资讯
十铨发布新款MicroSDXC和SDXC存储卡(2023-09-18)
HD影像拍摄与相片连拍。
TEAMGROUP PRO+ SDXC 存储卡为超规格存储卡，符合 UHS 速度等级U3和影片速度等级V30，搭配专业读卡器读写效能可超过一般UHS-I标准......
新品上市 高能进阶，畅酷体验，铠侠NVMe 固态硬盘系列新成员上线(2023-12-12 09:44)
技术以及产品性能的独有优势，不断升级存储技术，为广大游戏玩家提供高性能高颜值的存储产品，满足游戏玩家的全方位存储需求，拥抱存储新时代！
EXCERIA PLUS G3 SSD：顺序读写速度......
东芝首发15nm eMMC闪存：速度飙升140%！(2016-10-27)
-MMC（JEDEC版本5.1）和UFS（JEDEC版本2.1）提供了强大的集成控制器技术，可提供显著的读写速度改进。
与原来的NAND闪存解决方案相比，e-MMC和UFS将NAND闪存......
立足优势 持续领先：KIOXIA铠侠新一代UFS嵌入式闪存器件已批量交货(2022-12-08)
-MMC标准规范研发的一种嵌入式存储产品的产品种类。
*6 性能比较依据是e-MMC v5.1和UFS v4.0 JEDEC规范。读写速度可能因主机设备、读写......
立足优势 持续领先：KIOXIA铠侠新一代UFS嵌入式闪存器件已批量交货(2022-12-08)
的包含集成控制器的非易失性闪存设备，它开发用作嵌入式存储器解决方案的e-MMC*5高性能替代品。相较于本身性能不俗的e-MMC，UFS依然具备诸多亮眼的优势：更快的接口、更高和更稳定的读写性能、更优越的能效，以及支持全双工运行。根据接口速度......
立足优势 持续领先：KIOXIA铠侠新一代UFS嵌入式闪存器件已批量交货(2022-12-09 09:46)
的包含集成控制器的非易失性闪存设备，它开发用作嵌入式存储器解决方案的e-MMC*5高性能替代品。相较于本身性能不俗的e-MMC，UFS依然具备诸多亮眼的优势：更快的接口、更高和更稳定的读写性能、更优越的能效，以及支持全双工运行。根据接口速度......
佰维EP400 BGA SSD：引领智能终端存储PCIe 4.0时代(2022-02-28)
BGA SSD搭配PCIe Gen4x2接口，NVMe 1.4协议，单颗最大容量为1TB，而尺寸仅为11.5x13（mm），最大顺序读写速度分别达到3500MB/s、3300MB/s。
在半导体存储器......
内存市场迎来二十五年重要革命，LPCAMM2标准成功商用(2024-01-22)
计算机的进步越来越依赖着内存技术。
1977年，约翰·巴科斯在1977年ACM图灵奖得奖致词时提到了冯·诺伊曼瓶颈，既CPU将会在资料输入或输出存储器时闲置，由于CPU速度远大于存储器读写速率，因此......
内存市场迎来二十五年重要革命，LPCAMM2标准成功商用(2024-01-22 15:16)
计算机的进步越来越依赖着内存技术。1977年，约翰·巴科斯在1977年ACM图灵奖得奖致词时提到了冯·诺伊曼瓶颈，既CPU将会在资料输入或输出存储器时闲置，由于CPU速度远大于存储器读写速率，因此......
铠侠推出第二代UFS 4．0嵌入式闪存设备(2023-06-15 16:18)
比特 = 1,099,511,627,776比特。• 读写速度是铠侠株式会社在特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证单个器件的读写速度。读写速度......
stm32f103 flash模拟eeprom(2024-08-19)
同于Flash存储器的主要特点是可以对单个字节进行随机读写操作。而STM32F103的Flash存储器是一种基于NOR Flash技术的存储器，具有较大的存储容量和较快的读写速度。
Flash存储器......
关系型和非关系型数据库一定要对立？达梦数据提供新思路(2022-12-22)
新云数据库（For Redis）DMNCDB，深度兼容原生Redis的Key-Value数据库，再度引领产业发展潮流。
根据全球知名的数据库流行度排行榜网站DB-Engines 发布的数据库流行度排行榜（2022年7......
