资讯
七种MOS管栅极驱动电路(2024-10-30 00:55:57)
七种MOS管栅极驱动电路;
在使用mos管驱动电路设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑mos的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
流过大或者发生短路时，功率MOS管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值，必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOS管,否则器件将被烧坏，因此在主回路增加电流采样保护电路，当电流到达一定值，通过保护电路关闭驱动电路......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
组成栅源寄生电容泄放回路，栅极二极管提供一个低阻抗MOS管关断路径，加快MOS管关断。（电路中元件参数看根据实际PCB进行调整）
半桥驱动电路，当MOS管栅源电压高于阈值电压时MOS管开始导通，IRF3710的阈......
半桥不对称 PWM 控制变换器(2024-11-15 11:28:50)
七种MOS管栅极驱动电路
1.工作原理
不对称脉宽调制半桥 DC/DCZVS变换器的电路如图 4-19所示。当开关 S1和......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
应施加一个合适的正向偏置电压。
这种简单衬底驱动电流镜的缺陷是输入输出电流呈非线性，这是由于在栅极驱动电流镜中输出晶体管M4工作在饱和状态[4].为了解决这个问题，使用了一种替代配置，如图1(c)。晶体管M7被作......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-06)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;
【导读】意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07 11:02)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07 11:02)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN驱动器集成电流隔离功能,具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07)
意法半导体GaN驱动器集成电流隔离功能,具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-06)
可连接高达 1700V的电压轨，栅极驱动电压最高15V。该驱动器能够向所连接的 GaN 晶体管栅极灌入和源出最高3A的电流，即使在高工作频率下也能精准控制功率晶体管的开关操作。
STGAP2GS 跨越......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
详解
1、简介
在学习此部分之前，需要先掌握基础H桥驱动的工作原理，具体可参看此篇博客：电机驱动芯片（H桥、直流电机驱动方式）
自行搭建的H桥驱动电路一般都包括两个部分：半桥/全桥驱动芯片和MOS管......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
，下管PNP开启，驱动MOS管关闭。
3）双端变压器耦合栅极驱动
双端变压器耦合栅极驱动电路可同时驱动两个MOS管，多用于高功率半桥和全桥转换器中，其电路结构如图。在第一个周期内OUTA 开启，给变......
MP653x系列产品的保护功能及正确的配置方法(2024-07-16)
则在 VREG 上升后自动重启。详情请参阅表 1。
上管栅极驱动电压故障保护 (VBST UVLO)
适用器件：MP6537、MP6538、MP6539
这些器件均提供一个电路监测其 BSTx 引脚......
如何破解您的 DC/DC 转换器？(2022-04-18)
器的标准产品并不存在。接下来您可以做些什么？
图 1：隔离式 SiC 晶体管栅极驱动器电路的简化示意图
技巧 #1：使用不符合规格的输入电压
在满载时低功率非稳压 DC/DC 转换器的输出/输入......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机;1.有刷电机驱动电路
有刷电机是电机里面最简单，也是历史最悠久的一种，到现在仍然广泛应用于各个领域。他的控制很简单，在电......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
由于IGBT模块中di/dt的增大，也增大了续流二极管的过压极限。
栅极电阻与关断变化图
栅极驱动的印刷电路板布线需要非常注意，核心问题是降低寄生电感，对防止潜在的振荡，栅极电压上升速率，噪音......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
率均大幅的下降。
由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把MOS管及其应用电路作简单介绍，以满......
数明半导体推出高效节能的电机驱动芯片SLM8837(2024-07-03)
的保护机制会立即启动，防止系统损坏或不稳定状况发生。
当限流电路一旦检测到过流信号时，会移除栅极驱动器来限制通过 MOS 管的电流，使得芯片安全性得到极大保障，提高......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
有点吃力。尤其是当我们加的底盘在不停的加减速时，这就需要电机不停的正反转，此时的电流很大，还用以上的驱动电路，芯片会很烫!!这个时候就需要我们自己用 MOSFET 和栅极驱动芯片自己设计 H 桥......
WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战(2024-09-25)
MOSFET 通常在导通状态下需要 + 20 V 栅极驱动电压 (VDD)，以提供最低的导通电阻。由于栅极导通阈值可以小于 2 V，为了实现最佳的开关可靠性，SiC MOSFET 驱动器通常在关断阶段摆动至负栅极......
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇(2022-12-23)
背景及问题：在高频电源中，反射波容易在开关元件的栅极产生噪声而导致开关误导通，且噪声的幅度会随着负载波动而波动。因此，现有技术中恒定的负偏压关断存在不能可靠地防止开关误导通的问题。解决技术手段：该专利提供一种能够生成可变的负电压的栅极驱动电路......
