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要更高的主频时就需要如下配置。 在else里面最开头添加：   /* Enable Prefetch Buffer */   FLASH->ACR |= FLASH_ACR_PRFTBE;   /* Flash 2......
Prefetch Buffer */     FLASH->ACR |= FLASH_ACR_PRFTBE;     /* Flash 2 wait state */     FLASH->......
实现了高Q。Q越高ACR越低，这样可以获得较高的电源效率。 图3 : 新磁性材料的特点 PFM的Hi-Q特性的效果 小型电池驱动的可穿戴设备要求小功率，所以电源驱动方式使用PFM(Pulse......
；5、RCC->CFGR|=1<<16;  选择HSE作    为PLL输入；6、FLASH->ACR|=0x32;   FLASH 2个延迟周期7、RCC->CR......
发现刺激脉冲宽度和脉冲频率对人类感受到的触觉强度影响具有系统性和协同性，人造触觉会让截肢者们有自己完整的手臂皮肤上产生了触摸凹痕的错觉。我们从刺激参数中，发现了一个量级，我们将它命名为激活率（ACR......
是简约项目的简介： 芯带科技（无锡）有限公司 芯带科技（无锡）有限公司于2021年9月成立，已研发并量产ACR2000、ACR3000芯片及后续ACR系列芯片，为5G和Wi-Fi双标基带SoC......
 */     FLASH->ACR |= FLASH_ACR_PRFTBE;    /* Flash 2 wait state */     FLASH->ACR &......
制造商阿斯麦（ASML）沟通”，工作地点就在美光总部美国爱达荷州。美光已开始生产第3代10纳米级（1z）DRAM存储器，预计2021上半年开始大量生产第4代10纳米级（1a）DRAM存储器。 与竞......
SK海力士率先推出第6代10纳米DRAM产品; 【导读】据BusinessKorea报道，SK海力士宣布将在今年第三季度开始量产其第6代（1c）10纳米级DRAM，领先于三星电子，三星......
英特尔迎接10纳米处理器，部分14纳米产品逐步淘汰;处理器龙头英特尔即将推出第12代Core-i系列移动处理器，一些用于移动平台的旧款处理器也面临淘汰命运。即便英特尔处理器产品线全面进入10纳米......
种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。 另据《首尔经济日报》报道，业界认为三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，将有望在第 10 代 430 层的 3D NAND 中采取三层堆栈架构。该报援引业内人士称，若......
种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。 另据《首尔经济日报》报道，业界认为三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，将有望在第 10 代 430 层的 3D NAND 中采......
美光宣布推出适用于数据中心的DDR5存储器;当地时间11月10日，美光宣布推出适用于数据中心的DDR5存储器，该存储器已针对新的AMD EPYC™ 9004系列处理器进行了验证。随着......
- MCO[2:0] - USBPRE PLLMUL[3:0] PLLXTPRE PLLSRC 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0......
于2022年12月首次获得能生产第8代工厂所需的大型FMM的“FPS10 Evo”设备的订单，计划在2024年10一12月为客户交货;另外蒸镀设备厂商预计将在2024年陆续向面板厂交付第8代OLED蒸镀......
现堆叠多达1000层的愿景。当时，业内专家猜测，在第9代3D NAND之后，三星可能会在第10代430层产品中采用三重堆叠技术。 韩国业内人士一致认为，如果......
密度相比第8代V-NAND提高了约50%。功耗方面，与上一代相比，第9代V-NAND通过低功耗设计的进步，功耗也降低了10%。 三星电子存储业务产品和技术主管SungHoi Hur表示，通过最新的V......
%。功耗方面，与上一代相比，第9代V-NAND通过低功耗设计的进步，功耗也降低了10%。 三星电子业务产品和技术主管SungHoi Hur表示，通过最新的V-NAND，三星将继续引领高性能、高密度SSD......
一代相比，通过低功耗设计的进步，功耗也降低了 10%。 随着减少能源使用和碳排放对客户变得至关重要，三星的第 9 代 V-NAND 有望成为未来应用的最佳解决方案。 三星已于本月开始量产 1Tb TLC......
设备甚至已完成拆解工作。 此外，显示还在筹备出售额外的第8代LCD设备，但市场需求尚不明朗。鉴于多家中国面板制造商已投入运营比第8代生产线更具成本效益的第10代生产线，市场对第8代LCD设备的需求情况仍待观察。 ......
机实现双闭环控制、无环流逻辑控制、触发脉冲的形成及相位控制，如图1所示。图1中，ASR为速度环，ACR为电流环，DLC为无环流逻辑控制器，GT为触发脉冲，TA为电压互感器，TG为测速发电机，M为直......
块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) 技术，带来出色的效能表现，有助于降低系统成本并简化设计。在用于 150 千瓦......
Altera推出10代FPGA和SoC;Altera公司今天宣布推出10代FPGA和SoC (芯片系统)，帮助系统开发人员在性能和功效上实现了突破。10代器......
