资讯
变频器出现漏电问题分析(2023-09-22)
磁电感应的原理，电动机的外壳就会产生感应电动势，此电动势的大小就取决于变频器IGBT的开关频率的大小，由于高性能的控制要求高的开关频率，其开关速度很快，则DV/DT偏大，同时这个感应电动势就偏大，人触......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能源汽车中的应用
IGBT是一种由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点。在新......
电机用了变频器出现漏电是怎么回事?(2024-03-18)
机的三相定子绕组流过电流之后产生了旋转磁场，而根据电磁感应的原理，电动机的外壳就会产生感应电动势。此感应电动势的大小，就取决于变频器IGBT的开关频率的大小和C×DV/DT（与IGBT的开关的速度有关）。如果......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-21)
应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、储能和电动汽车充电电源转换。
新的1200V沟槽型场截止（FS7）IGBT在高开关频率......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。
2. 高速电机
由于拥有高基波频率，这些电机也需要高开关频率......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-21)
和电动汽车充电电源转换。本文引用地址：
新的1200V沟槽型场截止（FS7）IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压，及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率......
安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场(2023-03-23)
型场截止（FS7）IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压，及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率，从而减少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系统成本。对于......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-22 09:21)
阳能逆变器、不间断电源（UPS）、储能和电动汽车充电电源转换。
新的1200V沟槽型场截止（FS7）IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压，及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率......
安森美推出全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(2023-03-21)
断电源（UPS）、储能和电动汽车充电电源转换。
新的1200V沟槽型场截止（FS7）IGBT在高开关频率......
充分利用IGBT的关键在于要知道何时、何地以及如何使用它们(2023-10-16)
和半桥拓扑结构的 开关频率通常在 20 至 50 kHz 之间。
图 2：IGBT用于焊接的全桥、半桥和双管正激拓扑结构
电磁炉
电磁炉的原理是，通过励磁线圈迫使电流在高磁导率材质的锅内循环。然后，逆变......
热泵及其谐波电流解决方案(2023-09-27)
FS3L35R07W2H5_C40两个模块可选，封装如图9，两个模块的区别是C56是焊接版本，C40是压接版本，其他参数都一样。模块内部IGBT采用35A的H5，可支持开关频率到40 kHz，输出功率8 kW左右......
设计三相PFC请务必优先考虑这几点(2024-06-14)
技术而言，IGBT是速度较慢的器件。IGBT用于开关频率较低（几十kHz）的中。与MOSFET相比，当VCE(SAT)小于RDS(ON)×ID时，它们更适合用于非常高的电流。硅超级结MOSFET的使用频率......
800V电驱动系统解读(2023-08-16)
IGBT开关损耗太大。要高效使用更高的电压，需要更高效的开关技术，请参见图1. SiC‑MOSFET的应用，可以满足在高电压平台下高开关频率的高效优势，以及高压摆率 (dv/dt) 。更高的开关频率......
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
所选材料所采用的电流、电压及工艺有关。
IGBT损耗
可分为导通损耗和开关损耗。其中，传导损耗与内部电阻和通过元件的电流有关，而开关损耗与元件的开关频率和元件承受的直流电压有关。
电感损耗
可分......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
取代绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，从而显著提高效率。由于电机是磁性组件，并且其尺寸不会随着逆变器开关频率的升高而直接减小，因此开关频率保持在较低水平（通常为8kHz）。
典型牵引逆变器的电路如图 所示，包括......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
师知道，高温是持久性能和可靠性的大敌。此外，高能效还能延长电动汽车续航里程，这是汽车制造商和消费者比较看重的价值主张。在16 kHz开关频率下，比较SiC与IGBT的结温，从低负载到满负载，显然SiC是赢......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
采用氮化镓技术，工程师可以实现 99%的驱动器效率，并改善系统散热，同时尺寸也可缩小55%。此外氮化镓器件实现了较低的死区时间和传播延迟，支持更高的PWM开关频率，从而减少听觉噪音和系统振动。”
早在......
MPPT常用拓扑原理与英飞凌实现方法(2024-05-06)
TRENCHSTOP™ IGBT7 H7产品兼顾了导通损耗与开关损耗，非常适合Boost MPPT的应用。表2 MPPT IGBT单管解决方案是针对不同电流时，开关频率16kHz下推荐的IGBT规格。如果使用SiC以获......
电机驱动器输出滤波器的应用有哪些？(2024-04-29)
器和高频干扰抑制滤波器；
（1）正弦波滤波器：适用于高于额定开关频率，但不得在低于额定开关频率的20%；
（2）dU/dt滤波器：适用于低于额定开关频率，但较高的开关频率会导致滤波器过热，应尽量避免使用；
（3）高频......
是时候从Si切换到SiC了吗？(2023-03-20)
可以提高开关频率，从而使电感元件更小、更轻，并最终降低成本，这是SiC MOSFET进入光伏逆变器的重要原因。几年前，SiC MOSFET开始应用在ANPC拓扑结构中，是1500V光伏......
