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【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
明白了NMOS的用法之后呢，我们来看一下要如何选择一个合适的NMOS，也就是NMOS是如何选型的。
那对于一个初学者来说，有四个比较重要的参数需要来关注一下。第一个是封装，第二个是vgsth，第三......
FP5207非同步DC-DC升压转换器，外置MOS大功率升压芯片(2024-03-21)
率筋膜枪专用方案芯片FP5207。
FP5207 是非同步升压控制 IC，透过 EXT Pin 控制外部 NMOS，输入低启动电压 2.8V 与宽工作电压 5V~24V，单节锂电池 3V~4.2V 应用，将......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管，以保证数据通信正常。
6、封装
根据PCB板的尺寸，选择合适的NMOS管尺寸，在板载面积有限的情况下，尽可能选择小封装；尽量选择常见封装......
远翔FP6150：输出3A内置MOS降压IC(2023-09-07)
远翔FP6150：输出3A内置MOS降压IC;FP6150是输入可达 36V 的异步降压型稳压器。内置 120mΩ 内阻的高位 NMOS，具有出色 的负载和线路调节能力，可在......
远翔FP6151：输出5A内置MOS降压IC(2023-09-07)
远翔FP6151：输出5A内置MOS降压IC;FP6151 是输入可达 36V 的异步降压型稳压器。内置 75mΩ 内阻的高位 NMOS，具有出色的负载和线路调节能力，可在宽输入电压范围内实现 5A......
PN8046 18V小体积ac-dc非隔离电源芯片(2023-09-12)
PN8046 18V小体积ac-dc非隔离电源芯片;FP6150是输入可达 36V 的异步降压型稳压器。内置 120mΩ 内阻的高位 NMOS，具有出色 的负载和线路调节能力，可在......
远翔FP6188:23V 2A内置MOS降压IC(2023-09-07)
远翔FP6188:23V 2A内置MOS降压IC;FP6188 是输入可达 23V 的同步降压型稳压器。分别内置130mΩ内阻的 Power NMOS，具有出色的负载和线路调节能力，可在......
FP5207原厂内部设计开发软件：大功率升降压应用(2024-03-22)
FP5207原厂内部设计开发软件：大功率升降压应用;FP5207 是非同步升压控制 IC，透过 EXT Pin 控制外部 NMOS，输入低启动电压 2.8V 与宽工作电压 5V~24V，单节......
TPS/思远SY8701-SOT23-6 管脚定义(2023-09-25)
TPS/思远SY8701-SOT23-6 管脚定义;概述：TPS/思远 SY8701是一款底侧过压保护IC,内部集成13m欧姆开关NMOS，采用低压侧开关拓扑结构，极低导电有效的减少输入压降，保护......
电机驱动芯片A4950及H桥电路分析(2023-08-15)
电机驱动芯片A4950及H桥电路分析;全面解析电机驱动芯片A4950及H桥电路，主要分为以下几个方面：
一、H桥电路基础知识
1.原理图(以全NMOS管为例)
从上图可看出，此电机驱动电路由4个......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
一文详解电池充电器的反向电压保护(2024-04-26)
方法比使用二极管更好，因为电源
(电池) 电压增强了 ，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导。该电路的 NMOS 版本比 PMOS 版本更好，因为分立式
NMOS 晶体管导电率更高、成本......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
根据选型的二极管参数决定）
2、采用NMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约是0.7V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs......
Diodes推出世界最小60V功率MOSFET(2014-06-26)
Diodes推出世界最小60V功率MOSFET;Diodes公司推出导通电阻小于100mΩ的全球最小60V NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面积为1.6mm x 1.6mm，高度......
FP5217兼容TPS61178，内置MOS双节锂电池升压输出12V/3A异步升压芯片(2024-03-20)
压工作范围 5V~24V，单节锂电池3V~4.2V应用，能精准地反馈电压 1.2V，内置软启动时间，外部可编程工作频率，可编程电感器峰值电流限制将电阻从 CS Pin 连接到 GND。
封装：TSSOP-14......
”芯“品速递！拓尔微100W大功率降压转换器TMI3351强势亮相(2022-11-29)
+10mΩ的同步NMOS
3.频率范围可调：100kHz~1MHz
4.外部可调软启动时间以减小开机输入电流过冲
5.可选FCCM或DCM模式
6.内部集成可调线补
7.小体积封装：QFN5*5-28......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管;为特定工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。本文引用地址：我最......
远翔FP5217：DC-DC内置MOS大功率升压IC(2023-09-12)
应用，将Vout接到HVDDPin；精准的反馈电压1.2V，软启动时间由外部电容调整，工作频率由外部电阻调整；过电流保护芯片内部 NMOS，检测电感峰值电流，检测电阻Rcs连接SWS与GND之间......
圣邦微电子推出 60V 高压降压转换器 SGM61630(2023-03-04)
内部集成高边 NMOS 类型场效应管，MOSFET 导通内阻典型值 140mΩ。芯片静态电流仅 50μA，在休眠关闭模式下漏电流仅 2μA，非常适合电池供电的高压转低压应用，如车......