国内首条第8.6代AMOLED产线落地：京东方、成都合作; 1月10日消息，据“成都高新”官方公众号介绍，今天，京东方第8.6代生产线项目正式签约落地成都高新区。 作为国内首条、全球......
LCD设备，但需求尚不确定。目前还不清楚市场是否会有对第8代LCD设备的需求，因为几家中国面板制造商已经在运营比第8代生产线更具成本效益的第10代生产线。 一位......
+++时代再见！英特尔宣布末代14纳米Rocket Lake-S CPU停产时间;外媒报导，处理器大厂英特尔上周向合作伙伴宣布，停止生产第11代Rocket Lake-S CPU，2024年2月23......
式感应技术。与前几代 CAPSENSE™ 相比，英飞凌的第 5 代 CAPSENSE™ 技术可提供 10 倍的 SNR（信噪比）性能，同时将功耗降低 10 倍。 通过软件和封装兼容性，利用先进的第 5......
创新将有助于推动三星创建超过 1000 层的 3D NAND。消息显示，未来的第10代V-NAND技术将可能达到 430层芯片。 值得一提的是，今年8月初，SK海力......
容量为1000kVA 的变压器。综合考虑到变压器的初期投资成本和运行成本，以及国家节能减排政策要求，为此选用低损耗全密封油浸式变压器S13-M-1000/10-0.4，它的主要技术参数如表 2 所示......
三星 990 PRO SSD 4TB 上架，首发 2299 元;IT之家 10 月 7 日消息， 990 PRO 4TB 版现已上架开启预售，首发到手价 2299 元，10 月 11 日开卖。本文......
三大存储器厂都开始准备抢攻商机。 其中，韩国SK海力士已经在2020年的10月6日首次公开发表DDR5 DRAM，而竞争对手三星则是预计自2021年开始量产第4代10纳米级的DDR5和LPDDR5。 至于，美商......
芝奇为Intel Z790平台推出多款极速超频内存 规格高达DDR5-7800 2x16GB; 2022年10月20日 – 世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际再度将DDR5超频......
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT......
绍，三个主厂房预计10月前封顶，将比原计划提早完成。 此前京东方科技集团董事长陈炎顺表示，第8.6代AMOLED生产线项目的建成，将成为全球技术最先进、产能最大的中尺寸OLED显示......
4TB！三星电子推出990 PRO系列SSD，预计10月进入中国市场;2023年9月6日，三星电子宣布推出固态硬盘990 PRO系列4TB( 万亿字节 )产品。预计将于10月正......
研华推出全新13代Intel平台工业主板AIMB-508;全球嵌入式物联网方案提供商科技欣然推出AIMB-508这款具有丰富I/O的MicroATX，它搭载全新第12代/13代Intel® Core......
研华推出全新13代Intel平台工业主板AIMB-508，助力产业效能升级！; 全球嵌入式物联网方案提供商研华科技欣然推出AIMB-508这款具有丰富I/O的MicroATX工业主板，它搭......
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255Wh/kg，据称整车续航最高超1000公里。 那么装载顶流”圆柱电池的电车，续航轻轻松松就能1000公里。 6C则是指在10分钟以内，实现电池剩余电量达到80%。6C+快充有多快？或许......
意法半导体第3代SiC碳化硅功率模块，这品牌用上了？;现代-起亚集团的 E-GMP 纯电平台以 800V 高电压架构、高功率充电备受肯定，原先 E-GMP 平台在后马达 Inverter 逆变......
新品发布！研华3.5”单板电脑 MIO-5377，基于12/13代Intel Core，机器人应用理想之选;新品发布！研华3.5”单板电脑 MIO-5377，基于12/13代Intel Core......
普及 100TB SSD，消息称三星明年推出第 10 代 NAND：三重堆叠技术，最高 430 层;4 月 28 日消息，三星半导体日前宣布量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品，位密......
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器 •【可选用法】英特尔® 酷睿™ Ultra处理器（第1代） •【可选用法】英特尔® 酷睿™ Ultra第1代处理器 问题3：Raptor Lake U/HX/S 系列升级款和 Meteor Lake......
光电的这一项目自启动以来，其量产时间已宣布推迟两次。去年10月，和辉光电发布公告称，将项目达到预定可使用状态的时间由2023年调整为2024年12月。但此次却再次在即将到期日宣布项目延期。 资料显示，和辉......
。AIMB-208采用Intel全新12/13代Core I桌面级处理器，性能较上一代至少提升了1.8倍。 2023年10月 ，嵌入......
Mehrotra表示，美光愿意与日本公司合作开发第5代10纳米级的DRAM生产技术。事实上，美光已经于6月初的Computex 2021活动中宣布，已开始量产全球首批第4代10纳米级的DRAM。 目前......
产区主要负责生产128层堆叠的第6代V-NAND。据悉，该设备将停产至少一个月，但可能会延长至2023年下半年。 据电子时报报道，为了......
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