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外部电阻调整过压和欠压比较器门限，提供最大灵活性。 MAX16127对于过压和热关断故障采取限制模式故障管理，MAX16126则在过压和热关断条件下采用开关模式故障管理。限制模式下，系统发生故障时将限制输出电压并触发/FLAG......
它更适合电机驱动应用？ 首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。 关断损耗 IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐渐消失，从而......
骤。 IGBT电路的意义 IGBT有源钳位的核心是检测Vgc压降，通过延缓IGBT关断，限制因为高di/dt引起的电压尖峰。 （1）有源钳位电路设计要点是在正常工作条件下尽量不参与动作，从而减少关断......
汽车ECU诊断Debounce算法介绍;Debounce算法 故障诊断步骤是先进行故障检测，即根据前提条件和判断条件实时监控，判断是否有潜在的故障。通常采用4个状态（PREPASSED、PASSED......
组成部分 根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗包括导通和关断损耗。准确......
/ADuM3301隔离器具有已取得专利的刷新特性，可确保不存在输入逻辑转换时及上电/关断条件下的直流正确性。 与ADuM1300/ADuM1301隔离器相比，ADuM3300/ADuM3301隔离......
器具有已取得专利的刷新特性，可确保不存在输入逻辑转换时及上电/关断条件下的直流正确性。......
中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。 东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东......
极电容、栅极-集电极电容和集电极-发射极电容。其中门极与集电极（or漏极）之间的电容就是米勒电容，又叫转移电容，即下图中的C2、C5。 IGBT的寄生电容 在IGBT桥式应用中，如果关断......
器件的短路耐受时间也有较大的不同，因此对于IGBT保护电路而言，通常建议内建多于额定短路耐受时间的额外裕量。 IGBT过流保护 无论出于财产损失还是安全方面的考量，针对过流条件的IGBT保护......
（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值）[5]，比GT50JR22......
器具有已取得专利的刷新特性，可确保不存在输入逻辑转换时及上电/关断条件下的直流正确性。 ADuM1200W和ADuM1201W均为汽车应用级产品，已通过AEC-Q100认证，工作温度可达125 ℃。 更多详情参见“汽车......
入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正......
，IGBT关断期间T1的峰值电压与RG和IC的关系。底部：TJ=25°C和VDC=300V条件下，当Lσ,total较高（左侧）和较低（右侧）时，二极管恢复期间D2的dv/dtmax与RG和IF的关......
一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i IGBT在关断过程 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。 第一段是按照MOS管关断的特性的 第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体......
的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正......
门极电压超过功率器件的开启电压，将会使已关闭的功率器件出现误开通现象，从而造成直流母线短路。为减少误开通的风险，传统的硅MOSFET和硅IGBT通常在驱动电路中采取构建负电压关断的方法，负压绝对值越高，抑制......
次击穿限制的区域 (该区域会因器件设计而有所不同) ④ 受集电极-发射极最大额定电压限制的区域 2  反向偏置安全工作区 反向偏置安全工作区定义了IGBT关断期间的可用电流和电压条件。 图3......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
电阻的大小影响开关速度，即后边介绍的开通关断时间，进而影响IGBT的开关损耗，datasheet上驱......
的动态性能对比 同样马达驱动的应用中对开关损耗尤为关注，我们选取了在市场上广泛应用的不同厂商 ABCD 产品作为对照，对比Nexperia IGBT 产品 NP100T12P2T3 在不同电流下的开通损耗和关断......
省宝贵的板级空间与成本； ·阈值可编程的热电流返送：可避免热关断条件下的 LED 闪烁。 TPS92602-Q1（适用于汽车前灯）的主要特性与优势： ·业界首款双通道开关 LED 驱动器：每个......
退出饱和区，VCE也随之增大，如果不及时关断IGBT 和 SiC MOSFET，则会导致管子损坏或者使用寿命变短。NSi68515 通过DESAT 引脚检测管子的VCE 电压来判断管子短路和过流，当检......
退出饱和区，VCE也随之增大，如果不及时关断IGBT 和 SiC MOSFET，则会导致管子损坏或者使用寿命变短。NSi68515 通过DESAT 引脚检测管子的VCE 电压来判断管子短路和过流，当检......
；而同样的测试条件下，普通的光耦隔离驱动在30KV/us左右便已经Fail。   NSi68515 短路保护时间快，提高了管子的鲁棒性 当IGBT 和 SiC MOSFET正常开通时，是在......
功耗额定值范围内，同时提供/吸收尽可能高的驱动器电流。从IGBT或MOSFET的角度来看，栅极电阻影响导通和关断期间的电压变化dVCE/dt和电流变化diC/dt。因此，当设计人员选择 IGBT 或......
stations”，electronica 2022 Power Forum） 用于关断的负栅极驱动能力 Si IGBT 或 SiC 逆变器 MOSFET 具有负栅极驱动能力具有三个优势： SiC......
们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC......
