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为一种根本性的挑战。在图3b中,捕捉到了SiC-MOS和Si-IGBT的典型传输特性。读者会发现,SiC-MOS的沟道打开速度略微“缓慢”,在20V左右时,Rdson达到最小值。鉴于此,栅极驱动......
完美。 2、MOS驱动波形略微震荡 描述:肉眼可见这也是方波,上升沿和下降沿都比较陡峭,开关速度比较快,管子损耗小,只是管子有略微的震荡。 解决手段:适度加大栅极驱动电阻。 3、MOS驱动......
基于栅极驱动、运放的家用空调电源解决方案;必易微作为高性能模拟及数模混合芯片供应商,提供一站式整体解决方案。本次带来家用空调电源解决方案,炎夏将至,提醒大家降温防暑。 空调也叫“热泵”,顾名......
,下管PNP开启,驱动MOS管关闭。 3)双端变压器耦合栅极驱动 双端变压器耦合栅极驱动电路可同时驱动两个MOS管,多用于高功率半桥和全桥转换器中,其电路结构如图。在第一个周期内OUTA 开启,给变......
/800V开关下的性能】 JFET直接驱动方法表现出的整体开关损耗最低,为9.02mJ。与其他两种方法相比,这种方法需要负压才能驱动SiC JFET,并且需要在电路启动时为Si MOS提供启用信号,从而增加了栅极驱动......
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器;追求最高效率是当今电力电子产品的关键需求,近日,英飞凌科技股份公司推出了最新的隔离EiceDRIVER™ 2L......
较常规的方法是采用 PWM 控制。 常见的电机驱动有两种方式: 采用集成电机驱动芯片; 采用MOSFET和专用栅极驱动芯片。 方案一 采用集成电机驱动芯片 通过电机驱动模块控制驱动......
芯能发布SiC-MOS智能功率模块; 【导读】IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动......
芯能发布SiC-MOS智能功率模块;IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片,作为......
管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压......
)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路......
栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压尖峰、电弧......
产品提供经济高效的解决方案。森国科IPM智能功率模块KG05AS05B1M1集成了6个MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路,具备欠压保护和失效保护功能,以保证电子设备的安全和可靠性。由于......
的和带负载的,可能情况有很大的差异。栅极驱动的改进历程和办法(针对米勒平台关断特性) 前面都讲了一些计算的东西,这次总结一些设计法则。 栅极电阻:其目的是改善控制脉冲上升沿和下降沿的斜率,并且......
IGBT模块和60万只SIC MOS模块,年营收约15亿元。 资料显示,芯能半导体是一家聚焦IGBT芯片、高压栅极驱动芯片以及智能功率模块的研发、生产、应用和销售的国家高新技术企业和国家“专精......
产品提供经济高效的解决方案。 森国科IPM智能功率模块KG05AS05B1M1集成了6个MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路,具备......
搭配适当的快恢复二极管。 03 IGBT的优缺点 优点: 1、具有更高的电压和电流处理能力。 2、极高的输入阻抗。 3、可以使用非常低的电压切换非常高的电流。4、电压控制装置,即它没有输入电流和低输入损耗。 5、栅极驱动......
无损耗电感器DCR进一步提升了效率。IU5706E包括一个7.5V栅极驱动电源,此电源适合于驱动很多类型的MOSFET。 采用EQA-16封装。 描述 38V最大输出电压 4.5V 至30V输入......
整流针对高电流应用而启用高效率,而且无损耗电感器DCR进一步提升了效率。IU5706E包括一个7.5V栅极驱动电源,此电源适合于驱动很多类型的MOSFET。 采用EQA-16封装。 描述 38V最大......
栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压尖峰、电弧......
)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压尖峰、电弧......
无法满足需求,当前主要是以有刷栅极驱动为主。TOLL推出驱动方案: TMI8721-Q1:集成过流保护的单通道全桥N+N栅极驱动,精准监控负载状态,节省布板面积,可调节SINK/source电流,改善......
兼有 IGBT 和 GTO 两者的优点: 低饱和压降,安全工作区(吸收回路容量仅为 GTO 的十分之一左右) ,低栅极驱动功率(比 GT O 低两个数量级)和较高的工作频率。器件......
电路、高压半桥栅极驱动电路和单路低侧栅极驱动电路等产品。 CS57304S是一款高压高速功率半桥驱动电路,主要应用于驱动N型MOS或IGBT功率器件的系统。该电......
电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。 消耗的电能、产生的热量不可忽视,甚至成为主要问题,为了追求高速,需要强大的栅极驱动,也是这个道理。 试想,弱驱动信号瞬间变为高电平,但是为了“灌满”寄生......
1月新品推荐:SoC、传感器、栅极驱动器、整流器;SoC 1月8日,Silicon Labs(芯科科技)推出新型Bluetooth®片上系统(SoC)解决方案,融合了领先的安全性、无线性能、能效......
更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件,以满足新的市场需求。简单解释,就是将GaN(GaN)功率半导体和驱动集成电路(IC)放在在一个封装上。 值得一提的是,在开......
外增加了系统成本。为了应对这一挑战,罗姆为GaN HEMT开发了基于模拟的IC设计技术,集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增......
IGBT/MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计;本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、/。栅极驱动......
电机状态的反馈,并发送信号来调节电机的扭矩、位置和速度。栅极驱动器将来自 MCU 的信号放大,以驱动电机的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。   图 1:基本电机控制方框图 您可以使用 BJT......