三星电子宣布开发出其首款基于第八代 V-NAND 的车载 SSD(2024-09-24)
前代产品 AM991 能效提高约 50%，顺序读写速度分别达到了 4,400MB/s 和 400MB/s。
三星半导体基于第八代 V-NAND 技术的车载 SSD AM9C1
三星电子副总裁兼存储器......
带你认识存储器前沿技术的ReRAM(2016-11-25)
来头？
MB85AS4MT是富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM存储器产品。
ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器，它可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时具备 更低......
佰维EP400 BGA SSD：引领智能终端存储PCIe 4.0时代(2022-02-25)
4.0 BGA SSD搭配PCIe Gen4x2接口，NVMe 1.4协议，单颗最大容量为1TB，而尺寸仅为11.5x13（mm），最大顺序读写速度分别达到3500MB/s、3300MB......
富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品(2016-11-08)
品为富士通半导体与松下电器半导体（注2）合作开发的首款ReRAM存储器产品。
ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器，此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时具备更低的功耗及更快的读写速度......
铠侠推出第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备(2023-06-16)
继续推动通用闪存(1)（UFS）技术的发展，全球存储器解决方案的领导者铠侠株式会社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备已开始送样(2)。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度，适用......
BGA SSD家族系列，小尺寸、大容量、高可靠、应用广！(2021-12-29)
×13mm，与eMMC/UFS 保持完全一致，而容量最大可达到1TB。
2、高性能、低功耗：佰维E009采用PCIe Gen3接口规范、NVMe协议，实现跨平台兼容，最高顺序读写速度......
铠侠推出第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备(2023-06-15)
^30字节 = 1,073,741,824字节；1Tb = 2^40比特 = 1,099,511,627,776比特。
• 读写速度是铠侠株式会社在特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证单个器件的读写速度......
炬芯科技上榜2024 中国IC设计Fabless 100 排行榜之TOP 10无线连接公司(2024-04-18)
炬芯科技上榜2024 中国IC设计Fabless 100 排行榜之TOP 10无线连接公司;
由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的2024国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）在上......
一文了解新型存储技术(2023-01-03)
材料可同时用于电容器和CMOS集成电路栅氧化层的数据存储。
FRAM技术具有读写速度快、寿命长、功耗低、可靠性高的特点，凭借诸多特性，正在成为存储器未来发展方向之一。而FRAM产品......
一文了解新型存储技术(2023-01-04)
一文了解新型存储技术;在当前主流的存储器技术中，DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NAND Flash读写速度低，存储密度明显受限于工艺制程。
为了......
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？(2022-12-02)
积电的合作成功奠定了RRAM在汽车领域的基础，并使其Autrix系列微控制器具有更广泛的供应基础。
在新型存储器中，RRAM不仅满足高读写速度和存储密度的要求，同时延迟可降低1000倍，可满......
别光想着省钱！32GB iPhone 7读写速度太低(2016-10-11)
别光想着省钱！32GB iPhone 7读写速度太低;曾有业内人士多次表示，如果今年购买新款iPhone，最好避开存储容量为32GB的iPhone 7和iPhone 7 Plus，多花100美元购买存储......
铠侠发布 2TB microSDXC 存储卡(2023-12-21 09:54)
1,000,000 bytes/s计算。这些数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证在个别设备中的读写速度。读写速度可能取决于所使用的设备和所读取或写入的文件大小。写入速度低于读取速度......
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？(2022-12-04)
微控制器具有更广泛的供应基础。
在新型存储器中，RRAM不仅满足高读写速度和存储密度的要求，同时延迟可降低1000倍，可满足未来智能驾驶高实时数据吞吐量。安全性方面，RRAM具备可靠性，未来......
工作温度横跨400度！工研院VLSI发表世界顶尖“磁性存储器”技术(2022-06-16)
技术领先群。
制程微缩是在半导体先进制程的重要趋势，其中磁阻式随机存取存储器（MRAM）具有可微缩至22纳米以下的潜力，并拥有高读写速度、低耗电，断电后仍可保持资料特性，特别适用于嵌入式存储器......
SK 海力士将参展 CES 2023，展示 PCIe 5.0 SSD PS101(2022-12-29)
士的 176 层 4D NAND 结合而成的模组产品，支持 PCIe 第五代 (Gen 5) 标准。
与上一代相比，读写速度分别最高提升了 130% 和 49%。另外，该产品具备改善 75% 以上......
