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泵升压模块,LCD Bias AW3750x 负压的产生,也使用了电荷泵的电源模块。 工作原理 这里对常用的和LDO做原理介绍。 01 开关升压电路 为了解Boost电路原理,我们......
-G的I2C接口用来控制两路输出电压的电压调节,正压AVDD从4V到6V可调,100mV/步,负压AVEE从-4V到-6V可调,100mV/步。 03高效......
LPQ65131,该芯片集成正负压电源,为Vsource提供400mA超大负载能力的正负压VP/VN,同时支持扩展电荷泵架构,为Vgate提供VGH/VGL。该芯片......
- 110V 耐压 亮点 4:电池连接线负压耐受 大多数的 AFE 的电芯连接线间 VCn-VCn-1 可以承受 15V 左右的正电压,然而对于负电压情况却只有 -0.3V 的承受能力。这是由于负压会使芯片......
一种基于电流源基准型LDO的放大器供电时序电路的应用;相信你们在设计电路中经常会碰到有时序要求的电路,比如说FPGA数字电路的供电,比如我们给模拟的供电,等等。通常来说,我们有sequencers......
了GaN应用桥臂中点SW引脚的共模瞬变和负压尖峰问题。 在GaN应用中,为了减小开关损耗,其开关速度远高于传统的Si MOSFET, 桥臂中点的dv/dt达到了50V/ns甚至更高,这对驱动芯片SW......
更高,这对驱动芯片SW引脚的共模瞬变抗扰度提出了极高的要求。同时,高速开关导致的di/dt与寄生电感会在SW引脚产生瞬态负压尖峰,导致驱动芯片发生闩锁甚至损坏。 NSD2621的上......
了GaN应用桥臂中点SW引脚的共模瞬变和负压尖峰问题。在GaN应用中,为了减小开关损耗,其开关速度远高于传统的Si MOSFET, 桥臂中点的dv/dt达到了50V/ns甚至更高,这对驱动芯片SW引脚......
功能测试波形 02 输入耐负压能力 NSD1224的输入引脚耐受-10V负压,解决了驱动芯片输入的负压尖峰问题。 在电源应用中,受......
, 桥臂中点的dv/dt达到了50V/ns甚至更高,这对驱动芯片SW引脚的共模瞬变抗扰度提出了极高的要求。同时,高速开关导致的di/dt与寄生电感会在SW引脚产生瞬态负压尖峰,导致驱动芯片......
绍,Ultra C vac-p面板级负压清洗设备专为面板而设计,该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。该设备可处理510x515毫米和600x600毫米的面板以及高达7毫米的面板翘曲,利用负压技术去除芯片......
纳芯微驱动芯片NSD1624,有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt;NSD1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片,驱动电流高达+4/-6A,可用于驱动MOSFET......
纳芯微驱动芯片NSD1624,有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt;NSD1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片,驱动电流高达+4/-6A,可用于驱动MOSFET......
入端使用二极管作为防反接保护。 上文分析可知,运放需要使用双电源供电,使用LM7805得到稳定的5V电压,然后使用电荷泵芯片SGM3204得到-5V电源。 LM7805为常规的LDO降压方案,实现......
开关以及布局限制的情况下,功率MOSFET往往会对驱动芯片的输入和输出端形成较大的地弹电压和振荡尖峰电压。地弹电压会造成驱动器输入端等效出现负电压,因为内部等效体二极管,大多数栅极驱动器能够承受一定的负压脉冲。然而,亦有......
开关以及布局限制的情况下,功率MOSFET往往会对驱动芯片的输入和输出端形成较大的地弹电压和振荡尖峰电压。地弹电压会造成驱动器输入端等效出现负电压,因为内部等效体二极管,大多数栅极驱动器能够承受一定的负压脉冲。然而,亦有......
开关以及布局限制的情况下,功率MOSFET往往会对驱动芯片的输入和输出端形成较大的地弹电压和振荡尖峰电压。地弹电压会造成驱动器输入端等效出现负电压,因为内部等效体二极管,大多数栅极驱动器能够承受一定的负压脉冲。然而,亦有......
离技术应用于高压半桥驱动,使得共模瞬变抗扰度更高,可以耐受700V的负压,有效提升了系统的可靠性。解决了GaN应用桥臂中点SW引脚的共模瞬变和负压尖峰问题。上下管的驱动输出都集成了内部稳压器LDO,可以......
. SiC MOSFET负压驱动防止误开通 2.2.2 米勒钳位 另一种常见的防止SiC MOSFET误开通的方式是搭建米勒钳位电路或使用具有米勒钳位功能的芯片,如的单通道隔离驱动芯片UCC5350......
SZF8368-C 输液器泄露正负压测试仪;SZF8368-C 输液器泄露正负压测试仪 静脉输液是临床工作中治疗、抢救患者的主要给药途径。医生通常是根据患者病情、所用药物的性质、患者......
