资讯
新能源汽车电机控制器功率损耗的计算(2023-07-20)
新能源汽车电机控制器功率损耗的计算;1.简介
电机控制器的损耗涵盖以下几部分：
IGBT导通损耗
IGBT开关损耗
续流二极管导通损耗
续流二极管开关损耗
DC-link电容损耗；
Bus bar......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算;与大多数功率半导体相比， 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 和二极管芯片。为了......
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块(2023-10-20)
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块;随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求，高效率，高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。（安世半导体）的 产品系列优化了开关损耗和导通损耗......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
它更适合电机驱动应用？
首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。
关断损耗
IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐渐消失，从而......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*;*基金项目：湖南省教育厅科学研究优秀青年项目(20B393)本文引用地址：0 引言
功率模块相对于小功率的分立器件，具有......
工业马达驱动设计中IGBT的作用(2024-08-13)
封装。对 IGBT 和 FRD 中的开关瞬态和正向传导所引起的功率损耗，这些封装提供了有效的散热。在马达控制应用中，对环境温度高，气流减少或不可用的地方，设计人员需要思考功耗对整个系统的影响。因为......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。
对导通损耗的影响
无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
化硅MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果｡最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证......
聊聊IGBT功率模块的结温计算及其模型(2023-09-12)
聊聊IGBT功率模块的结温计算及其模型;1. 简介
电机控制器的功率模块，即IGBT器件和续流二极管，在开关和导通电流会产生损耗，损失的能量会转化成热能，表现为功率模块发热。电机......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
-IGBT技术。尽管碳化硅（SiC）器件价格高昂，并且所需的栅极驱动器原理更复杂，比如利用有源米勒钳位抑制寄生元件开通，但是该类器件的损耗大幅降低。因此，对于快速开关器件来说，SiC T-MOSFET......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
950V IGBT和二极管的静态损耗和/或开关损耗显著降低。通过分析应用需求与功率模块设计的相互作用，本文确定了功率模块的应用结果和优化路径。得益于经优化的功率模块设计和采用950V技术，近期......
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT(2023-05-18)
IGBT技术，具有最低的导通损耗和开关损耗，这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc。
120-200A 750V......
如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器(2024-07-23)
2 表明了 SiC FET 与硅 IGBT 的特征。在任何给定电流下，ID*VDS 的乘积都能表示给定导电损耗。因此，很容易看出，在采用单极 SiC FET 时，没有采用 IGBT 时会......
如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
引用地址：
1200V TRENCHSTOP™ IGBT 7中功率技术与以前的IGBT 4技术相比，芯片缩小了约30%。芯片放置和模块布局可以对较小的芯片的热性能产生积极的影响，但它们也会影响开关损耗。
小芯......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
电阻的大小影响开关速度，即后边介绍的开通关断时间，进而影响IGBT的开关损耗，datasheet上驱动电阻对开关损耗......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-21)
日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
开关器件和更高开关频率的需求。
东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东......
如何手动计算IGBT的损耗(2023-02-07)
如何手动计算IGBT的损耗;现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学......
新能源汽车电机控制器技术及趋势(2024-02-09)
在于直接采集晶元结温，高低压的安规问题。
模块6路结温采样，模块及外部电路成本增高，目前采用1各IGBT结的温度，单路二极管的温度，通过损耗计算，热流参数计算，推导出其他几路IGBT的温度。
采用......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-21)
绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、储能......
安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场(2023-03-23)
型场截止（FS7）IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压，及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率，从而减少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系统成本。对于......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。
东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29)
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗;半桥器件采用Trench IGBT技术，可选低VCE(ON)或低Eoff，适用于大电流逆变级
美国 宾夕......
IGBTs给高功率带来了更多的选择(2023-07-25)
IGBTs给高功率带来了更多的选择;绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（>......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
变频器在空调中的应用越来越普遍，以及工业设备的大型电源需要降低功耗，因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。
东芝在其新款IGBT中引......
BLDC电机常用IGBT：适用各类家电优选IGBT单管(2024-07-30)
一款由纯国产厂商：飞虹半导体研发生产的IGBT单管。
FHF20T60A单管出色的Vcesat饱和压降以及关断损耗低的特点进一步提升BLDC电机的效率以及质量，当然这一切还因其具备拖尾电流非常短、正温......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
驱动等电路设计。
不过，这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善，特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低，这些半导体开关的应用范围越来越广。结果，市场......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-22 09:21)
纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗;
【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市......
FHF20T60A型号IGBT适用于破壁机马达驱动(2024-08-12)
品特点，让破壁机马达驱动的电路中在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡，其出色的导通压降与极短的拖尾电流为无刷电机在优化系统效率时提供有力的帮助。
目前FHF20T60A型号IGBT单管......
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
户非常关心的一个重要指标。提高功率逆变器的转换效率非常重要。
逆变器的逆变效率如何提高
提高功率逆变器效率的唯一方法是减少损耗。逆变器的主要损耗来自IGBT、MOSFET等功率开关管，以及变压器、电感等磁性器件，这与......
充分利用IGBT的关键在于要知道何时、何地以及如何使用它们(2023-10-16)
不仅出现在常规设计中，而是越来越多地被用于新的设计。这是因为最近推出的器件具有新颖的结构，它们通过提升电流密度和降低开关损耗，将Vcesat 降得更低（接近 1V）。要最大限度地发挥使用 IGBT 的优势，就必......
