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英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度(2024-03-13 14:43)
英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度;英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出......
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统(2024-03-15)
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统;
【导读】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出......
英飞凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V;
【导读】英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装......
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率(2024-06-26)
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率;
【导读】随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须......
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率(2024-06-25 11:20)
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率;随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须......
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列(2023-05-13)
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列;
【导读】英飞凌科技股份公司推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌......
英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展(2024-03-18)
英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展;英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立......
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET(2023-07-03)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET;
【导读】英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™......
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统(2024-03-12 11:12)
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统;英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET......
英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展(2024-03-19)
英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展;
【导读】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日......
英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容(2023-08-03 15:58)
英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容;小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低......
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性(2023-05-12 15:25)
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性;英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出......
英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合(2024-10-05)
英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合;
【导读】英飞凌科技股份公司推出全新StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品......
英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合(2024-09-28 10:42)
英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合;英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET™ 2......
采用TO263－7封装的新一代1200 V CoolSiC 沟槽式MOSFET推动电动出行的发展(2023-07-03 11:36)
采用TO263－7封装的新一代1200 V CoolSiC 沟槽式MOSFET推动电动出行的发展;英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款......
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET(2022-11-29)
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET;
【导读】提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 提供英飞凌......
英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大MOSFET器件的产品阵容(2023-08-03)
英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大MOSFET器件的产品阵容;
【导读】小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外......
英飞凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET，赋能先进的热插拔技术和电池保护功能(2024-11-25 15:27)
英飞凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET，赋能先进的热插拔技术和电池保护功能;为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须......
英飞凌推出全新600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列，适用于高成本效益的先进电源应用(2024-06-26 14:39)
英飞凌推出全新600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列，适用于高成本效益的先进电源应用;英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V......
英飞凌推出PQFN封装的源极底置功率MOSFET(2023-01-13)
英飞凌推出PQFN封装的源极底置功率MOSFET;
【导读】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX......
英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS源极底置功率MOSFET(2023-01-13)
英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS源极底置功率MOSFET;
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌......
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统(2024-03-12)
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统;【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽......
新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率(2024-06-18 14:53)
新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率;
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在......
英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置(2020-11-04)
英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置;【2020年11月3日，德国慕尼黑讯】当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期......
英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置(2020-11-04)
英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置;【2020年11月3日，德国慕尼黑讯】当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期......
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET(2022-12-06)
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET;
2022年11月29日– 提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商(Mouser......
英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用(2023-07-28 15:25)
英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用;在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时......
英飞凌高压超结MOSFET系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用(2023-07-28)
英飞凌高压超结MOSFET系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用;
【导读】在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时......
英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准(2024-03-20 15:24)
英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准;英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS™ 6 200......
英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准(2024-03-22)
英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准;
【导读】英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电......
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度(2024-06-13 16:08)
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度;在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能......
英飞凌推出EiceDRIVER 125 V高边栅极驱动器，在发生故障时保护电池驱动应用(2024-10-25 15:17)
架构通常要求在模块发生故障时能够断开该模块与主电源轨的连接。为实现这一功能，往往会采用MOSFET等高边断开开关，以防止负载短路影响电池。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EiceDRIVER™......
创新推动低碳化和数字化 英飞凌亮相PCIM Asia 2023(2023-08-29 15:10)
CFD7A、6.5A 2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiC MOSFET）等诸多支持电动出行和电动交通快速发展的产品和解决方案。智能家居英飞凌凭借其综合全面的技术组合提供量身定制、随时......
桥驱动器系列包含多个半导体器件，闪存容量高达256 kB并支持高达175°C的温度范围（Tj max）。此外，该系列IC采用英飞凌专利的自适应 MOSFET 控制算法，通过自动调整栅极电流来补偿系统中 MOSFET 参数的变化，从而......
桥驱动器系列包含多个半导体器件，闪存容量高达256 kB并支持高达175°C的温度范围（Tj max）。此外，该系列IC采用英飞凌专利的自适应 MOSFET 控制算法，通过自动调整栅极电流来补偿系统中 MOSFET 参数的变化，从而......
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2;
【导读】在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能......
英飞凌推出EiceDRIVER™ 125 V高边栅极驱动器(2024-10-30)
架构通常要求在模块发生故障时能够断开该模块与主电源轨的连接。为实现这一功能，往往会采用MOSFET等高边断开开关，以防止负载短路影响电池。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EiceDRIVER™ 1EDL8011，这款......
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET(2022-11-29)
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET;贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET
2022年11月29日 – 提供......