起死回生的NOR闪存容量开始变大(2023-01-07)
容量的需求推到了一个新高度。在5G基站中，一般要选择1Gb或更高容量的NOR闪存，读写速度要更快，至少支持四通道串行接口（4通道SPI）,最好支持8通道SPI接口，而且......
国产铁电存储器PB52RS2MC在车载电子控制系统中的应用(2024-03-22)
过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，该芯片不需要电池就可以保持数据。
2、PB85RS2MC具有读写速度快（最高100万次）、写入寿命长、写入耗能小等优点。
3、PB85RS2MC最低功耗9微安（待机......
铠侠发布2TB microSDXC存储卡(2023-12-20)
数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证在个别设备中的读写速度。读写速度可能取决于所使用的设备和所读取或写入的文件大小。写入速度低于读取速度。传统SD接口的数据传输速度低于UHS-I接口的速度。
[3] 速度......
ST 4Mbit EEPROM存储芯片，让小型设备也能处理更多用户数据(2019-11-25)
ST 4Mbit EEPROM存储芯片，让小型设备也能处理更多用户数据;半导体供应商意法半导体推出了新一代存储器芯片，集前所未有的存储容量与读写速度和可靠性于一身，新产......
《黑神话：悟空》走红，两类半导体产品爆火出圈(2024-08-28)
UDIMM RGB电竞游戏版双条容量可达32GB（16GBx2）避免酣战时出现卡顿、掉线等问题；S7000顺序读写速度分别高达7400MB/s、6600MB/s，具备4TB海量存储；S7000 Pro......
《黑神话：悟空》走红，两类半导体产品爆火出圈(2024-09-02)
配置要求内存为16GB RAM，此外该款游戏还需要至少130GB的存储空间，用于存放游戏的主体文件、更新补丁、以及可能产生的临时文件或缓存数据。
与HDD（机械硬盘）相比，SSD（固态硬盘）具备更快的读写速度、更低......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-11)
效率方面是一个显著优势。FTJ即基于隧穿结的铁电存储器，目前主要处于前沿研究阶段。FTJ面临的主要挑战是其较小的读电流，这限制了其速度潜力。尽管如此，FTJ在神经形态计算等低功耗应用中显示出巨大潜力。
铁电存储......
三星/华为争首发！全新手机存储技术UFS 2.1浮现(2016-10-11)
的重要部件。毕竟闪存决定着手机读写数据的速度，手机闪存读写速度越快，手机安装或者启动APP以及存放文件的速度也就越快。
手机的闪存的内部构造与U盘和SSD的差异不太，同样具备了NAND（存储......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-13)
要系统性的优化。尽管FeFET器件在读写速度和功耗方面具有显著优势，但其耐久性问题一直是制约其广泛应用的主要障碍。团队在这方面发现FeFET耐久性问题的核心原因就是因为它在界面处写操作的时候，电场非常的高，可以......
这家存储大厂推出P3 Plus PCIe 4.0 SSD(2022-09-17)
、2TB、4TB四种容量版本，其中500GB容量的顺序读写速度分别可达4700MB/s，1900MB/s;1TB容量的顺序读写速度分别可达5000MB/s，3600MB/s;2TB容量的顺序读写速度......
铠侠正式发布业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存(2024-01-31)
1,000,000字节/秒计算。读写速度是铠侠株式会社在特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证单个器件的读写速度。读写速度可能会因使用的器件和读取或写入的文件大小而异。
* 在每次提及铠侠产品：产品......
铠侠正式发布业界首款车载UFS 4．0嵌入式闪存(2024-02-01 10:19)
。读写速度可能会因使用的器件和读取或写入的文件大小而异。* 在每次提及铠侠产品：产品密度是根据产品内的内存芯片密度来确定的，而不是最终用户可用于数据存储的内存容量。消费......
铠侠正式发布业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存(2024-01-31)
“THGJFGT2T85BAB5”相比。
(6) 铠侠的首批样品已从2013年2月8日开始出货。
(7) 由汽车电子协会(AEC)定义的电气组件资格要求。
* MB/s按1,000,000字节/秒计算。读写速度......
