量二极管时，实测的是二极管的正向电压值，而指针式万用表则测的是二极管正反向电阻的值。 二极管有锗管和硅管之分。锗管正向压降比硅管小，0.1- 0.3v 为锗二极管，0.5......
稳压特性。 稳压二极管恒流电路 稳压二极管的恒流电路中，三极管Q4的基级电压被限定在稳压二极管工作的稳定电压Uzd下，因此R10电阻的电压等于Uzd减去三极管基级与发射级的导通......
）中相同。此时，路径中不仅包括导通电阻，还包括寄生二极管的正向电压VF。因此，电流会迅速衰减。另外，施加到电机的等效平均电压会损耗VF的量，因此会小于占空比相应的电压。 （d）是关闭所有晶体管的......
/1700V 碳化硅MOSFETs。值得一提的是，1200V和1700V 碳化硅 MOSFETs具有业内领先的FOM（RDS(on)*QG）指数，安全的开启电压以及可靠的栅极氧化层设计，同时实现更稳定的导通电......
成本较高。 采用带软启动电路的有源开关来限制浪涌电流。 五、使用MOS管浪涌电流限制电路 如上所述，已经列举了2种浪涌电流方法。下面介绍使用MOS管导通电路来抑制输入电流此外，由于MOS管的导通......
区参杂的杂质和发射区相同，但参杂浓度远低于发射区。 下图是示意图 BJT中发射区与基区间的PN结称为发射结，基区与集电区间的PN结称为集电结。 PN结在外加正向电场下是导通的，导通电压硅管大概是0.7左右。这也正是我们用数字万用表测量三极管......
VF(DIODE) 大于 VBE(on)。Rbias 决定 MOSFET 的导通速度。当理想二极管电路导通时，内部晶体管会由漏极二极管关断，导致 MOSFET 电压下降。Rbias 将栅极拉低并导通......
检测生产工艺的一致性，为工艺质量保证提供参考依据，桥式整流器中4个管子改为二极管的管压降检测尤其显得重要。很明显，如果其中只有某一个管子在浪涌时的导通压降与其它3个管子有较大的区别，这个......
机VCC_mcu。 只有VCC时：通过LDO Vout 通过二极管给到MCU进行供电   Q9和Q10的G都是Vout的电压 所以不导通。VCC_MCU=Vout-二极管的压降 当......
-DC的效率。 物理特性的极限使二极管的正向电压难以低于0.3V。对MOSFET来说，可以通过选取导通电阻更小的MOSFET来降低导通损耗。 在开关电源系统中，死区时间（Dead Time）是指为了避免两个晶体管开关同时导通......
却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。 SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频......
的导通电阻×电流的平方＋关断的MOSFET的寄生二极管的VF×电流。 ● 转换时的损耗 这项有些复杂。 
通常，开关损耗可以通过以下公式来计算。 转换时的损耗=0.5×Ea×I×（tr+tf）×fsw......
或 PIV 可以定义为当二极管在整个负半周期内以反向偏置条件连接时来自二极管的最高电压值。桥式电路包括四个二极管，如 D1、D2、D3 和 D4。 在正半周期中，两个二极管（如 D1 和 D3）处于导通......
互换一下表笔测量，直到找到B极。 如果测量时显示的导通电压为0V，说明三极管内部击穿，已经损坏。 B极找出之后，就可以找C极和E极了，用手捏住B极和假设是C极的电极，然后把表笔放到假设的C极和假设的E极......
19个常用的5V转3.3V技巧(2024-10-22 16:05:36)
，它的能效较低，因为 R1 和 D1 始终有功耗。R1 限制流入D1 和 PICmicro MCU的电流，从而使VDD 保持在允许范围内。由于流经齐纳二极管的电流变化时，二极管的反向电压......
线路和负载的突然变化有更快的响应。 技巧二：采用齐纳二极管的低成本供电系统 这里详细说明了一个采用齐纳二极管的低成本稳压器方案。 可以用齐纳二极管和电阻做成简单的低成本 3.3V稳压器，如图 2-1 所示。在很......
％。 (2)整流二极管的一次导通过程，可视为一个“选通脉冲”，其脉冲重复频率就等于交流电网的频率(50Hz)。 (3)为降低中500kHz以下的传导噪声，有时用两只普通硅整流管(例如1N4007) 与两只快恢复二极管......
，Pch MOSFET的寄生二极管正向电压VF_P=0.95V，Nch MOSFET的寄生晶体管和Pch MOSFET的寄生晶体管的电源和GND之间流动的电流与再生电流之比都为k1=1/100，则功......
与有源开关换向的桥式拓扑中也能提供更好的性能，特别是对于高频应用。 图 7. 体二极管的反向恢复 自体二极管的导通开关性能，EON(BD) 在桥式拓扑中，体二极管与有源开关换向。在反向恢复期间，电桥短路并产生直通电流Ipeak......
≈VM=7.4V，栅极对地电压≈VM+Vcc=19.4V，电容两端电压=12V，因此高端MOS可以正常导通。 （此时，自举二极管两端的压差=VM，因此在选择二极管时，需要保证二极管的......
电池的正极）可代表p极，黑表笔可代表n极。测量所显示数字是二极管的正向压降：硅二极管为0.5 ~ 0.7v，锗二极管为0.15 ~ 0.3v。若正反向测量显示 “000”或数值很小，则说明二极管已短路；若正......
我就自手绘涂抹了一下（兼职美工）。 1、巧妙利用内部（寄生）保护二极管。上电时，VIN上正下负，通过内部保护二极管，Vgs电压大于Vth电压，NMOS管完全导通； 2......
。这种严重失真的电流波形含有大量的谐波成份，引起线路功率因数严重下降。 在正半个周期内（1800），整流二极管的导通角大大的小于1800甚至只有300－700，由于要保证负载功率的要求，在极窄的导通角期间会产生极大的导通电......
的影响。只有当输入电压和阈值电压的差值超过了二极管的导通电压，输出电压才能够最终稳定在 一个固定的值。 ▲ 图1.3.10 电路测试结果 为了解决这个问题，可以借鉴峰值检波电路中理想检波器的方案。 在控制电压......

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