模干扰能力高达150 V/ns,并且可以耐受700 V 的负压,有效提升了系统的可靠性。NSD2621 上下管的驱动输出都集成了内部稳压器LDO,可以有效抑制VDD 或BST 引入的高频干扰,避免......
说一下它的电路。 通常需要使用负电压时一般会选择使用专用的负压产生芯片,但这些芯片都比较贵,比如ICL7600,LT1054等。差点忘了MC34063了,这个芯片使用的最多了,关于34063的负压......
电流越大,需要的负压越深。 2 使用带米勒钳位的驱动芯片。米勒钳位的原理是,在IGBT处于关断状态(Vg-VEE低于2V)时,直接用一个低阻通路(MOSFET)将IGBT的门极连接到地,当位......
最根本的目的是为了给后面的信号链、控制芯片供电。所以最关键的芯片侧供电有很多,例如三次电源,包括POL,有升压的、降压的、升降压的,甚至多相。对于噪声比较敏感的,有可能还需要低噪声的LDO,给信......
理想的PCB 布局和长封装引线引入寄生电感时,开关期间开关管的栅-源极电压会因为高di/dt 和dv/dt 而产生高振铃。如果振铃超过开关管的栅极阈值电压,则存在意外接通和直通的风险。在开关管上施加负压......
电压范围: 确定LDO电路的输入电压范围是设计的第一步。输入电压应在LDO芯片的规定范围内,以确保电路的正常工作。同时,要考虑输入电压的波动情况,预留一定的余量。 输出......
极性拓扑,即输出与输入电压的极性相反,输出端提供负压(相对输入电压)。 在小家电应用场景中的功率模块控制部分,工程师常用到双向晶闸管(TRIAC)等交流开关(AC Switch)。而使用负压......
极性拓扑,即输出与输入电压的极性相同,二者共地;而Buck-Boost是反极性拓扑,即输出与输入电压的极性相反,输出端提供负压(相对输入电压)。 在小家电应用场景中的功率模块控制部分,工程......
vac-p面板级负压清洗设备专为面板而设计,该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。该设备可处理510x515毫米和600x600毫米的面板以及高达7毫米的面板翘曲,利用负压技术去除芯片......
你知道汽车连接器密封性测试的三个要求吗?;密封性测试:要求在真空状态或正压状态下测试连接器的密封性。一般要求在10kpa至50kpa的正压或负压下用夹具将产品密封,然后进行气密性试验。如果......
城镇二次加压泵站工艺设备配置及工艺运行状况一般分为四种: 1)方式1———水泵全速直联供水方式; 2)方式2———微机控制水泵变频调速恒压供水方式; 3)方式3———微机控制水泵变频调速变流变压供水方式; 4)方式4———全自动管网直联无负压......
盛美上海推出负压清洗平台,已收到采购订单;9月14日,半导体专用设备提供商盛美上海宣布推出负压清洗平台,以满足芯粒和其他3D先进封装结构清除助焊剂的独特需求。 本次......
纳芯微推出全新隔离电压采样NSI1312x系列;纳芯微全新推出的NSI1312x系列隔离电压采样芯片支持正负电压输入和高阻抗输入,支持差分或单端模拟输出,可广泛应用于汽车、工业、大功......
纳芯微推出全新隔离电压采样NSI1312x系列;纳芯微全新推出的NSI1312x系列隔离电压采样芯片支持正负电压输入和高阻抗输入,支持差分或单端模拟输出,可广泛应用于汽车、工业、大功......
、参考基准类芯片,功率开关类芯片、电池管理类芯片等品类,以及一些特定应用场景的电源类产品。通常把电源转换类芯片根据芯片架构分为DC-DC与LDO(low dropout regulator)两种芯片......
、参考基准类芯片,功率开关类芯片、电池管理类芯片等品类,以及一些特定应用场景的电源类产品。通常把电源转换类芯片根据芯片架构分为DC-DC与LDO(low dropout......
ST助力构建赛-课-证一体化嵌入式应用人才培养生态圈 ——获奖作品回顾及2023年嵌入式大赛学习资源分享;来源:意法半导体博客 近日,第六届(2023)全国大学生嵌入式芯片......
ST助力构建赛-课-证一体化嵌入式应用人才培养生态圈——获奖作品回顾及2023年嵌入式大赛学习资源分享; 近日,第六届(2023)全国大学生嵌入式芯片与系统设计竞赛应用赛道启动报名,大赛连续3......
ST助力构建赛-课-证一体化嵌入式应用人才培养生态圈;——获奖作品回顾及2023年嵌入式大赛学习资源分享近日,第六届(2023)全国大学生嵌入式芯片与系统设计竞赛应用赛道启动报名,大赛连续3年入......
电路主板   二、V锥流量计差压显示值偏差大   1、取压管路在泄露、一般负压端露时差压值偏大,正压端泄露时差压偏小。   解决方案:1、封堵泄露点。2、检查一次阀门。   三、V锥流......
