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用该技术制造出既坚韧又能在高温下运行的透明柔性电路。 研究人员将金属氧化物打印到聚合物上，从而制造柔韧灵活的电路。图片来源：美国科学促进会网站 金属氧化物薄膜是一种重要材料，几乎......
更容易地用“顽固”金属制造高质量的金属氧化物薄膜。这项研究为科学家开发用于量子计算、微电子、传感器和能源催化的下一代新材料铺平了道路。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。 “顽固”金属氧化物......
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学 场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成......
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学 场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成......
可以改善存储和保留电荷的性能，而且增加了能量和功率密度，这要归功于电极材料的独特形态。 下一代电子设备和混动汽车，需要出色的电荷存储设备，才能正常运行。目前，大多数电荷存储设备，由传统的金属硫化物或金属氧化物......
司的首席执行官兼创始人Jawad Haidar博士表示：“以当前价格的一小部分生产高性能纳米线和C-Si纳米复合材料，对储能市场来说具有颠覆性意义。” 这项新专利技术基于Kinaltek的集成工艺，可以利用金属氧化物来一步制造金属材料......
柔性32比特微处理器问世;据英国《自然》杂志21日发表的一项电子学最新进展，英国一个科研团队报告称，他们结合金属氧化物薄膜晶体管和柔性聚酰亚胺，制成了一种柔性32比特微处理器，这一......
薄膜不仅像预期的那样具有导电性，而且比完全由石墨烯制成的薄膜的导电性更强。他们见证了导电性呈指数级增长。 这种新出现的材料行为带来了一种新的高导电涂料解决方案，因为氧化石墨烯是一种廉价且易于大规模生产的纳米材料......
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案;9月17日，日本半导体材料制造商JSR株式会社宣布，将收购总部位于美国俄勒冈州科瓦利斯的Inpria，后者为世界领先的极紫外 (EUV) 光刻金属氧化物......
行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，目前，全球已经开发问世的钠电池正极材料种类众多，主要包括过渡金属氧化物、聚阴离子类化合物、普鲁士蓝类化合物等几大类，其中，过渡金属氧化物又包括层状氧化物、隧道状氧化物两种，研究较多的钠电池正极材料......
成本、易加工、高稳定性以及大面积制造均匀等。然而，传统的非晶氢化硅因电学性能不足而急需探索新材料。 目前非晶P型半导体面临着重大挑战，严重阻碍了新型电子器件研发和大规模N-P互补金属氧化物......
了多种技术路线。接下来，我们将详细介绍其中一种主流的技术路线：层状氧化物+碳基。 01 正极材料——层状过渡金属氧化物目前，钠离子电池正极材料的研发有多条技术路线，主流的有层状过渡金属氧化物、聚阴......
能在室温环境条件下达到这种状态。 “在室温环境下表现出超离子传导的氢负离子导体材料，将为构建全新的全固态氢化物电池、燃料电池和电化学转化池提供巨大的机遇。”陈萍介绍。 氢负离子具有强还原性和高氧化......
其在未来继续按照摩尔定律的节奏微缩下去： • 过渡金属二硫属化物（TMD, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特......
让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物......
其在未来继续按照摩尔定律的节奏微缩下去：●过渡金属二硫属化物（TMD, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管; 二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
管及电子器件测试 纳米线（Nano Wire）为一种横向上被限制在100纳米以下（纵向没有限制）的一维材料。根据组成材料的不同，纳米线可分金属纳米线，半导体纳米线和绝缘体纳米线。作为纳米材料的一种，纳米线具备上文概述的纳米材料......
委员会及其成员国发布主题为“人工智能欧洲造”的《人工智能协调计划》。 1964年，斯坦福大学的研究人员发现他们可以操纵某些被称为金属氧化物的材料，以打开和关闭其导电能力。这很重要，因为材料......
-Essonnes）工厂制造。量产将于2023年下半年启动。 缩略语： BCDBipolar-CMOS-DMOS CMOS互补金属氧化物半导体 DTI深槽隔离 EDA电子设计自动化 SOI绝缘......
