资讯
NAND Flash 大降价，固态硬盘取代机械硬盘指日可待(2023-03-23)
果是用在移动硬盘、笔记本电脑等移动设备上，并且恰好在读写数据时“碰撞了一下”，那么机械硬盘就很容易坏了。而固态硬盘因为读写过程中不依赖这种机械结构，所以不用担心这方面的问题。
固态硬盘：随机读写速度快
硬盘的读写速度可以大致分成顺序读写速度和随机读写速度......
读写性能提高40%！江波龙FORESEE XP2200系列SSD推出M.2 22(2024-01-29)
读写性能提高40%！江波龙FORESEE XP2200系列SSD推出M.2 22;自从NAND Flash进入3D时代，3D NAND从单纯提高制程工艺转变为堆叠多层，成功解决了平面NAND在增......
都在说RAM和ROM 可你真的懂这些储存原件么？(2016-10-12)
内存）相信就没有那么多人有很多了解了，今天的这篇文章，就先来说说储存内存的那些事。首先，和CPU等不一样，ROM的性能好坏的评价并不和计算能力相关，衡量一块闪存和运存性能好坏的，只有两个指标：数据读写速度......
立足优势 持续领先：KIOXIA铠侠新一代UFS嵌入式闪存器件已批量交货(2022-12-08)
-PHY*2 v5.0的通用闪存*3Universal Flash Storage (以下简称：UFS) 嵌入式闪存器件，目前已率先批量交货，助力本土手机产商实现存储速度飞跃。新一代UFS凭借高速读写......
兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash(2020-10-15)
尺寸小，在集成了存储阵列和控制器的同时，还带有内部ECC纠错算法，擦写次数可达5万次，提高可靠性的同时延长产品使用寿命。
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GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND产品，大大提升了读写速度......
存储产业变革的风吹到了SSD(2024-08-21)
和随机访问性能。当前AI SSD以支持PCIe 5.0为主流，未来将支持更高版本的接口，以及高带宽的NAND闪存通道，以实现高达数十GB/s的读写速度。
存储芯片中，NAND Flash即闪......
立足优势 持续领先：KIOXIA铠侠新一代UFS嵌入式闪存器件已批量交货(2022-12-08)
用闪存*3Universal Flash Storage (以下简称：UFS) 嵌入式闪存器件，目前已率先批量交货，助力本土手机产商实现存储速度飞跃。新一代UFS凭借高速读写性能，将应......
立足优势 持续领先：KIOXIA铠侠新一代UFS嵌入式闪存器件已批量交货(2022-12-09 09:46)
用闪存*3Universal Flash Storage (以下简称：UFS) 嵌入式闪存器件，目前已率先批量交货，助力本土手机产商实现存储速度飞跃。新一代UFS凭借高速读写性能，将应......
新品上市 高能进阶，畅酷体验，铠侠NVMe 固态硬盘系列新成员上线(2023-12-12 09:44)
高达 5,000MB/s ，顺序写入速度高达 3,900MB/s。硬盘的随机读写速度也进一步提升，随机写入速度可达 950,000 IOPS ，1TB容量的随机读取速度高达 770,000 IOPS ，2TB容量的随机读取速度......
东芝首发15nm eMMC闪存：速度飙升140%！(2016-10-27)
-MMC（JEDEC版本5.1）和UFS（JEDEC版本2.1）提供了强大的集成控制器技术，可提供显著的读写速度改进。
与原来的NAND闪存解决方案相比，e-MMC和UFS将NAND闪存......
智能视频监控系统存储与以太网电路设计(2023-01-31)
电路。
Nand Flash具有成本低，擦写速度快，支持随即存取，高存储密度等特点，是一种非易失存储器。本文硬件中采用SAMSUNG公司生产的FLASH K9FI216UOA芯片用于存放Bootloader......
这家存储大厂推出P3 Plus PCIe 4.0 SSD(2022-09-17)
、2TB、4TB四种容量版本，其中500GB容量的顺序读写速度分别可达4700MB/s，1900MB/s;1TB容量的顺序读写速度分别可达5000MB/s，3600MB/s;2TB容量的顺序读写速度......
引领存储新技术，铠侠NAND Flash产品为AI赋能(2024-11-12)
费级产品相同的高性能，更低的响应延迟和更快的存储速度，让车载系统也能获得媲美高性能PC的读写速度和响应体验。
铠侠将持续与行业伙伴一起，围绕车规级UFS 4.0存储打造高性能的车规级存储生态，为即......
