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P沟道功率MOSFETs及其应用; ，虽不及广泛使用的N沟道出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道......
得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解逻辑IC的基本操作。本文引用地址： 什么是呢？ 使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET......
常用功率MOSFET构成H桥电路的桥臂。H桥电路中的4个功率MOSFET分别采用N沟道型和P沟道型，而P沟道功率MOSFET一般不用于下桥臂驱动电机，这样就有两种可行方案：一种是上下桥臂分别用2个P沟道功率MOSFET......
将首先介绍 ISO 脉冲，通常使用此类脉冲来复制实际应用中可能出现的电压瞬变。然后将详细说明可以使用的几种保护技术，并指导读者选择外部 N 沟道 MOSFET——它将提供 RPP 并帮助降低系统的功率损耗。最后......
应，并且持续不活动，系统就会进入复位模式，开始电源循环。 较常用于实现高端电源路径或输入开关的方法是使用MOSFET。N沟道或P沟道MOSFET均可用作输入开关，每种开关的驱动要求各有不同。驱动N......
护系统不受掉电故障影响  高端输入开关可以是N沟道或P沟道MOSFET。栅极电压较低时，N沟道MOSFET开关断开，电源电压连接随之断开。要使N沟道MOSFET完全闭合并将电源连接到下游电子系统，栅极......
MOSFET 作为电池反向保护 1、P 沟道 MOSFET 反向电池保护基本连接 增强型 MOSFET 有两种变体。它可以是 N 通道或 P 通道。它们......
二极管的电流为50A (125℃结温），那么此刻MOSFET源漏极压降Vsd=0.96V；（如下图所示） 当死区结束，给到驱动信号，打开MOSFET，假设电流完全流过沟道，那么此刻Vsd=50*0.024......
MOSFET开关，隔离输出负载。MAX6495–MAX6499可工作在较宽的+5.5V至+72V供电电压范围内。 当监控输入低于用户设置的过压门限时，n沟道MOSFET栅极被驱动为高。集成......
电子开关可能采用MOSFET作为开关元件。除了采用MOSFET的纯分立式解决方案外，还可以使用多种半导体IC来轻松实现电子开关。   图1.使用N沟道MOSFET和独立驱动器电路LTC7003来开......
电子开关可能采用MOSFET作为开关元件。除了采用MOSFET的纯分立式解决方案外，还可以使用多种半导体IC来轻松实现电子开关。 图1.使用N沟道MOSFET和独立驱动器电路来线路   首先，必须......
的艾普凌科有限公司（总裁：田中诚司，总部地址：东京都港区，下称“ABLIC”）今天推出使用N沟道MOSFET(※1)实现正端保护(※2)的1节电池保护IC「S-821A/1B系列」。今天......
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗; 【导读】东芝电子器件与存储株式会社(“东芝”)推出了三款80 V n沟道功率MOSFET产品，采用......
东芝宣布推出面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET;2019年12月25日，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道......
了74%，这有助于提高效率，从而使可穿戴设备设计师能够实现更大的功率密度。  该新系列小型MOSFET包括： PMX100UN 20 V，N沟道Trench MOSFET PMX100UNE 20 V，N......
-BRUH4040M-B是一款N沟道先进功率 MOSFET，采用了先进SGT（屏蔽栅极槽）技术。是一款高效、低导通电阻的N沟道MOSFET，适合用于各种高频、高效电源管理应用，尤其在DC/DC转换器、无线......
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET;电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET......
在该电场的作用下聚集在栅氧下表面，形成一个N型薄层(一般为几个nm)，连通左右两个N+区，形成导通沟道，如图中黄色区域所示。当VDS>0V时，N-MOSFET管导通，器件......
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护;中国上海，2023年11月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导......
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道......
电压跌落到所设置的门限以下时，输出电源就绪信号。这个控制器的架构允许按照负载电流的需要选择外部n沟道MOSFET。 当所监视的DC-DC输出电压低于用户设置的过压门限时，MAX6399的栅极驱动输出为高电平，为n沟道......
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N......