基于栅极驱动、运放的家用空调电源解决方案(2023-08-09)
的通道传播延迟和匹配为严格的工业和大家电应用提供了高可靠性设计。
表 4. 低侧栅极驱动器选型表
电机驱动方案
方案 1
步进电机驱动器
KP83130 是一款具有 1.5A 峰值驱动电流和 0.8A......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
完美。
2、MOS驱动波形略微震荡
描述：肉眼可见这也是方波，上升沿和下降沿都比较陡峭，开关速度比较快，管子损耗小，只是管子有略微的震荡。
解决手段：适度加大栅极驱动电阻。
3、MOS驱动......
对电源稳压电路原理分析，不光维修好还能设计出更佳产品(2024-11-15 11:28:50)
设计直流放大器（增益600，输入电阻120k，输出反相）
利用MOS管实现缓启动电路
七种MOS管栅极驱动电路......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
情况可以通过最小化 mos 管 周围的杂散电感和电容来防止杂散振荡，还应使用低阻抗栅极驱动电路来防止杂散信号耦合到器件的栅极。
十一、“米勒”效应
mos 管 在其栅极......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算;**1. 关于的极限参数说明：**本文引用地址：
在以上图中，我们需要持续关注的参数主要有：
a. **ID（持续漏极电流）**：该参......
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断(2024-10-16 11:40:39)
众号硬件笔记本
解决手段
：
适度加大栅极驱动电......
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器(2021-06-08)
工业电机驱动。此外，它是太阳能系统、不间断电源和电动汽车充电等应用的理想选择。
1ED32xx系列优化了栅极驱动器电路。在降低启动和轻载运行期间的dv/dt和电磁干扰（EMI）的同时，最大......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
的载流子必须在器件从导通状态切换到关断状态时消除。这可通过以下两种方法实现：一是通过栅极驱动电流消除电荷，二是通过电子-空穴重组过程。双极性器件的这种固有特点会造成显著的功率损失，从而降低开关性能。因此，单极......
森国科推出电机驱动专用的高集成、高性能IPM智能功率模块(2024-01-02 11:25)
产品提供经济高效的解决方案。森国科IPM智能功率模块KG05AS05B1M1集成了6个MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路，具备欠压保护和失效保护功能，以保证电子设备的安全和可靠性。由于......
电动机控制应用三种不同的dV/dt控制方法(2022-12-20)
/800V开关下的性能】
JFET直接驱动方法表现出的整体开关损耗最低，为9.02mJ。与其他两种方法相比，这种方法需要负压才能驱动SiC JFET，并且需要在电路启动时为Si MOS提供启用信号，从而增加了栅极驱动......
森国科推出电机驱动专用的高集成、高性能IPM智能功率模块(2024-01-04)
产品提供经济高效的解决方案。
森国科IPM智能功率模块KG05AS05B1M1集成了6个MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路，具备......
如何增强工业电机控制性能？这有两款隔离解决方案(2023-03-24)
控制系统可能包含各种各样的隔离器件，例如：驱动电路中的隔离式栅极驱动器；检测电路中的隔离式ADC、放大器和传感器；以及通信电路中的隔离式SPI、RS-485、标准数字隔离器。无论是出于安全原因，还是为了优化性能，都要......
一文看懂华润微电子IC和新型IPM等产品亮点(2024-01-22)
、高压半桥栅极驱动电路和单路低侧栅极驱动电路等产品。
CS57304S是一款高压高速功率半桥驱动电路，主要应用于驱动N型MOS或IGBT功率器件的系统。该电路......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
图中的2、3引脚）截止，2N7002里面的二极管3-->2方向不通。那么MCU2 RX被VCC2上拉
为3.3V。相关推荐：
MOS管驱动电路......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
搭配适当的快恢复二极管。
03 IGBT的优缺点
优点：
1、具有更高的电压和电流处理能力。
2、极高的输入阻抗。
3、可以使用非常低的电压切换非常高的电流。4、电压控制装置，即它没有输入电流和低输入损耗。
5、栅极驱动电路......
增强DS39x系列CCFL控制器的栅极驱动能力(2023-07-11)
具有更高的栅极电荷。因此，栅极驱动电路必须具有足够高的峰值驱动电流，以快速地为栅极电容充电、放电。功率MOSFET也需要较高的栅源电压，以保证有效开启。DS39xx系列控制器内置的栅极驱动电路不能直接驱动......
隔离式栅极驱动器设计技巧(2023-08-21)
充电，使其达到最终的导通电压 VGS(ON)，或者驱动电路使栅极放电到最终的关断电压 VGS(OFF)。为了实现两个栅极电压电平之间的转换，栅极驱动器、栅极电阻和功率器件之间的环路中会产生一些功耗。
如今......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
使用速度更快的的比较器，但是电路的响应时间还取决于比较器驱动MOS 管的速度，MOS 管栅极电容充放电的过程也会造成延迟。
注：意思就是如果电流曲线非常陡峭，那么到比较器准备关断MOS......