慧荣推出业界最快NAND控制IC(2024-06-03)
慧荣推出业界最快NAND控制IC;
【导读】NAND Flash控制IC大厂慧荣科技宣布，推出传输速度高达20Gbps的业界最高速单芯片可携式SSD控制IC，支持8TB的储存容量，未来......
铠侠推出第二代UFS 4．0嵌入式闪存设备(2023-06-15 16:18)
比特 = 1,099,511,627,776比特。• 读写速度是铠侠株式会社在特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证单个器件的读写速度。读写速度......
Kioxia开始量产首款QLC UFS Ver. 4.0嵌入式闪存设备(2024-11-01 10:35)
1,099,511,627,776比特。*1 Gbps计算为每秒1,000,000,000比特。读写速度是在Kioxia的特定测试环境中获得的最佳值，Kioxia不对各个设备的读写速度提供任何保证。读写速度可能会因所使用的设备和读写......
慧荣科技为次世代高速闪存推出第三代PCIe Gen4 SSD主控(2023-02-17)
供业界领先的7,400MB/s和6,500MB/s连续读写速度和1,200K IOPS随机读写速度。此外，其先进的架构可实现较低的功耗和严格的数据保护，在具成本效益的DRAM-less PCIe......
慧荣科技为次世代高速闪存推出第三代PCIe Gen4 SSD主控(2023-02-17)
供业界领先的7,400MB/s和6,500MB/s连续读写速度和1,200K IOPS随机读写速度。此外，其先进的架构可实现较低的功耗和严格的数据保护，在具成本效益的DRAM-less PCIe......
Kioxia推出了新一代UFS Ver． 4．0设备(2023-06-02 10:07)
=1,099,511,627 ,776字节。*读写速度是在Kioxia Corporation特定测试环境下获得的最佳结果，但并不代表每个设备都能达到相同的读取或写入速度。实际使用中，由于所用设备和文件大小等因素影响，读写速度......
Kioxia推出了新一代UFS Ver． 4．0设备(2023-06-02 10:07)
=1,099,511,627 ,776字节。*读写速度是在Kioxia Corporation特定测试环境下获得的最佳结果，但并不代表每个设备都能达到相同的读取或写入速度。实际使用中，由于所用设备和文件大小等因素影响，读写速度......
一文了解新型存储技术(2023-01-03)
前主流的存储器技术中，DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NAND Flash读写速度低，存储密度明显受限于工艺制程。
为了突破DRAM、NAND Flash......
一文了解新型存储技术(2023-01-04)
一文了解新型存储技术;在当前主流的存储器技术中，DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NAND Flash读写速度低，存储密度明显受限于工艺制程。
为了......
Crucial英睿达P3 Plus SSD:高性价比存储扩容方案(2023-03-08)
还能更快。 4K随机读写速度分别为47MB/s、393MB/s。
AS SSD Benchmark测试结果如下:顺序读取速度为3671MB/s,写入速度为3627MB/s;4K随机读写速度分别为67MB......
慧荣科技为次世代高速闪存推出第三代PCIe Gen4 SSD主控(2023-02-20)
MT/s，从而使设计人员能够利用下一代高速TLC和QLC 3D NAND闪存的较高吞吐量。其多核设计可自动平衡计算负载，以提供业界领先的7,400MB/s和6,500MB/s连续读写速度和1,200K......
潜力无限的汽车存储芯片，正在迎来新机遇(2023-03-29)
性层面也将提出更高要求。而DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NOR Flash和NAND Flash读写速度低，存储密度受限于工艺制程。市场......
铠侠发布 2TB microSDXC 存储卡(2023-12-21 09:54)
1,000,000 bytes/s计算。这些数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证在个别设备中的读写速度。读写速度可能取决于所使用的设备和所读取或写入的文件大小。写入速度低于读取速度......
杀死NAND Flash，替代DRAM；3D Xpoint有这个能力吗？(2017-05-10)
动启动，这在高端PC和服务器中非常常见。Optane的随机写速度比传统的SSD快10倍，而读速度也有三倍左右的提升。
除此之外，新的DC P4800 SSD 的读写延迟低于10微秒，这在NAND......