比亚迪半导体最新推出SOT-227封装产品(2023-03-07)
比亚迪半导体最新推出SOT-227封装产品;
【导读】半导体行业的技术发展方向可归纳为更高的功率密度、开关频率，以及更小的导通压降、开关损耗、芯片尺寸、模块体积。越来......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
持续通过的最大电流。
4、集电极-发射极饱和电压UCE是IGBT在饱和导通状态下，集电极与发射极之间的电压降。该值越小，则管子的功率损耗越小。
5、开关频率在IGBT的使用说明书中，开关频率是以开通时间tON、下降时间t1......
2月新品推荐：电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管(2021-02-26)
电压的CoolSiC™ Hybrid IGBT单管。新款器件结合了650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT及CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点，具有出色的开关频率和更低的开关损耗，特别适用于DC-DC......
是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案(2023-02-09)
中的损耗减半，并提供通常2%的额外能量和运行时间。对于类似的性能，SiC MOSFET的单位成本通常高于IGBT。但在系统层面上，硬件成本会大大降低，因为更高的开关频率允许使用更小、更便......
8月新品推荐：热感相机、高压MCU、IGBT、保险丝、电感器(2021-08-30)
IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的硅二极管解决方案相比，新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。或者，也可在输出功率保持不变情况下，提高开关频率至少40%。较高的开关频率......
大功率芯片散热电动汽车电机控制器结构优化(2023-10-24)
采用三相桥式逆变电路的 IGBT系统，为保证最终输出波形能接近正弦波需要采用 PWM 高频开关，配合续流元件和平波电容从而实现波形整理。而传统硅 IGBT模块因工作温度导致的性能劣化且由杂波引起的稳定时间延迟导致系统开关频率......
如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器(2024-07-23)
较高的运行电压与高效的 1200V SiC FET 可以帮助降低铜损。还可以提高逆变器开关频率，以对电机绕组输出更理想的正弦曲线波形和降低电机内的铁损。预计在所有这些因素的影响下，纯电......
三电平电路原理及常见的电路拓扑分析(2024-01-15)
更低的THD。
2. 损耗减小，开关频率提升，系统成本降低：如NPC1拓扑中开关器件的电压可减小为原来的一半，器件开关损耗大幅降低，因此可提高开关频率减小输出滤波器的体积和成本，如果......
市场一片火热，第三代半导体——碳化硅究竟用在哪？(2021-07-29)
直流充电桩应用领域加速市场渗透。
图4：120kw直流充电桩内部结构图
来源：CNKI，DT新材料
3.轨道交通
碳化硅功率器件相较传统硅基IGBT能够有效提升开关频率，降低开关损耗，其高......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
。采用并联LED驱动器最大化输入网络的CMTI，减少了共模噪声脉冲转换为正常模式LED驱动信号的危险。
如何计算FOD3120功率МOSFET / IGBT栅极驱动光电耦合器的最大开关频率
为了......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
节能工作意义重大，其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率的工业设备和家用电器中，例如变频器在空调中的应用越来越普遍，以及工业设备的大型电源需要降低功耗，因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率......
IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列(2014-05-15)
系数。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“经过扩充的600V沟道 IGBT系列可用于多种封装，这些坚固可靠的节能IGBT为设计人员提供了更多选择，并针对消费和工业应用进行了优化。”
新IGBT适用于宽泛的开关频率......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。
东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ......
美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT(2013-08-19)
MOS 8™ 技术，并且采用了最先进的晶圆薄化(wafer thinning)工艺。与竞争解决方案相比，显著降低了总体开关损耗，并且可让器件在难以置信的快速开关频率下工作。利用公司在大功率、高可......
天狼芯半导体——专注第三代半导体功率芯片设计(2023-03-27)
名称：1200V/1350A IGBT+SiC 模块
展品特点：1200V 1350A IGBT+SiC模块具有电流密度高、高开关频率、高抗短路能力，产品性能稳定，主要应用于直流电压为1200V的变......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
、驱动电压和开关频率......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
时间的限制。采用绝缘双极型晶体管IGBT时，开关频率可达10kHz以上，输出波形已经非常逼近正弦波，因而又称为SPWM逆变器，成为当前最有发展前途的一种装置形式。
电压型变频器结构框图：
电压......
适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案(2023-08-21)
供电流隔离。MOSFET 和 IGBT 的开关频率通常高于 10 kHz。然而，基于 SiC 和 GaN 的系统可以在更高的开关频率下运行，并且在转换过程中不会出现显着的功率损耗。显着......
借助智能功率模块系列提高白色家电的能效(2024-06-17)
RC-D2技术极大地提高了性价比，可以在价格与性能之间取得最佳平衡。这款智能功率模块针对低功率驱动应用进行了优化，可以实现低导通损耗和最低开关损耗。特别地，在高开关频率应用中，IM523系列可以提供行业内最出色的开关......
如何在大功率应用中减少损耗、提高能效并扩大温度范围(2023-10-07)
中的 8 个器件安装在散热片上。我们用原始 IGBT 以及第三代和第四代 MOSFET 对电路的能效进行了评估。该逆变器的 SiC MOSFET 开关频率为 40 kHz，IGBT 开关频率为 20 kHz......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
变频器在空调中的应用越来越普遍，以及工业设备的大型电源需要降低功耗，因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。
东芝在其新款IGBT中引......