霍尔双极开关传感器GH2101(2024-08-05 09:45)
步拓展智能汽车传感系列产品线。这款产品符合AEC-Q100标准，其采用先进工艺制造，封装设计更为紧凑，成本效益显著提升，同时保持稳定可靠的卓越性能。
GH2101是一个霍尔双极开关传感器，其内置稳压器模块、霍尔......
霍尔双极开关传感器GH2101(2024-08-05 09:45)
步拓展智能汽车传感系列产品线。这款产品符合AEC-Q100标准，其采用先进工艺制造，封装设计更为紧凑，成本效益显著提升，同时保持稳定可靠的卓越性能。
GH2101是一个霍尔双极开关传感器，其内置稳压器模块、霍尔......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、D型锁存器(2023-06-09)
使用ADALP2000模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对......
英诺赛科推出30V VGaN，电压范围再拓展(2024-10-11)
的电压范围。
INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积......
进芯电子推出车载12V/24V电子风扇方案(2024-09-10)
引脚定义排布图：
图1 芯片引脚定义排布图
ADM16F03A2应用优势
ADM16F03A2是一款高度集成的高性能BLDC/PMSM控制器，封装为QFN56，用户......
数明半导体推出高效节能的电机驱动芯片SLM8837(2024-07-03)
片拥有双通道 NMOS 半桥输出，分别由两路独立的 PWM 输入控制，提供灵活而精准的控制方式。两个单独的供电电源，适用于 0~11V 的电机电源供电系统和 1.8V~5.5V 的逻......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
关断延时：390ns• 正向恢复延时：1.5μs• 支持多颗NMOS并联• 温度范围：-40℃ to 125℃• 封装：SOT23-6
TPS65R01Q 双电源EVM Board......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
关断延时：390ns• 正向恢复延时：1.5μs• 支持多颗NMOS并联• 温度范围：-40℃ to 125℃• 封装：SOT23-6
TPS65R01Q 双电源EVM Board......
灿瑞科技推出高效双色温LED闪光灯驱动芯片(2023-03-27)
电阻检测脚。
OCP81373提供软启动、UVLO、OVP、OTP、Time-out、IVFM、PMOS限流、NMOS限流、输出短路及LED短路等保护功能，确保......
Diodes推出直流-直流转换器AL8812(2014-07-24)
NMOS通道以满足直流-直流控制器采用紧凑的双带散热焊盘DFN6040-12封装的基本功能，能够减少MR16 LED灯电路的波形因数。
AL8812的占位面积是6mm x 4mm，离板......
FP5217原厂内部设计开发软件：大功率内置MOS升降压应用(2024-03-22)
~4.2V应用，将Vout接到HVDDPin；精准的反馈电压1.2V，软启动时间由外部电容调整，工作频率由外部电阻调整；过电流保护芯片内部 NMOS，检测电感峰值电流，检测电阻Rcs连接SWS与GND之间......
支持40V输入电压，内置的同步降压转换器，搭配两个NMOS开关管，即可实现5A大电流输出。内置的降压转换器工作频率为125KHz，轻载下PFM运行，中等负载及重载下PWM运行。
SW3516H支持......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、传输门XOR(2022-12-06)
部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对共用一个栅极（引脚6、3......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
彻底弄清MOS管 （NMOS为例;来自专栏芯片基础课
说来惭愧，大二学了一遍模电数电，考研专业课又学了一遍模电数电，但拿到如下这张mos管结构图，让我立马说出：【这是什么型mos管，标准......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
”芯“品速递！拓尔微100W大功率降压转换器TMI3351强势亮相(2022-11-29)
两个低内阻8mΩ+10mΩ的同步NMOS
3.频率范围可调：100kHz~1MHz
4.外部可调软启动时间以减小开机输入电流过冲
5.可选FCCM或DCM模式
6.内部集成可调线补
7.小体积封装：QFN5*5......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、传输门XOR(2023-05-15)
模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对......
瞬态事件如何影响LDO的动态性能？(2022-12-16)
元件也会相应地以导通和关闭做出响应。
您可以将类似的原则应用于含NMOS传递元件的LDO。含PMOS传递元件的LDO有一个针对输入电压VIN的栅源电压VGS，而含NMOS传递元件的LDO有一个针对输出电压VOUT的栅源电压VGS......
任意网络上的任意媒体(第4篇)——IPMX和ST 2110:适应全新IP媒体体验(2023-08-30)
PTP 同步和 NMOS（网络媒体开放规范）网络控制与管理。由电影与电视工程师协会（ SMPTE ）、欧洲广播联盟（ EBU ）、高级媒体工作流协会（ AMWA ）和视频服务论坛（ VSF ）联盟......
Diodes 公司推出 USB Sink 控制器为电池供电装置提供多功能 PD EPR 解决方案(2024-10-22 10:10)
引脚，以提供强大的系统保护，防止意外短路至高电压 VBUS。此外，这两款 Sink 控制器支持使用 NMOS FET 来传送输入电压，从而降低物料清单 (BOM) 成本。AP33771C 提供小尺寸的W......