高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(2022-12-23)
解决方案；包括寄生参数，自举电阻和电容对浮动电源充电的影响。
01 高速栅极驱动电路
自举栅极驱动技术
本节重点讲在不同开关模式的功率转换应用中，功率型MOSFET和IGBT对自举式栅极驱动电路......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，加快了容性的充放电的时间）。MOSFET只靠多子导电，不存......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）(2023-02-27)
流。
栅极驱动器用于导通和关断功率器件。为此，栅极驱动器对功率器件的栅极充电，使其达到最终的导通电压 VGS(ON)，或者驱动电路使栅极放电到最终的关断电压 VGS(OFF......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-05)
瞬变抗扰度高达150V/ns，并且可以耐受700V的负压，有效提升了系统的可靠性。 2. NSD2621内部集成稳压器，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定，保护GaN开关管栅级免受过压应力的影响。
与传统的Si......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-03)
采用隔离技术进行设计，共模瞬变抗扰度高达150V/ns，并且可以耐受700V的负压，有效提升了系统的可靠性。
2. NSD2621内部集成稳压器，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定，保护GaN开关管栅......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-06 09:46)
瞬变抗扰度高达150V/ns，并且可以耐受700V的负压，有效提升了系统的可靠性。2. NSD2621内部集成稳压器，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定，保护GaN开关管栅级免受过压应力的影响。与传统的Si MOSFET......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路......
Linear推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器LTC4440A-5(2013-10-09)
压范围内工作。该器件为驱动逻辑电平 MOSFET 而优化，包括一个欠压闭锁电路，该电路启动时，可禁止外部 MOSFET。以地为基准的输入逻辑信号在内部电平移位至高端栅极驱动电源，能以......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的100W车内空调循环扇方案(2024-05-14)
案采用NCD83591智能驱动芯片搭配双N-MOS FDS3890场效应管组成的功率级，额定电源输入为12VDC~40VDC，最大驱动功率为200W。
其中，NCD83591是一款高性能的三相60V栅极驱动......
选择合适的集成度来满足电机设计要求(2023-06-13)
图腾柱/推挽电路作为栅极驱动电路来驱动单个 MOSFET，如图 2 所示。尽管此方法成本很低且易于实现，但 BJT 图腾柱电路所需的外部元件数量较多且占用的布板空间较大。此外，您必须复制此分立式电路......
相关企业
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
、隔离和更多。我们的产品包括变压器的音频、栅极驱动、电力、医疗/牙齿,wall-mount和插入式应用程序,以及电感电流的感觉,普通模式、环形、过滤和权力的应用
门类齐全，涵盖范围广阔。能够开展包括接受委托设计在内的半导体各相关业务。产品覆盖单片机开发；芯片设计，制造；LED七彩控制电路、led大功率驱动电路；红外感应电路；定时驱动电路；音频功放电路；LCD显示驱动电路
％ 一级代理商：深圳惠新晨电子 庞生 MB：13428780186 QQ：2803907163 LIS8510 SOP-8 内置MOS 全电压1-3W LED驱动电源 LIS8511 SOP-8 内置
简称VFD）是从真空电子管发展而来的显示器件，它以发光亮度高，显示多色容易，图案显示灵活，视角大，可靠性高和寿命长，自发光，驱动电压低等优点而被广泛地应用在各个领域。VFD的基本结构，它由阴极灯丝、栅网
;深圳市鑫未来科技有限公司;;深圳市鑫未来科技有限公司是集成电路、IC、LED驱动电源、电源管理IC、LED驱动方案、MOS、其他集成电路等产品专业生产加工的公司，拥有完整、科学的质量管理体系。深圳
;深圳市晶茂欣科技有限公司;;深圳市晶茂欣科技有限公司专注于经营，销售和生产研发LED驱动电源/LED节能灯的科技型企业，经营产品主要包括LED驱动电源专用二/三极管,MOS管，稳压IC,电感，贴片
IMP照明系列有以下IC：IMP高压栅极驱动IC系列 1、IMP3520D-（DIP8/SO8）:性能完全兼容IR2520D-应用于T5/T8镇流器与大功率节能灯（最大200W） 2、IMP3253
二极管，整流二极管，功率模块，整流二极管芯片，肖特基管，光敏三极管，微型桥堆，汽车整流二极管。集成电路类：LED驱动电路，电源管理电路，数字音视频电路，遥控发射电路，计算机电路，直流电机驱动电路，乙太
近期即将推出以下系列新品,欢迎大家关注: 高压栅极驱动IC,用于电子整流器（氙气灯,卤素灯等） 手机用音频功放IC,4888,4890,4894 手机用DC-DC,白光驱动IC 目前拥有香港公司: 冠辰