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
系列 RUH4040M-B RUH4040M-B是一款N沟道先进功率 MOSFET，采用了先进SGT（屏蔽栅极槽）技术。是一款高效、低导通电阻的N沟道......
关两侧运行的四个 N 沟道 MOSFET 晶体管。它由控制器逻辑电路、电平转换器、两个自举供电的高侧栅极驱动器、两个 VDD 供电的低侧栅极驱动器和过流保护电路（不使用电流检测电阻）组成。高侧......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET;东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET;东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝......
Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率;宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc......
MOSFET 以提供浪涌控制和一条从输入至输出的低损耗通路。理想二极管控制器采用一个 N 沟道 MOSFET 以提供从超级电容器至输出的低损耗电源通路。LTC3351 采用外形扁平的耐热性能增强型 44 引脚......
Linear推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器LTC4440A-5;Linear推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5，该器件能以高达 80V 的输......
控制电路平稳地接通两个适当的 MOSFET，同时将另外两个 MOSFET 保持在关断状态以防止反向电流。一个集成型充电泵负责为外部低导通电阻 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并不需要外部电容器。MOSFET 的选择在 1W......
LT8415数据手册和产品信息;LT®8415 是一款超低功率升压型转换器，具有两个集成互补型 MOSFET 半桥式 (N 沟道和 P 沟道) 集成电源开关、肖特基二极管和输出断接电路。每个......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET; 【导读】中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求;东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求 中国......
东芝扩展了有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET的产品线; 【导读】东芝电子元件及存储株式会社(“东芝”)已开始量产3个40 V n沟道mosfet，采用SOP......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装; 奈梅亨，2020年5月7日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空......
三个半桥门驱动器输出六个协调占空比。这三个驱动器充当输出桥中六个功率MOSFET的动力转向，给下桥(LS)和上桥(HS)U、V和W MOSFET通电。这些通常是N-沟道MOSFET，额定......
功能特性分析 TCK421G 栅极驱动IC与背对背连接的外部N沟道MOSFET相配合，适用于配置具有反向电流阻断功能的电源多路复用器电路或配备反向电流阻断功能的负载开关电路。其内置电荷泵电路，支持......
Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT; 【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市......
LTC1871X数据手册和产品信息;LTC®1871X是一款宽输入范围、电流模式、升压、反激式或SEPIC控制器，用于驱动一个N沟道功率MOSFET。LTC1871X的额定结温为175°C，并在......
MAX629数据手册和产品信息;MAX629低功耗DC-DC转换器具有内部N沟道MOSFET开关和可编程限流功能。它可通过0.8V至VOUT范围内的输入电压提供高达±28V的正或负偏置电压，并且......
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性;东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助......
应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。 JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。 MOSFET......
速把负载与电源断接。 图 1：完整的 12V 汽车欠压、过压及电源反向保护电路 双路 N 沟道 MOSFET 负责在 VIN 上隔离正电压和负电压。在标准运作期间，LTC4365 为外部 MOSFET 的 栅极......
LT1161数据手册和产品信息;LT1161 是一款四通道高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件具有 4 个独立的开关通道，这些......
将栅极连接至输入电压而断开。与 N 沟道 MOSFET 相比，P 沟道 MOSFET 在导通电阻相同时成本更高，而且其选择范围很窄，限于较大电流值 (高于 10A) 情况。N 沟道 MOSFET 是应......
MAX6882数据手册和产品信息;MAX6880–MAX6883双/三电压监控器设计用于上电时对电源进行排序。当所有电压超过各自门限后，这些器件依次接通系统电压，导通n沟道MOSFET作为......
/MAX4883)或4.5V (MAX4882/MAX4884)的过压断路电平，外部n沟道MOSFET将被关断，以防元件损坏。欠压/过压指示(/OV)通知处理器出现了欠压/过压故障条件。 MAX4881......
MOSFET 器件。LTC1530 包含一个精确调整的基准和反馈系统，在温度、负载电流以及电压发生变化时，即使在最坏的情况下可提供 ±2% 的稳压输出。电流限制电路借助顶端N沟道 MOSFET 的导......
PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。  新型......

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