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电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
电源防反接电路笔记;
1.防反接对元件的要求
单向导通特性
这个二极管就能实现。但是二极管有管压降，一般都大于0.7V。而且电流越大，管压降越大，二极管......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为电池反向保护两部分来讲。
MOS管 作为反向电池保护可能并不常见，最常见的方法是使用二极管。然而，二极管压降很高，这将在低压电路中产生问题。这就是许多使用 MOSFET 作为......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片，或者外部并联肖特基二极管，减小VSD。
体二极管导通压降损耗
我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
流过的电流），这个值一般都很小，远小于0.7V，Q1的体二极管被短路关断，并且Q1持续导通。
之后VCC向负载正常供电。负载的电压取决于MOS的压降......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
特性和工作电压来确定。
旁边的二极管是一个稳压保护二极管 为了保护GS之间的电压不会过高从而损坏二极管
在电路分析中 pmos导通和体二极管无关。mos的源漏是相对的。对pmos......
常用电平转换电路汇总！~(2024-11-24 22:52:40)
关闭状态，SDA1 被电阻 R2 上拉到 3.3V。
当 SDA2 输出低电平时：MOS 管不导通，但是它有体二极管，MOS 管里的体二极管把 SDA1 拉低到低电平，此时......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
安全地引导回电源轨道。
当 mos 管用作开关器件时，工程师可以简单获得 mos 管固有体二极管形式的续流二极管，这解决了一个问题，但创造了一个全新的问题......
六、mos 管体二极管......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
（体二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的），同时也要关注体二极管的过电流能力。
当满足MOS管的导通条件时，MOS管的D极和S极会导通，这个时候体二极管是截止状态，因为MOS管的导通内阻极小，一般......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
导通：
1）当电流较小时，MOSFET Vsd两端管压降 < 二极管开通阈值，不足以维持二极管内部反型层，二极管关闭，此刻电流完全流经沟道。
2）当电流较大时，MOSFET Vsd 两端管压降......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
碳化硅带来的优势。
当然，碳化硅MOS管在交通领域最大的问题在于体二极管，主要可以总结为四个痛点：
其中，第一个痛点是碳化硅的体二极管的导通压降大，这带来了损耗大和双极退化的缺点。如上图左边部分展示的内容，业界......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
电流的检测用了更长的时间，因而图中的电流曲线出现了“下冲”，这是因为这时MOS 管正处于导通状态，导通电阻很小，所以MOS 管上的压降很小。电流上升时则相反，此时MOS 管不导通，两端的压降是体二极管的0.8V......
基于ARM7内核LPC2119芯片实现双向变换器的设计(2023-03-06)
所示，图3中的l至4即分别对应了电路工作的4个阶段。
当能量正向流动时，若输出电流流过管压降较大的M0S管寄生体二极管，则会带来很大的整流损耗和续流损耗。为此，我们应用了同步整流技术，使电......
基于ARM7内核LPC2119芯片实现双向DC/DC变换器的设计(2023-03-06)
量正向流动时，若输出电流流过管压降较大的M0S管寄生体二极管，则会带来很大的整流损耗和续流损耗。为此，我们应用了同步整流技术，使电流流过导通电阻只有6mΩ的MOS管，大大地减小了损耗、提高了效率。以下......
开关电源电路设计的10个经验(2024-06-03)
电流采样信号在0-1V范围内，电路都正常工作，对应COMP端电压，就是就是1V--4.4V(内部二极管压降认为0.7V，1V为PDF提供的最低工作电压)那么折算到R6上电压应该能在0.6V--4V变化。如果......
RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动车控制器上的应用(2023-04-03)
) 方面，能抵抗高浪涌电流冲击;
4、在MOS管导通损耗方面，具有更低导通损耗，可节省电能;
5、在MOS管体二极管的反向恢复时间Trr方面，具有更低反向恢复损耗；产品性能有效提高了续航里程，节能......
MOS管热阻的测量方法(2023-04-06)
与壳温
3、测试电路
原理图
万用表测得数据记为UR；
Mos体二极管电压、电流记为Uf，If；
电源电压记为U。
测量mos热阻
第一步：将电路板置于温箱中，类似于下图设备。主要......
二极管直流稳压、温度补偿、控制电路及故障处理(2022-12-23)
构成的简易直流稳压电路，二极管构成的温度补偿电路等。01 二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管简易稳压电路主要用于一些局部的直流电压供给电路中，由于电路简单，成本低，所以应用比较广泛。二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
能是最简单和最容易的选择
。
请注意，在两个原理图中，
NOS管体二极管都从升压转换器指向电源
，因此除非MOS管导通，否则电流会被阻断。为此应用MOS时，漏源电压额定值、RDS......
革新ZVS软开关技术，Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能(2024-07-25)
MOSFET在第三象限导通时，体二极管压降较高，例如，在零偏置情况下传导30A电流时，压降约为4.8V。而在Qorvo SiC FET中，由于其共源共栅结构，高压SiC JFET在第......