隔离式栅极驱动器设计技巧;功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。 为了......
有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生,通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509),电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般......
使用隔离式栅极驱动器的设计指南(一);本设计指南分为三部分,将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离,并介绍实战经验。本文为第一部分,主要包括隔离式的介绍和选型指南。本文......
如何通过实时可变栅极驱动强度更大限度地提高 SiC 牵引逆变器的效率;牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件,功率级别可达 150kW 或更高。牵引......
使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动;摘要本文引用地址:在许多隔离式电源应用中,功率 MOSFET 通常采用某种形式的桥配置,用于优化电源开关和电源变压器,从而提高效率。这些......
供其他重要的保护功能,例如栅极驱动器的独立欠压锁定和启用功能,可提供可靠的运行和安全性,具备高效切换、高稳健性,且驱动器可适应不同的MOS负载。 NCP51561的输出电源电压范围为6.5V至30V,具有5V、8V和17V......
Microchip抢攻三代半导体市场,推完全配置SiC MOSFET数字栅极驱动器;随着电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆需求增加,满足更低碳排放目标,基于碳化硅(SiC)的电......
使用隔离式栅极驱动器的设计指南(三):设计要点和PCB布局指南;本设计指南分为三部分,将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离器,并介绍实战经验。上两......
增强DS39x系列CCFL控制器的栅极驱动能力;摘要:DS3984、DS3988、DS3991、DS3992以及DS3994是冷阴极荧光灯管(CCFL)的控制器,用于液晶显示LCD的背光。每个控制器通道可以驱动......
更创新的交通方式。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出AgileSwitchÒ数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包。新工......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC;瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET 全新栅极驱动IC支持1200V功率器件,隔离电压为3.75kVrms 2023......
可以满足绝大部分电机的需要。 ★2.栅源阈值电压/开启电压(Vth):该电压即MOS管打开所需的最小电压,也将决定后续半桥驱动芯片的选择和设计(即芯片栅极控制脚的输出电压)。LR7843的最......
栅极驱动器 IC 方面取得的进步让开关电源实现新的功率密度水平;在栅极驱动器 IC 方面取得的进步让开关电源实现新的功率密度水平 经久耐用的电气隔离技术以及栅极驱动器 IC 输出......
Microchip推出3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™ 栅极驱动器;进一步扩展其mSiC 解决方案,加速高压SiC 电源模块采用 这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动......
NCD83591用于工业自动化的无刷直流电机3相栅极驱动器;工业或工厂自动化是 BLDC 电机在工业细分领域增长最快的终端应用之一。随着工厂从更传统的有刷或步进电机转向 BLDC发展,以获......
微展示了其为车身自动化控制打造的高可靠性芯片解决方案。重点展品包括具有SPI控制功能汽车级单通道全桥N+N栅极驱动TMI8721-Q1,支持PWM、PH/EN和独立半桥三种模式使用更灵活,VGS=10V驱动MOS效率高,且......
栅极驱动器IC方面取得的进步让开关电源实现新的功率密度水平;像许多电子领域一样,进步持续发生。目前,在 3.3 kW (SMPS)中,产品效率高达 98%,1U结构尺寸,其功率密度可达 100......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件,隔离电压为3.75kVrms 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件,隔离电压为3.75kVrms 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
ST 隔离栅极驱动器:碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣; 【导读】意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统......

相关企业

了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核,即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术,适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用,包括电动汽车,太阳能逆变器,风力涡轮机,储能,电机驱动,储能,牵引
、隔离和更多。我们的产品包括变压器的音频、栅极驱动、电力、医疗/牙齿,wall-mount和插入式应用程序,以及电感电流的感觉,普通模式、环形、过滤和权力的应用
IMP照明系列有以下IC:IMP高压栅极驱动IC系列 1、IMP3520D-(DIP8/SO8):性能完全兼容IR2520D-应用于T5/T8镇流器与大功率节能灯(最大200W) 2、IMP3253
近期即将推出以下系列新品,欢迎大家关注: 高压栅极驱动IC,用于电子整流器(氙气灯,卤素灯等) 手机用音频功放IC,4888,4890,4894 手机用DC-DC,白光驱动IC 目前拥有香港公司: 冠辰
简称VFD)是从真空电子管发展而来的显示器件,它以发光亮度高,显示多色容易,图案显示灵活,视角大,可靠性高和寿命长,自发光,驱动电压低等优点而被广泛地应用在各个领域。VFD的基本结构,它由阴极灯丝、栅网
即将推出以下系列新品,欢迎大家关注: 高压栅极驱动ic,用于电子整流器(氙气灯,卤素灯等) 手机用音频功放IC,4888,4890,4894 手机用DC-DC,白光驱动IC 目前拥有香港公司(冠辰电子有限公司),福田
管:高压.肖特基.超快恢复.功率齐纳        二极管.LED.硅可变电阻等全系列;   主营产品: 线性稳压集成电路 开关式稳压集成电路 多路输出型稳压集成电路 相步进电机单极驱动器集成电路 相步进电动机驱动
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;合胜科技(深圳)有限公司;;公司是台湾BITEK代理商,主要经营LED驱动IC、视频解码IC、视频驱动IC、MOS管。
;深圳冠辰科技公司;;主要销售 矽恩微电子驱动芯片 亚成微电子驱动芯片 思美思MOS