三星/华为争首发！全新手机存储技术UFS 2.1浮现(2016-10-11)
的重要部件。毕竟闪存决定着手机读写数据的速度，手机闪存读写速度越快，手机安装或者启动APP以及存放文件的速度也就越快。
手机的闪存的内部构造与U盘和SSD的差异不太，同样具备了NAND（存储......
三星电子宣布开发出其首款基于第八代 V-NAND 的车载 SSD(2024-09-24)
前代产品 AM991 能效提高约 50%，顺序读写速度分别达到了 4,400MB/s 和 400MB/s。
三星半导体基于第八代 V-NAND 技术的车载 SSD AM9C1
三星......
忆联新一代消费级SSD AM541：以硬核性能成为高负载场景更优选择(2024-08-23)
忆联新一代Jaguar6020主控，内置高容量SRAM及IO加速模块。顺序读写速度最高可达7000 MB/s、 6000 MB/s ，4KB随机读写速度最高可达900K IOPS、850K IOPS。高兼容性、稳定......
采用最新V-NAND！三星推出990 PRO系列SSD(2022-08-26)
供PCIe4.0接口目前提供的最高速度。
该款SSD的顺序读写速度分别高达7450MB/s和6900MB/s，随机读写速度分别高达1400K和1550K IOPS。
与980 PRO相比，990 PRO......
UFS 4．0发布到普及用时一个季度 它为何如此吸引手机？(2022-12-15 11:33)
动对文件进行重新排列和整理，减少文件碎片，进而恢复闪存读写速度，尽可能避免手机长期时候后出现卡顿等问题。
通过上述介绍不难看出UFS 4.0技术的优越性，它提供更强的性能，更好满足新一代手机的性能需求，不过......
UFS 4.0发布到普及用时一个季度，它为何如此吸引手机？(2022-12-14)
机出现大量文件、冗余数据时，FBO会自动对文件进行重新排列和整理，减少文件碎片，进而恢复闪存读写速度，尽可能避免手机长期时候后出现卡顿等问题。
通过上述介绍不难看出UFS 4.0技术的优越性，它提......
14.5GB/s！三星量产全球最快PCIe 5.0 SSD PM9E1(2024-09-23)
有着超大容量。
PM9E1采用了三星电子自研的5nm工艺主控方案，搭配第八代V-NAND闪存，容量可选512GB、1TB、2TB、4TB。
性能方面，顺序读写速度分别高达14.5GB......
群联发布UFS 2.1主控PS8311：智能手机读写要飞上天！(2016-12-17)
过去的BCH ECC提升了解码性能，降低了功耗，对于3D TLC闪存的支持也更完善。
群联称，PS8311主控搭配3D TLC闪存，持续读写速度分别可达410MB/s、253MB/s，4K随机读写速度......
如何把SSD固态硬盘塞进手机？(2021-05-21)
手机的同学应该知道，手机内部非易失性存储常见的设备类型应该是eMMC和UFS。了解更深入一些的则可能知道，现在的手机普遍都在用UFS，因为它比eMMC在读写速度上快了很多。比如三星、小米......
FLASH、DDR和eMMC高速PCB布线布线设计规范(2024-11-11 14:18:47)
很大程度上影响了它的性能。
他的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样的。
NAND FLASH：Nand-flash存储器容量增大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌......
探究未来存储新趋势，铠侠参展MTS2024(2023-11-03)
的第8代BiCS FLASH™存储密度提升可达50%以上，NAND I/O速度提升可达60%以上，可实现3200MT/s的传输速率，并大幅改善的读取延迟，可允许开发人员使用更少的3D NAND实现更快的传输速度......
stm32f103 flash模拟eeprom(2024-08-19)
同于Flash存储器的主要特点是可以对单个字节进行随机读写操作。而STM32F103的Flash存储器是一种基于NOR Flash技术的存储器，具有较大的存储容量和较快的读写速度。
Flash存储......
闪迪发布 1TB 的 SD 记忆卡，容量可能比你笔电硬盘还大(2016-10-18)
格发展，许多相机也都支持这些影像格式，对于记忆卡储存空间的容量也越来越大，因此迟早城市需要 1TB 以上的记忆卡容量。不过，当记忆卡容量超过 1TB，未来读写速度......
围观CES 2024，“AI、存储器”成业界焦点(2024-01-12)
产品采用了先进的制程和存储技术，具备更高的容量、更快的读写速度以及更可靠的数据保护等特点。
在云端服务器领域，江波龙旗下行业类存储品牌FORESEE推出了DDR5 RDIMM与PCIe SSD的产......