电源设计--DC/DC工作原理及芯片详解(2024-11-08 11:12:29)
调节
MOS
管的驱动波形的占空比，来保证输出电压的稳定。
2、同步整流技术
由于二极管导通时多少会存在管压降，因此续流二极管......
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准(2023-11-30)
菱电机希望这两款首发产品可以激发更多的创新，推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件，这些器件的多个参数性能均超越同类产品，例如极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降......
基于ST CCM PFC L4986A 设计的1KW 双BOOST PFC电源方(2023-10-12)
电压正半周时，开关管 Ｓ１ 导通时，电流流经Ｌ１、Ｓ１、Ｄ４ 和 Ｌ１、Ｓ１、Ｓ２ 体二极管及Ｌ２ 两条路径，此阶段电感 Ｌ１ 储能；
开关管 Ｓ１ 关断时，电流流经Ｌ１、Ｄ１、Ｒ、Ｄ４ 和 Ｌ１、Ｄ１、Ｒ......
汽车电源线上的脉冲干扰，PMOS防反保护电路的缺点(2023-09-12)
的应用，可以将PMOS放置在高边。这种驱动电路相对简单，但缺点是PMOS成本较高。
当电源正接时，PMOS沟道导通，管压降小，损耗和温升低。
当电源反接时，PMOS沟道关断，寄生体二极管......
资深工程师分享7种常见二极管应用电路解析(2024-11-30 17:23:02)
应用比较广泛。
二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降基本不变特性。
二极管的管压降特性：二极管导通后其管压降基本不变，对硅二极管而言这一管压降是0.6V左右，对锗二极管......
二极管的7种应用电路解析，图文并茂太详细了！(2025-01-03 22:03:30)
简易稳压电路主要用于一些局部的直流电压供给电路中，由于电路简单，成本低，所以应用比较广泛。
二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降基本不变特性。
二极管的管压降......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
在沟道完全开启的情况下，由于体二极管的分流，阻抗比正向导通还要低！）
计算下，此时的Vsd≤Rdson乘以Id=2.7mΩ×360A=0.972V ！！！
而此时IGBT的压降是1.4V！
也就是说，SiC......
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准(2023-11-30 10:00)
器件的多个参数性能均超越同类产品，例如高RDS(on)、良好的温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是......
交了智商税：SOT23 220V转换5V电源芯片(2024-12-14)
开始输入工作电压为 12V。
首先测量输入电压，为12V。然后测量他的输出管脚，为11.352V，似乎，输入和输出之间是一个 二极管管压降。然后测量它的反馈管脚，电压为11.427V......
三个PMOS管防倒灌电路(2024-09-13 17:47:16)
，Q3通过体二极管导通，接着Q4导通，负载端得到Vin电压。
当控制端为低电平，三极管Q9断开，Q3与Q4不导通，并且完全关断，由于3与Q4的体二极管是反向串联的，所以......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
不加控制)
(2)说明：
即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避......
如何快速读懂电子电路图？看看这份教程(2024-10-18 21:31:45)
介绍的只是后面三种单元电路。
二、整流电路
整流电路是利用半导体二极管......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
管损坏率大大降低也是一个极好的证明。
11、MOS管导通后其导通特性呈纯阻性：普通晶体三极管在饱和导通是，几乎是直通，有一个极低的压降，称为饱和压降，既然有一个压降，那么也就是；普通晶体三极管......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
图中的2、3引脚）截止，2N7002里面的二极管3-->2方向不通。那么MCU2 RX被VCC2上拉
为3.3V。相关推荐：
MOS管驱......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
后，开关管损坏率大大降低也是一个极好的证明。
11、MOS管导通后其导通特性呈纯阻性：普通晶体三极管在饱和导通是，几乎是直通，有一个极低的压降，称为饱和压降，既然有一个压降，那么......
南京江智-全系列中低压车规级MOS 碳化硅MOS(2023-11-02)
、Super Junction位于底部的SGT MOS)来设计和流片，使得SGT MOS不仅具有常规SGT MOS的优点外，还能大大增强抗静电能力、提高体二极管的快速恢复时间、更强的抗浪涌能力，因而......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
几种常用的防反接电路;1、二极管防反接
本文引用地址：
二极管防反
描述：采用二极管进行保护，电路简单，成本低，占用空间少，但是二极管PN结在导通时，会存在一定的压降，一般在0.5V左右（主要根据选型的二极管......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法(2022-12-05)
负栅极电压的最佳方法是通过开尔文源极概念使用单独的电源和驱动器电路，并集成二极管钳位。位于开关的栅极和源极之间的二极管钳位限制栅极出现负电压。
反向恢复电荷 Qrr
特别针对使用导通体二极管进行连续硬换向的谐振拓扑或设计，还必......