Diodes 公司推出 USB Sink 控制器为电池供电装置提供多功能 PD EPR 解决方案(2024-10-22 10:10)
引脚，以提供强大的系统保护，防止意外短路至高电压 VBUS。此外，这两款 Sink 控制器支持使用 NMOS FET 来传送输入电压，从而降低物料清单 (BOM) 成本。AP33771C 提供小尺寸的W......
市场有哪些产品用了三星14nm FinFET 制程(2016-10-26)
3是Exynos 7420所使用的典型NMOS晶体管之TEM横截面图，而且我们还注意到闸极长度经测量约有30nm，这跟所宣称的14 nm制程节点差距颇多，而在表1中所......
思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-23)
在冷启动运行期间输入电压低于4V（仍高于3.2V）时，也能确保外部NMOS保持完全增强状态。
Vin从12V降到3.5VTPS65R01正向......
共模半导体推出基于Turbo Switch技术的小体积、高效、低 EMI、同步 6A 降压变换器GM2500(2024-10-18 10:15)
-12封装的芯片体积为 2mm x 2mm x 0.74mm，是业界目前最小尺寸的5V/6A降压芯片。采用共模独有的Turbo Switch技术，GM2500可工作于高达9MHz的开关频率，使得......
ADI 推出紧凑型 5V、10A 同步 Silent Switcher 2 降压型稳压器(2018-11-06)
过压保护、热停机、芯片温度监视器、时钟同步、模式选择和输出短路保护。LTC3310S 采用耐热性能增强型 18 引脚 3mm x 3mm x 0.94mm LQFN 封装。E 级和 I 级器件规格在 –40......
ADI 推出紧凑型 5V、10A 同步 Silent Switcher 2 降压型稳压器(2018-11-06)
过压保护、热停机、芯片温度监视器、时钟同步、模式选择和输出短路保护。LTC3310S 采用耐热性能增强型 18 引脚 3mm x 3mm x 0.94mm LQFN 封装。E 级和 I 级器件规格在 –40......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
和操作的文章中看到了这个图，它帮助我们比较了NMOS和PMOS晶体管的漏极电流。
NMOS和PMOS晶体管的漏极电流与漏源极电压的关系。
图2:NMOS和PMOS晶体管的漏电流与VDS的关系。W / L......
倍思45W T-Space拓展坞拆解报告(2024-06-06)
提供最大 120W 的功率输出，集成 2 路输出检测及 3 路 NMOS 驱动，配合协议芯片即可组成一个简洁完整的大功率快充充电方案。
SW3203采用QFN-24 4x4mm封装，内置I2C接口，支持......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-14 10:10)
思路就是通过PMOS晶体管上叠加NMOS晶体管，在单位面积上增加晶体管数量。堆叠晶体管为互连创造了一个非常有趣的拓扑结构，需要同时为顶部和底部的晶体管提供电力和信号，无法选择只向其中一个进行供电。此时，便可......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-13)
触点技术可以为晶体管堆叠的互连需求带来改变。
之前，大多数互连都是针对单层晶体管需求而生，但当开始堆叠晶体管，关键思路就是通过PMOS晶体管上叠加NMOS晶体管，在单位面积上增加晶体管数量。堆叠......
AD83586兼容TAS5805支持2x20W+1x40W 2.1声道数字音频放大器，带频率均衡(2024-03-21)
现家庭影院应用的5.1通道。
AD83586B采用LQFP48封装。
模拟音频功放芯片：
AD51652，AD52010，AD52080兼容替代TPA2010，TPA2011
AD52060兼容......
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LED驱动IC、LED日光灯驱动IC、LED灯、NMOS管，其它电子元件等。 我们坚持诚信、专业、创新精神，以品质赢得信赖，以品牌成就未来。追求永续经营，不断
周边设备及消费电子产品等领域。 公司主要代理销售:合泰HOLTEK、胜德SUNTEK、 中芯CS、义隆 EMC、麦肯 MICON HOLTEK单片机系列： HT46R47 HOLTEK 封装18DIP/SOP
-89-3封装 BL8530-302RN/502RN/602RN SOT-23-5封装 BL8532-20PSN SOT-89-5封装 BL8580 SOT-23-6封装 BL8581 SOP-8封装
、白光LED驱动IC、LED日光灯驱动IC、LED灯、NMOS管，其它电子元件等 我们坚持诚信（Integrity）、专业（Professional）、创新（Innovation）精神，以品
1SV149 BB112 ... HT71XX-1系列50mA稳压芯片 HT7130 HOLTEK 封装TO92/SOT89/SOT23-3； HT7133 HOLTEK 封装TO92/SOT89
;美国Cree封装厂福明光电;;福明光电只封装CREE是中国最大的CREE芯片封装厂
MSN：caiguoli2011@hotmail.com 深圳公司长期备货的型号： MXIC（旺宏） MX25L512CMI-12G 2011+ 封装 SOP8 原装现货 全市场最低 MX25L3206EM2I
的 251.252.220.220F.262.263封装。三端稳压78/79系列的220.263.252.251封装。 可控硅BTA04.06.08.12.16.20.24 26系列的220/3P封装