的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。 据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展;近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物......
管是集成电路的核心器件，最初的晶体管是双极型结构，后来金属氧化物半导体器件诞生，成为主流集成电路器件结构。现在，平面的金属氧化物半导体器件结构变为三维的鳍形栅结构，并正向环形栅方向发展。 每一......
承担单位为费勉仪器科技（上海）有限公司； “新型柔性存储器及存算一体技术研究”，项目承担单位为复旦大学； “基于有机无机杂化金属氧化物的EUV光刻胶干法制备关键技术研究”，项目......
TheElec，SK Hynix 计划在第 6 代（1c 工艺，约 10nm）DRAM 的生产中使用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是 MOR 首次应用于 DRAM 量产工艺。 消息......
半年启动。 缩略语： BCD       Bipolar-CMOS-DMOS CMOS    互补金属氧化物半导体 DTI         深槽隔离 EDA       电子设计自动化 SOI......
语：BCD     Bipolar-CMOS-DMOSCMOS    互补金属氧化物半导体DTI     深槽隔离EDA     电子设计自动化SOI     绝缘体上硅SONOS   硅-氧化物-氮化物......
基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计;近些年，加速度计因其体积小、功耗低、易于与互补金属氧化物半导体晶体管集成电路（CMOS IC）整合而受到持续关注。目前已经开发了电容、压阻......
卫生组织、美国国家科学院/国家研究理事会（NAS/NRC）等机构一直强调TVOC是一类重要的空气污染物。中科微感推出高性能TVOC传感器 中科微感近期推出了新一代MEMS基金属氧化物半导体原理的TVOC传感......
卫生组织、美国国家科学院/国家研究理事会（NAS/NRC）等机构一直强调TVOC是一类重要的空气污染物。中科微感推出高性能TVOC传感器 中科微感近期推出了新一代MEMS基金属氧化物半导体原理的TVOC传感......
种型号和尺寸，可根据装置要求自由配置能量，自放电速率低，每月损失大约5-10%能量等优势，但存在电池寿命不够、内阻高、安全问题等缺点。 对此，张久俊指出，可以通过研究新型纳米材料，提高循环寿命，减少......
组合。 研究人员表示，他们创造的晶体管可用于制造高性能和低功耗互补金属氧化物半导体逆变器电路。未来，他们的设备可以大规模制造，用于开发低功耗的逻辑电路和微芯片。 值得一提的是，除了......
锂电池的各方面的表现都与整车性能息息相关。那么新能源汽车锂电池包使用的是什么材料?新能源汽车电池的材料有超导材料、太阳能电池材料、储氢材料、固体氧化物电池材料智能材料、磁性材料、纳米材料等。新能......
，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且有着成熟和稳定的特点。台积电称，2 纳米制程在良品率和元件效能进展良好，将如期于 2025 年量产。台积......
, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物......
, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物......
热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子......
年中，还将继续扩大产线，形成规模化量产。 目前，宁德时代主要针对正极材料以及无负极活性材料技术展开研发，其中，正极材料路线对目前主流的三类技术：层状金属氧化物、聚阴......
寿命短，一般在600-800次。               液态锂离子电池的四大核心材料构成      而现在，把电解质从液态变为固态，命名就更靠近电解质了。           固态电池正极通常由锂过渡金属氧化物......
术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成电路(IC)。 例如，基于SuperQ的......
原子水平的科学和工程实现，SuperQ提供了创纪录的单位面积电阻(RSP)。 该技术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘......
发展化合物半导体 提升砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制造能力、产能和化合物半导体芯片生产线良品率，发展激光器芯片、光电器件等产品。研发氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料，推动功率半导体生产企业开发大功率碳化硅金属氧化物......
基美电子推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列;基美电子（KEMET），推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列。这些产品系列补充了该公司现有的电路保护解决方案，并可......