具备高功率因数性能的单级 AC-DC 拓扑结构(2023-10-24)
ZCS 模式下，二次侧的D8关闭。输出电容器C4开始放电，并为负载供电。
在上述操作状态的描述中，我们没有单独分析死区时间。实际上，当两个开关都关断时，电感器 L1的电流将通过MOS体二极管......
具备高功率因数性能的单级AC-DC拓扑结构(2023-10-24)
。输出电容器C4开始放电，并为负载供电。
在上述操作状态的描述中，我们没有单独分析死区时间。实际上，当两个开关都关断时，电感器 L1的电流将通过MOS体二极管继续流动，并对 MOSFET 电容器放电，从而......
基于8031单片机和转换系统实现智能化浪涌电流测试仪的设计(2023-05-30)
序设计时附加开发了一个能同时发两个连续浪涌电流脉冲的功能模块。
检测整流二极管两端的正向（浪涌时）压降这一指标在浪涌电流测试标准上没有这个要求，检测这项参数的目的是在相同的浪涌电流冲击下，观察各被测样品批次其导通时的管压降，用来......
Linear推出一款用于 9V 至 72V系统的理想二极管桥控制器 LT4320(2013-06-13)
MOSFET 替代了全波桥式整流器中的全部 4 个二极管，以显著地降低功率耗散并增加可用电压。由于电源效率的提升免除了笨重的散热器，因此缩减了电源尺寸。通过免除二极管桥中固有的两个二极管压降......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
置有两种模式：
▸导通模式：在进入导通模式之前，源极电压低于漏极电压，电荷泵和 N 沟道 MOSFET 均被禁用。随着源极电压变得比漏极电压大，正向电流流过 N 沟道 MOSFET 的体二极管。一旦此正向压降......
9 种电子电路保护电路介绍，工作原理+电路图，几分钟快速搞定(2024-10-25 21:38:15)
-0.7的恒定电压降。
如果电路需要在非常低的电压下工作，这个时候就需要并联一个二极管，当输入电压反向时，二极管导通，导致保险丝熔断。
注意......
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准(2023-11-30)
器件的多个参数性能均超越同类产品，例如高RDS(on)、良好的温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量SiC MOSFET的开......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
工作栅极电压
推荐的工作栅极驱动电压，是通过考虑性能（如 RDS（ON）、开关损耗（EON、EOFF）、体二极管的正向压降（VF）及其反向恢复损耗（EREC））和可靠性，特别是栅极氧化层质量来确定的。
如表2所示......
两个MOS管背靠背串联，就会组成双向开关(2024-10-07 11:01:50)
是如何实现电流双向流动的？
当USB给电池充电，Q3导通，USB电源通过Q1的体二极管和Q3形成通路，随后Q1和Q2导通，实现了对电池的充电。
......
万用表二极管档怎么用?万用表二极管档原理(2023-02-02)
曾vdx接入电路之后， a点电压由2.782v被箝位到二极管的正向压降vf(硅管为
0 .7v左右,锗管为0.3v左右)，而此时集成电路7106的输入电压变为
vin= (r15／(r14......
详解电机控制中的电压重构(2024-07-26)
空比发生变化；
2、IGBT导通和关断延迟影响：
IGBT硬件本身的开通延迟和关断延迟造成了PWM波占空比发生变化；
3、管压降影响：
IGBT导通管压降和续流二极管管压降造成了PWM波幅......
逆变器非线性在电机中产生的谐波及其补偿方法(2024-01-02)
变器中，各种器件并不是理想的特性。管压降造成的非线性即开关器件的导通压降和反向并联二极管的导通压降造成的输出电压与指令电压不一致的情况。以A相桥臂为例进行分析。图1是三相逆变器中A相桥......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
了碳化硅MOSFET在工作频率和效率方面的巨大优势。
碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。对于相同额定电流为900V的器件，碳化硅MOSFET寄生二极管......
相关企业
;深圳市三佛科技有限公司;;深圳市联信华电子主要经营：MOS管，肖特基二极管，、LDO线性稳压器、、CMOS运放、LED驱动、DC/DC升压降压! 主营品牌：APEC,NCE.CJ,PFC
;台湾强茂电子有限公司;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;强茂电子;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;龙鑫电子有限公司;;我公司主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;深圳威铨电子（台湾强茂）电子有限公司;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;中宝电子（香港）有限公司;;发现号科技有限公司主要为强茂一级代理 强茂股份有限公司强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，高技
;无锡旭茂电子有限公司;;公司成立于2005年7月,专注于半导体二极管:肖特基/快恢复二极管生产销售,以及场效应管销售
;snow;;专业代理二极管，三极管，MOS管
;深圳市欧益电子科技有限公司;;IC。MOS。二极管。三极管
;东莞市鸿润电子有限公司;;东莞市鸿润电子有限公司是一家集生产加工、经销批发的有限责任公司，保险管、开关二极管、稳压二极管、高压二极管、可控哇、快恢复二极管、变速二极管、MOS管、MOS管、碳膜