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东芝扩展了有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET的产品线

东芝扩展了有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET的产品线

发布时间:2023-09-21

【导读】东芝电子元件及存储株式会社(“东芝”)已开始量产3个40 V n沟道mosfet，采用SOP Advance(WF)封装，用于汽车，并扩大了其产品线。这三种型号分别是“XPHR9904PS、XPH2R404PS和XPH3R304PS”。

东芝电子元件及存储株式会社(“东芝”)已开始量产3个40 V n沟道mosfet，采用SOP Advance(WF)封装，用于汽车，并扩大了其产品线。这三种型号分别是“XPHR9904PS、XPH2R404PS和XPH3R304PS”。

新产品采用U-MOSIX工艺降低漏源导通电阻，与东芝优先发布的产品XPHR7904PS和XPH1R104PS一样。XPH2R404PS漏源导通电阻为2.4 mΩ(最大值)，比东芝现有产品TPCA8083[1]低约27%，XPH3R304PS为3.3 mΩ(最大值)，比东芝现有产品TPCA8085[1]低约42%。XPHR9904PS漏源导通电阻为0.99 mΩ(最大值)。降低这些产品的漏源导通电阻有助于降低汽车设备的功耗。此外，它们还通过了汽车可靠性标准AEC-Q101。IATF16949的PPAP也有[2]。

该封装是表面贴装型SOP Advance(WF)，使用可湿式侧面终端结构，便于对电路板安装状态进行自动目视检查。

东芝的汽车mosfet支持各种汽车应用，并满足广泛的客户需求。

应用

汽车设备:电机驱动、开关电源、负载开关等。

特性

低导通电阻

XPHR9904PS: RDS(ON)=0.99 mΩ (max) (VGS=10 V)

XPH2R404PS: RDS(ON)=2.4 mΩ (max) (VGS= 10v)

XPH3R304PS: RDS(ON)=3.3 mΩ (max) (VGS=10 V)

AEC-Q101合格

有IATF16949的PPAP [2]

主要规格

(除非另有说明，Ta=25°C)

东芝扩展了有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET的产品线

内部电路

东芝扩展了有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET的产品线

应用电路示例

东芝扩展了有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET的产品线

注:

[1] SOP提前包

[2]详情请与东芝销售代表联系。

[3]东芝优先发布产品

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