Kioxia推出了新一代UFS Ver. 4.0设备(2023-06-02)
,776字节。
*读写速度是在Kioxia Corporation特定测试环境下获得的最佳结果，但并不代表每个设备都能达到相同的读取或写入速度。实际使用中，由于......
阿斯加特首款搭载长江存储128层闪存的PCIe4.0 SSD(2021-07-23)
更加优秀的QOS;数据传输走PCIe4.0(PCIe gen4X4)通道，传输速率为16GT/s，比3.0翻了一倍。AN4 1TB连续读写速度最高可达7500MB/S，连续写入速度最高可达5500MB......
铠侠车载UFS 4.0上市，智能驾驶系统将如何升级？(2024-02-28)
车载UFS 4.0产品还满足了宽温需求，提供了-40℃到105℃的工作温度范围，符合AEC-Q100 Grade 2要求，最大读写速度可达4,000MB/s和2,000MB/s，是车载UFS 3.1产品的2......
铠侠车载UFS 4.0上市，智能驾驶系统将如何升级？(2024-02-28 14:33)
如此，铠侠车载UFS 4.0产品还满足了宽温需求，提供了-40℃到105℃的工作温度范围，符合AEC-Q100 Grade 2要求，最大读写速度可达4,000MB/s和2,000MB/s，是车载UFS......
铠侠车载UFS 4.0上市，智能驾驶系统将如何升级？(2024-02-28)
如此，铠侠车载UFS 4.0产品还满足了宽温需求，提供了-40℃到105℃的工作温度范围，符合AEC-Q100 Grade 2要求，最大读写速度可达4,000MB/s和2,000MB/s，是车载UFS......
铠侠车载UFS 4.0上市，智能驾驶系统将如何升级？(2024-02-29)
如此，铠侠车载UFS 4.0产品还满足了宽温需求，提供了-40℃到105℃的工作温度范围，符合AEC-Q100 Grade 2要求，最大读写速度可达4,000MB/s和2,000MB/s，是车载UFS......
FLASH存储器测试程序原理和几种通用的测试方法(2023-06-13)
NAND型FLASH。通常，NOR型比较适合存储程序代码，其随机读写速度快，但容量一般较小（比如小于32 MB），且价格较高；而NAND型容量可达lGB以上，价格也相对便宜，适合存储数据，但一般只能整块读写......
三星研制出采用第八代V-NAND的车载SSD(2024-09-25)
存储容量选择。以第8代V-NAND为准，2TB是业内现存最大容量，预计明年年初投入量产。
AM9C1采用了三星5nm主控技术，用户可通过从TLC状态切换至SLC模式大幅提升的读写速度，其中读取速度......
佰维EP400 BGA SSD：引领智能终端存储PCIe 4.0时代(2022-02-28)
BGA SSD搭配PCIe Gen4x2接口，NVMe 1.4协议，单颗最大容量为1TB，而尺寸仅为11.5x13（mm），最大顺序读写速度分别达到3500MB/s、3300MB/s。
在半......
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;深圳满宏电子有限公司;;MA8121:SD卡读卡器方案外围元件是市场同类方案中最少的。内置LDO（不会发热）。兼容性好，读写速度快。使用本司方案可以免费提供PCB设计、协助
，AUTORUN自动播放； 8、读写速度快：USB2.0 写入速度：4～8MB／s 读取速度：8～12MB／s； 9、数据存储持久稳定，根据存储介质不同，最高使用的次数达10万次。 10
百兆芯片类似NAS千兆芯片，以每秒10-11MB的网络读写速度运行。 •NDAS技术比NAS技术更加安全，使用更加方便，速度更加迅速稳定。 千兆网络芯片:NDAS3011 停产 :NDAS3012 生产
HY27UF082G2B SAMSUNG K9F1G08ROB 1G NAND FLASH 1.8V SAMSUNG K9F1G08UOB-PCBO 1G NAND FLASH NAND01GW3132BN6E 2G
;杨青德;;ASIC 设计, IC 销售, NAND FLASH,NOR FLASH 销售
;深圳易安科技有限公司;;IC 存储芯片 HY SAMSUNG SPANSION AMIC EON ISSI SDRAM NOR FLASH NAND FLASH
;JOJO;;NAND /NOR FLASH.各类存储IC
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
;深圳德盛科技有限公司;;公司主要以 NAND FLASH SDRAM/MCP为主.