联合实验室,实施嵌入式人才培养计划,甚至举办教育联盟会议及校内比赛,以增加我们与师生的沟通交流,这一切都是为了让中国大学师生能够更好地利用我们的技术。全国大学生嵌入式芯片与系统设计大赛只是其中的一个例子。因此......
络明芯正式推出车规级LIN SBC和CAN SBC芯片; 【导读】络明芯近日正式发布汽车级的SBC芯片(即:System Basis Chip系统基础芯片):集成了LDO和LIN收发......
MAX8890数据手册和产品信息;MAX8890是一款电源管理芯片,旨在用于采用+2.5V至+5.5V输入电压的单节锂(Li+)电池供电的蜂窝手机。这款芯片包含三路同样的低噪声、低压差(LDO)线性......
于驱动MOSFET或IGBT等功率管,提供最大4A/6A的拉灌电流能力,拥有超低传播延迟,低静态电流,耐负压能力强、高dv/dt抗扰度等特性,创新的隔离技术使得NSD1624的高压输出侧可以承受高达1200V......
集成一个固定电压的主低压差稳压器 (LDO)、一个可配置的辅助 LDO稳压器、四个高边驱动器、一个 CAN FD 收发器和一个选配LIN 收发器。该系列电源管理芯片......
比较器基础(2024-10-31 14:01:20)
源供电 从这个应用也可以看出,当你不需要输出负压,就选择单电源供电,如果需要输出负压就选择双电源供电。 最后来个总结: 1、根据输出是否需要负压......
量产出货!纳芯微高性能车规级LDO为车载电源设计带来新选择; 纳芯微2022年全新发布的首款车规级LDO芯片NSR31/33/35系列现已正式量产,并向知名国际汽车零部件厂商批量供货。LDO芯片......
量产出货!纳芯微高性能车规级LDO为车载电源设计带来新选择; 【导读】纳芯微2022年全新发布的首款车规级LDO芯片NSR31/33/35系列现已正式量产,并向......
率管,提供最大4A/6A的拉灌电流能力,拥有超低传播延迟,低静态电流,耐负压能力强、高dv/dt抗扰度等特性,创新的隔离技术使得NSD1624的高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压,同时SW......
IGBT等功率管,提供最大4A/6A的拉灌电流能力,拥有超低传播延迟,低静态电流,耐负压能力强、高dv/dt抗扰度等特性,创新的隔离技术使得NSD1624的高压输出侧可以承受高达1200V的直......

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;深圳市安联创科技有限公司(市场部);;深圳市安联创科技有限公司是集芯片开发、销售及方案解决的高科技企业,专注于电源管理、数据转换及信号调理领域,可为客户提供芯片、模块等产品及解决方案。我公
MT6188C收音芯片 MTK INPAQ手机FM天线 INPAQ LDO(3.3V,300mA) RT9193-33PB RP1202-33PB RICHPOWER LDO(2.8V,300mA
;深圳市硅源电子有限公司;;电源IC DC/DC转换芯片 电压检测芯片 LDO 场效应等
;联益微电子(深圳)有限公司;;深圳市联益电子有限公司专业生产销售电源IC、DC/DC升压芯片5V、3V、3.3V、升压IC输出电压可调、LDO稳压6206系列、带使能端系列LDO,低电
;南京微盟电子有限公司;;国企原厂电源管理IC,有DC/DC升压芯片2100系列,DC/DC反转倍压芯片7660系列,LDO稳压芯片6206系列,电压检测芯片2801系列,电话0755
您携手共创美好未来。 公司主营产品: 深圳市科芯创展科技有限公司是专业生产DC/DC升压IC、白光驱动IC、降压IC、恒流IC、恒压IC、充电管理IC、音频功率放大器、LDO稳压IC;升压电路、升压芯片、DC/DC
;深圳明和科技;;深圳明和科技是一家从事LED驱动芯片的研发 应用方案推广和销售。公司主营:升压恒流LED驱动;降压恒流LED驱动;升降压LED驱动;电源管理芯片(电压检测芯片 LDO稳压芯片
;深圳市科芯创展科技有限公司市场部一;;深圳市科芯创展科技有限公司生产销售升压IC,升压芯片,升压电路等。产品有: 10颗LED背光升压IC,27颗LED背光升压芯片,1W、3W LED升压
;深圳市科芯创展科技有限公司市场部十;;深圳市科芯创展科技有限公司生产销售升压IC,升压芯片,升压电路等。产品有: 10颗LED背光升压IC,27颗LED背光升压芯片,1W、3W LED升压
;深圳市科芯创展半导体科技有限公司;;深圳市科芯创展半导体设计科技有限公司生产销售升压IC,升压芯片,升压电路等。产品有: 10颗LED背光升压IC,27颗LED背光升压芯片,1W、3W LED升压