全方位剖析：英飞凌如何领跑“低碳转型”绿色赛道？(2025-01-06)
始研发碳化硅技术，到2001年推出世界上第一个商用的碳化硅二极管，再到2019年发布了革命性的CoolSiC™ MOSFET技术，英飞凌的碳化硅产品几乎覆盖整个能源全链条。而今年，英飞凌......
创新推动低碳化和数字化 英飞凌亮相PCIM Asia 2023(2023-08-29)
、CoolMOS™ QDPAK CFD7A、6.5A 2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiC MOSFET）等诸多支持电动出行和电动交通快速发展的产品和解决方案。
智能家居
英飞凌......
创新推动低碳化和数字化 英飞凌亮相PCIM Asia 2023(2023-08-29)
创新推动低碳化和数字化 英飞凌亮相PCIM Asia 2023;【2023年8月29日，中国上海讯】英飞凌（Infineon）今日携广泛的半导体技术和产品，亮相......
英飞凌推出OptiMOS 7技术的40V车规MOSFET产品系列(2023-07-03)
英飞凌推出OptiMOS 7技术的40V车规MOSFET产品系列;英飞凌OptiMOS 7 是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅......
英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度(2023-11-30)
英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度;
【导读】英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块......
英飞凌为数据中心推出业界首款宽电压、可编程数字SOA控制的热插拔控制器(2022-11-23)
热插拔系统监控控制器IC的输入电压范围为5.5 V至80 V，瞬态电压最高可达100 V并可持续500 ms。它由三个功能模块组成：第一个是专为满足英飞凌功率MOSFET特性......
英飞凌为数据中心推出业界首款宽电压、可编程数字SOA控制的热插拔控制器(2022-11-23 16:19)
热插拔系统监控控制器IC的输入电压范围为5.5 V至80 V，瞬态电压最高可达100 V并可持续500 ms。它由三个功能模块组成：第一个是专为满足英飞凌功率MOSFET特性......
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列(2023-05-12)
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列;英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升......
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET(2022-11-29 16:19)
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET;提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入(NPI)分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 提供英飞凌......
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率(2024-06-25)
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率;【2024年6月25日，德国慕尼黑讯】随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务......
英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列，内置集成的快速体二极管(2022-11-08 14:34)
的需求为了满足当今市场对产品小型化、高能效的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的CoolMOS™ PFD7高压MOSFET系列，为950V 超结（SJ......
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度;【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4......
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立技术推广公司“以技促贸”专业推广德国英飞凌IGBT、MOSFET、快恢复二极管（Emcon）、德国UUHC铝电解电容、UUHC 高频瓷介电容器，同时特约经销瑞萨IGBT单管 、 三凌、IXYS、赛米
户提供一站式服务，特成立技术推广公司“以技促贸”专业推广德国英飞凌IGBT、MOSFET、快恢复二极管（Emcon）、德国UUHC铝电解电容、UUHC 高频瓷介电容器，同时特约经销瑞萨IGBT单管 、 三凌、IXYS
起订。压力传感器：美国SMI（专注微差压）、GE/NOAV（中压传感器）、MEAS/TE Connectivity 全系列压力传感器，常备现货，有特价。电子元器件：Infineo/英飞凌、IR（优势
新一代MOSFET,IGBT是未来大能量变换与运动控制中最关键的器件，而世界上功率器件的牌子很多，以MOSFET为例，有华晶，士兰微，IR ,ST ,ON，英飞凌，等各大品牌，如何采购到高性价比的元件，是客
;深圳市高通达远电子有限公司;;主营英飞凌,富士，三菱，西门康IGBT模块，LEM莱姆传感器，SUNON建准风扇，EPCOS,EACO电解电容器主营英飞凌,富士，三菱，西门康IGBT模块，LEM莱姆
英飞凌KT4/RT4/DN2/2A等全线系列，优势供货。欢迎来电咨询！
2、电容产品
EACO、日立、CDE、NCC等公司的电解电容及薄膜电容；
3、MOSFET、快恢复二极管、整流
;深圳市誉金通电子有限公司;;代理美国仙童（FSC),德国IXYS 的产品，同时与IR,英飞凌，ON（安森美）、ST、ADI、TI、等进口品牌保持长期合作关系。产品主要有IGBT、MOSFET、快恢
，ST，ROHM，NXP，VHSHAY，英飞凌，瑞萨，合泰等品牌
模块、晶闸管、电力二极管等中大功率电力半导体器件；IGBT、功率MOSFET、快恢复二极管等中小功率分离器件；驱动IC、智能功率器件（Cipos）等功率集成电路；英飞凌单片微机（MCU）等信
;深圳市英飞凌科技有限公司;;