详细介绍了。 02 压敏电阻 压敏电阻，通常都是金属氧化物可变电阻，其电阻材料是氧化锌颗粒和陶瓷颗粒混合后一起烧结成型。 MOV的特性就是当电压超过一定阈值的时候，电阻迅速下降，可以通过大电流，因此......
全类型电阻介绍(2024-11-05 20:55:19)
膜电阻可以说是性能比较好的电阻，精度高，可以做E192系列，然后温度特性好，噪声低，更加稳定。 Metal film resistor  金属氧化物......
（IGZO）为代表的非晶氧化物半导体具有极佳的综合性能，是后道兼容逻辑器件与存储器件的主要候选材料。 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心吴燕庆研究员-黄如院士团队在过去五年中面向单片三维集成中的半导体材料......
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列;Microsemi宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V......
的光罩检测工作已经按计划开始进行。因此，英特尔无需做太多辅助支援工作即可将其投入生产。 另外，Mark Phillips还被问到了关于CAR（化学放大抗蚀剂）与金属氧化物抗蚀剂的问题。据其介绍，CAR目前......
应用中采用一种浪涌保护器(SPD)来抑制浪涌能量并最大限度地减少对照明设备的浪涌冲击。 对于SPD，有多种过电压保护元件可用，包括金属氧化物压敏电阻(MOV)、气体放电管(GDT)和瞬态电压抑制(TVS)二极管。这些......
栅极和接触层加工技术。 在硅自旋量子比特中，信息(0/1)被编码在单个电子的自旋(上/下)中。 硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑......

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的质量控制体系保证了赛恩思（SCI）珠光颜料和纳米材料卓越的品质。 赛恩思（SCI）珠光颜料有银白、虹彩、金色、着色、幻彩、云母铁金属、水晶、钻石珑、超强耐候八大系列。品种多、品质优、色谱全；具有珍珠般的光泽、安全
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;杭州万景新材料有限公司;;杭州万景新材料有限公司是从事纳米产品、新材料生产经营的高科技企业。公司主要从事纳米 和新材料开发生产。公司已经取得了多项开发成果，研制开发了部分在国际、国内领先的纳米材料
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;明天纳米科技有限公司;;东莞市明天纳米科技有限公司，是一家专业从事纳米材料研究与生产的高科技企业；本企业投资1000多万元，占地12亩，员工50余人。 2005年，华南理工大学与企业创始人合作成立专门的纳米材料
上海水田材料科技有限公司
科技有限公司热诚欢迎各界朋友前来参观、考察、洽谈业务。主营纳米单质;纳米氧化物;纳米氮化物;纳米碳化物;结构陶瓷;功能器件;高纯靶材;
浙 江杭州万景新材料有限公司
;浙 江杭州万景新材料有限公司;;现生产的产品有：纳米二氧化钛系列粉体、纳米二氧化钛系列液体、纳米二氧化硅粉体和液体系列、纳米抗菌剂系列、纳米氧化锌系列、纳米氧化铝系列、纳米ATO、纳米氧化锆、纳米
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于一体，汇集中国、韩国、日本一大批顶尖的科研人员和优秀的管理团队,靠自主创新,自行研制、生产0.02nm - 20nm的Au、Ag、Pt、Cu粉体、胶体、溶液和SnO、Tio2、ITO、ATO等纳米金属氧化物
广州有色金属研究院稀有所销售部
％－99.999％）。稀土纳米氧化物，及稀土金属等。我们有30年稀土生产经验，在这些年中我们一直推崇客户至上。信誉至上的原则。产品通过了ISO9000质量验证。如有需要请和我们联系。
西安东太科技实业有限公司
（不同于PTC及NTC热敏电阻）。其性能达到甚至超过同类进口产品。它是以氧化锌（ZnO）为基料配以其他少量多种金属氧化物，用制备陶瓷的工艺制造而成（比普通制陶工艺更为复杂）。比一些碳基功率电阻材料