寄存器，存储器，RAM，ROM有什么区别？(2023-03-14)
最快，但数据在断电后会丢失。
存储器容量比寄存器大，读写速度慢，但数据可以持久保存。
RAM可以读写数据，但数据在断电后会丢失；
ROM只能读取数据，数据可以长期保存。
它们的特性不同，在计......
固态硬盘VS机械硬盘：二者差异究竟有多大？(2024-07-17)
作为精密设备，尘埃是其大敌，所以进入硬盘的空气必须过滤。
固态硬盘优势
1、读写速度快：采用闪存作为存储介质，读取速度相对机械硬盘更快。固态硬盘不用磁头，寻道时间几乎为0。
持续写入的速度......
内存又大又便宜 谁还需要用硬盘(2016-11-24)
盘的寻道时间通常是毫秒级的，也就是说存储器比硬盘的读写速度快了约一百万倍。不过RAM的传输速度并没有比磁盘快出那么多：RAM一般每秒传输几G，而速度快一些的磁盘也能达到每秒百M。但不管怎么说，RAM的传输速度......
铠侠推出第八代BiCS FLASHTM QLC闪存，为业界带来领先的2Tb最大容量(2024-07-05 09:50)
阵列）（3）技术，以提供更高的位密度和业界领先的接口速度（3.6Gbps（4））。这些先进技术的应用，共同促成了2Tb QLC存储器的诞生，成就了业界容量最大的存储器。全新的第八代BiCS......
NAND Flash 大降价，固态硬盘取代机械硬盘指日可待(2023-03-23)
硬盘与机械硬盘价格差异不大，且固态硬盘有性能优势。因此对于小容量存储，固态硬盘更加合适。
2、由于目前大多数消费级固态硬盘顺序读写速度是在“缓存模式”下测试的，因此在选购硬盘时可以不将“顺序读写速度......
基于AT45DB161B存储器和PIC16LC73B单片机实现微型压力测量装置设计(2023-05-31)
所示。
3、存储器读写接口
3.1 SPI接口及操作模式
AT45DB161B存储器采用SPI接口进行读写。SPI接口是一种通用串行接口总线，字长为8位，用来与外部设备（例如EEPROM、A/D转换......
铠侠推出第八代BiCS FLASHTM QLC闪存，为业界带来领先的2Tb最大容量(2024-07-04)
=1,073,741,824字节。1Tb=2^40位=1,099,511,627,776位。* 这些数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证在个别设备中的读写速度。读写速度......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-11)
是测量器件在不同栅极电压下的电流-电压特性，以评估其开关特性和阈值电压。读写速度测试，用来评估FeFET在实际工作条件下的响应速度。耐久性测试通过反复进行编程和擦写操作，评估器件的长期稳定性和可靠性。保持性测试测量器件在无电源条件下保持存储......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-12 09:20)
估其开关特性和阈值电压。读写速度测试，用来评估FeFET在实际工作条件下的响应速度。耐久性测试通过反复进行编程和擦写操作，评估器件的长期稳定性和可靠性。保持性测试测量器件在无电源条件下保持存储状态的能力。阵列读写......
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百兆芯片类似NAS千兆芯片，以每秒10-11MB的网络读写速度运行。 •NDAS技术比NAS技术更加安全，使用更加方便，速度更加迅速稳定。 千兆网络芯片:NDAS3011 停产 :NDAS3012 生产
，AUTORUN自动播放； 8、读写速度快：USB2.0 写入速度：4～8MB／s 读取速度：8～12MB／s； 9、数据存储持久稳定，根据存储介质不同，最高使用的次数达10万次。 10
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《犹他州商业杂志》评为最受欢迎的公司。 2004年，被《商业周刊》（Business Week）评为100家增长最迅速公司排行榜之第9位。 2005年，被《商业周刊》（Business Week）评为
;珠海市鉴磁电子有限公司;;珠海市鉴磁电子有限公司成立于2001年,拥有全套美国和日本进口的磁头生产高精密设备,专业制造各种系列磁头：ATM磁头，ISO/JIS 标准磁卡器读写磁头，MICR磁头
产品同时拥有随机存取记忆体（RAM）和非易失性存储产品的特性。产品的主要特点如下： • 擦写次数多，至少达到100亿次； • 速度快，没有写等待时间； • 读写速度一致，也就是说它的写速度
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