英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案,丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管,适用于服务器和工业开关模式电源装置(SMPS)、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。
600 V CoolMOS™ 8 600 V QDPAK TSC
这些元件采用SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8 x 8封装,不仅简化了设计,还降低了组装成本。在10 V电压下,600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET的栅极电荷(Qg)较CFD7降低了18%,较 P7降低了33%。在400 V电压下,该产品系列的输出电容COSS较CFD7和P7降低了50%,关断损耗(Eoss) 较CFD7和P7降低了 12%,反向恢复电荷(Qrr)较CFD7降低了3%。此外,这些器件的反向恢复时间(trr)更短,热性能较上一代产品提高了14%至42%。
凭借这些特性,该系列器件能够在LLC和ZVS 相移全桥等软开关拓扑结构中实现高效率和高可靠性。它们在 PFC、TTF及其他硬开关拓扑中同样具有出色的性能水平。由于优化了RDS(on),这些半导体器件拥有更高的功率密度,能使采用硅基超级结(SJ)技术的产品降低到7 mΩ的个位数值。
供货情况
600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET样品现已推出。了解更多信息,敬请访问www.infineon.com/coolmos8。
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。
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英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。