IGBT 和 SiC MOSFET在开通过程中，发生过流或者上下管短路的时候，电流便会急剧增大，就会退出饱和区，VCE也随之增大，如果不及时关断IGBT 和 SiC MOSFET，则会......
两种布局在第一阶段显示了相等的di/dt，但V2有一个较高的反向恢复电流峰值，而V1在最后阶段显示了一个较高的反向恢复拖尾电流。这表明两种布局的二极管恢复过程是不同的，而且它直接影响到IGBT的开通损耗和二极管的关断损耗。为了......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;新系列 将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变......
高功率应用而设计，具有高系统效率和可靠性。该驱动器采用SOIC-8封装，具有软关断和故障报告检测功能。此外，该产品还具有低输出阻抗，可用于增强型IGBT驱动，提供3.3V至20V宽输入偏置电压范围和信号电平，以及......
管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提......
退出饱和区，VCE也随之增大，如果不及时关断IGBT 和 SiC MOSFET，则会导致管子损坏或者使用寿命变短。NSi68515 通过DESAT 引脚检测管子的VCE 电压来判断管子短路和过流，当检......
是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压，通常为20V。栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断，其电压不可超过UGE。 3、集电极额定电流IC是IGBT在饱和导通状态下，允许......
动器采用SOIC-8封装，具有软关断和故障报告检测功能。此外，该产品还具有低输出阻抗，可用于增强型IGBT驱动，提供3.3V至20V宽输入偏置电压范围和信号电平，以及高达30V的宽输出偏置电压范围，支持......
动器采用SOIC-8封装，具有软关断和故障报告检测功能。此外，该产品还具有低输出阻抗，可用于增强型IGBT驱动，提供3.3V至20V宽输入偏置电压范围和信号电平，以及高达30V的宽输出偏置电压范围，支持+7A......
可以看出，损耗是否从IGBT转移到FWD取决于相位角。就cosφ=0.8的光伏逆变器的典型运行而言，FWD的损耗要小得多，因此可以选择额定值较小的器件。然而，如果在功率因数cosφ=-1的条件......
 IGBT 内部结构和等效电路 PNP 和 NPN 型的双极性晶体管在导通时，少数载流子和多数载流子参与导电。在同等电压和电流条件下，双极性晶体管的导通压降要低于 MOSFET 的导通压降，后者......
电荷积累，一般取值是10k～100k。 GE之间的稳压管一般取值16～18V，防止栅极出现电压尖峰。 三极管Q1、Q2构成驱动功率推挽放大。IGBT开通时，门极正向电压最佳值为15V±10%;IGBT关断时，最好......
电流隔离，专为高功率应用而设计，具有高系统效率和可靠性。该驱动器采用SOIC-8封装，具有软关断和故障报告检测功能。此外，该产品还具有低输出阻抗，可用于增强型IGBT驱动，提供3.3V至20V宽输......
IGBT;原因在于具有宽禁带、耐高温、耐高压和低损耗的优点，根据行业统计数据，SiC 模块的关断损耗比Si IGBT减小88%，开通损害降低34%，单位面积的导通阻抗更小( 硅IGBT 的1/3~1/5......
之一，即理想的开关可以在导通/关断状态之间瞬间切换。   图1. 价带和导带之间较宽的能量带隙可使SiC在关断状态下成为较好的隔离器，并且能减少MOSFET的厚度 如何改善另外两个理想条件......
： SiC 和IGBT 开通特性对比 开关损耗方面，SiC MOSEFT优势明显，虽然规格书的测试条件有一些差异，但可以看出SiC MOSEFT的开关损耗远小于IGBT......
和IGBT 开通特性对比 开关损耗方面，SiC MOSEFT优势明显，虽然规格书的测试条件有一些差异，但可以看出SiC MOSEFT的开关损耗远小于IGBT。  表2： SiC 和IGBT......
内部集成了退饱和、检测和保护单元，当发生过电流对能快速响应，但慢速关断IGBT，并向外部电路给出故障信号。它输出的正驱动电压为+15V，负驱动电压为-10V。其内部结构方框图如下图所示，它由光电耦合器、接口......
流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断，它由无数单胞并联而成。它与GTR，MOSFET， IGBT，GTO 等器......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效; 【导读】意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件......
所示，是一个62mm半桥模块的寄生电感，约为20nH。 表1 62mm 半桥模块的寄生电感 当IGBT关断时，变化的电流di/dt会在回路寄生电感上产生电压，这个感应电压会叠加在母线电压上，使得......
时重复执行语句，为假时退出循环体。当条件一开始就为假时， 那么 while 后面的循环体（语句或复合语句）将一次都不执行就退出循环。在调试程序时要 注意 while 的判断条件......

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;永康市翔达工具厂;;永康市翔达工具厂位于著名的五金工具之都浙江省永康市，拥有便利的交通条件和生产条件。 专业生产电子工业用的各种电子钳等五金工具。有多种款式的电子如意钳，电子剪钳，电子