SaberRD基于JMAG电机模型的电动汽车动力系统仿真（二）(2024-01-09)
器和电机的损耗在查找表中被准确地计算出来。
*电机和逆变器的损耗是频率相关的(频率是逆变器的开关频率和电机的转子速度)。逆变器的损耗取决于温度，确保充分的电热耦合。然而，此时......
igbt在电动汽车上的作用(2023-09-28)
容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点，鉴于此，开发高电压、大电流、频率高的高压IGBT并将其应用到变频调速器中以获得输出电压等级更高的装置成为人们关注的焦点。中压变频器的研发与电力电子器件如高压IGBT......
GaN正在加速电机驱动中的应用(2024-07-09)
DRV7308 GaN IPM可以将逆变器效率提高到99%以上，而传统的IGBT解决方案只能达到97%。
高功率密度：GaN器件允许更高的开关频率，减少了被动元件的尺寸，从而......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
动与插电式混合动力汽车的需求日益增长，目前市场上销售的新能源汽车所搭载的功率半导体多数为硅基器件，如 IGBT 和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）。
MOSFET 的优点是较高的开关频率，可以工作在百 kHz 到......
借助智能功率模块系列提高白色家电的能效(2024-06-14)
为终端系统提供最合适的选择。
对于家用电器而言，600 V RC-D2技术极大地提高了性价比，可以在价格与性能之间取得最佳平衡。这款智能功率模块针对低功率驱动应用进行了优化，可以实现低导通损耗和最低开关损耗。特别地，在高开关频率......
采用GaN电机系统提高机器人应用的效率和功率密度(2023-02-15)
时的电机绕组温度
电机温度的降低是由于其中电流纹波减小，从而降低了绕组和铁芯损耗；然而，开关损耗与开关频率成正比，一般情况下会增大逆变器中的功率损耗和散热。对于传统的基于MOSFET或IGBT的设计，这将......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
于第一代1200V，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率......
什么是变频器（VFD）？(2024-04-11)
的优势在于，其设计更简单，在输入电压质量可变的情况下更加稳健，并且成本相对较低。然而，正如有人提到逆变器上 IGBT 的较高载波频率可能会导致问题一样，整流器前端的 SCR 频率较低也会导致问题。前端的这些较慢的开关频率......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
。在相输出位置采用低静态损耗IGBT的更复杂解决方案可略微改进两种配置的表现，但不会改变给定的结论。
图7显示了每个模块的功率损耗和最大输出电流与开关频率fsw的关系。ANPC的功......
相关企业
IKW40N120T2 两支替代一个50A1200V2单元的模块 同样可以使用IGBT提到mos，电压600v、1200v电流6A以上硬开关频率低于100K用IGBT具有高性价比 IGBT焊机
动电流型 KA3882/83更高的开关频率==更高的效率 以及优异的EASPFC+PWM组合IC ML4803 PWM+ZVS组合IC ML4822 六、韩国美格纳（原先的大卫DW品牌）的超
动电流型 KA3882/83更高的开关频率==更高的效率 以及优异的EASPFC+PWM组合IC ML4803 PWM+ZVS组合IC ML4822 六、韩国大卫（DW）的超快恢复二极管模块 300V
和销售. 目前, 我们的主要产品有：晶体谐振器（主要封装形式有: 43U, TO8和UM-1）、sensor及相关频率控制元器件。我们的产品均获得了河南省高新技术产品称号。特别是晶体谐振器，已占
为一体的企业.公司的技术人员具有丰富的行业经验,凭借强大的技术优势,推出优质电源产品,生产出AC/DC,DC/DC开关稳压电源,内部使用美国VICOR,日本LAMBDA电源模块,采用零电流,谐振变压开关技术,开关频率
动控制芯片是一款高效率LED 驱动控制芯片。输入电压范围为8VDC 至450VDC,可以以一定的开关频率控制外置MOSFET，开关频率最高可达300KHz，此开关频率可通过调节单个的下拉电阻实现。是一
，12V/2000mA，15V/1200mA，15V/1500mA，15V/2000mA，等欧规、美规、英规、澳规等开关电源为主。该器件具有：过流保护！过压关闭！欠压锁定！自动重起动！线性占空比限制！特殊开关频率
;北京市汇通博思新技术有限公司;;我公司专业生产开关电源，整流器！ 代理销售日本三菱与富士的IGBT模块，西门康的IGBT模块。 摩托罗拉的大功率肖特基MBRU400100CTl
;北京飞扬创业电子有限公司;;我公司主要代理经销集成电路、IGBT、航空插头、接近开关、光电开关、变频器、伺服等产品。
;成都大汉微波集成技术有限公司;;成都大汉微波集成电子有限公司 位于四川 成都市，主营产品是射频/微波电路与系统，其中包括：频率合成器、滤波器、放大器、电子开关、接收机、发射机、微波组件、子系