电机驱动电路的优选IGBT单管(2023-10-23)
FHF20T60A的IGBT单管的原因是除了高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性外，还拥有拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降以及正温度系数等特点。
从这一款20A、600V电流、电压......
FHF20T60A型号IGBT适用于伺服电机驱动器(2023-11-02)
型号。
FHF20T60A的IGBT单管能用于伺服电机驱动器上，除了高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性外，其还有拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和......
安森美推出全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(2023-03-21)
一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间......
无刷直流 (BLDC) 电机设计的新起点(2024-09-18)
片到环境的热阻
N-FET功耗： I PHASE² (A) x R DSON(欧姆)。
IGBT 功耗：开关损耗 + 导通损耗 + 二极管损耗
其中：
- 开关损耗 = E ts (J) x PWM......
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29 15:02)
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗;半桥器件采用Trench IGBT技术，可选低VCE(ON)或低Eoff，适用于大电流逆变级日前，威世......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09 14:13)
变频器在空调中的应用越来越普遍，以及工业设备的大型电源需要降低功耗，因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
，从而实现较高的转换效率。
其中氮化镓FET的传导损耗与氮化镓的导通电阻成正比，与MOSFET类似。但是，对于IGBT，传导损耗取决于拐点电压和动态导通电阻，但通常高于氮化镓FET或......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗;
2024年2月29日，美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海——日前，威世科技Vishay......
电动压缩机设计-SiC模块篇(2024-09-25)
的开关速度
更好的热特性：更高的温度范围
2.更小损耗及更高效率
以安森美适用于800V平台电动压缩机应用的最新一代IGBT AFGHL40T120RWD 和SiC......
电动压缩机设计-SiC模块,压缩机(2024-09-25)
的热阻和更快的电子传输速度
2倍多的电子饱和速度：更快的开关速度
更好的热特性：更高的温度范围
2.更小损耗及更高效率
以安森美适用于800V平台电动压缩机应用的最新一代IGBT......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
控制系统是新能源汽车产业链的重要环节，电控系统的技术水平直接影响整车的性能和成本。其中，电控系统应用的核心部件——IGBT 拥有高输入阻抗、高速开关和导通损耗低等特点，在高压系统中担负着极其重要角色：
在主逆变器（Main......
光伏逆变器系统设计从系统目标到解决方案，一次性讲透(2024-06-07)
焊接引脚和压接引脚选项
● 内置 NTC 热敏电阻
优点
● 易于模块安装，更高的输出功率
● 灵活支持不同制造工艺
● 卓越的效率，热损耗低。与 1200 V IGBT 解决方案相比，具有......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
率应 用的效率越来越高并且尺寸越来越小。此类器件包括 IGBT 和 SiC MOSFET，它们具有高电压额定值、高电 流额定值以及低导通和开关损耗，因此非常适合大功 率应用。具体而言，总线......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能源汽车中的应用
IGBT是一种由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点。在新......
安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模块， 助力可再生能源应用简化设计并降低成本(2024-06-12)
800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来业界领先的能效表现，有助于降低系统成本并简化设计。应用于 150 千瓦的逆变器中时，QDual3 模块的损耗......
IGBT在电磁炉中的应用及解决方案(2024-02-26)
) 或零电流开关 (ZCS) 操作模式显著降低 IGBT 的开关损耗。在硬开关应用中，IGBT 开关上的压降可能会导致相当大的功率损耗。然而，在软开关应用中，这些损耗几乎可以忽略不计，从而......
美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT(2013-08-19)
机和开关电源等工业产品。
美高森美新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率，与最接近竞争厂商的IGBT产品相比，效率提高了大约8%。新的NPT IGBT器件还能够实现高达150 kHz的极......
借助智能功率模块系列提高白色家电的能效(2024-06-17)
别之处在于，它专门针对要求高频开关的驱动应用（如洗衣机、冰箱和风扇）进行了优化，因此有助于实现更低开关损耗和更高功率密度，进而最终降低系统成本。
由于具有低Qrr特性，RC-D2 IGBT的开关损耗......
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;上海巴玛克电气技术有限公司;;感应加热电源，新型DSP＋IGBT结构的全空冷设备，在各种工况下能始终保证IGBT工作在ZCS开关状态,1k-100KHz,40KW-160KW。 DSP进行
产品为富士电机二极管、叁极管、场效应管、电源管理IC、富士IGBT模块及富士IPM、富士PIM、富士IGBT驱动、功率模块等。 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国代理商 富士IGBT
产品为富士电机IGBT模块，富士电机IPM模块，富士电机PIM功率集成模块，富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士IGBT模块中国一级代理 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国
产品为富士电机IGBT模块，富士电机IPM模块，富士电机PIM功率集成模块，富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士IGBT模块中国一级代理 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国
;威柏电子有限公司;;Westpac Electronics（威柏电子）创办於1992年，为日本富士电机（FUJI ELECTRIC）半导体器件之中国及香港地区独家代理。 主要产品为富士电机IGBT
产品为富士电机IGBT模块，富士电机IPM模块，富士电机PIM功率集成模块，富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士IGBT模块中国一级代理 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国
;山东荣泰IGBT中频电炉,IGBT电炉,IGBT电源;;
产品为FUJI富士电源IC,FUJI富士MOSFET,FUJI富士三极管，FUJI富士超快恢复二极管，FUJI富士肖特基二极管，FUJI富士单管IGBT，FUJI富士Super J-MOS,FUJI富士
产品为富士电机IGBT模块，富士电机IPM模块，富士电机PIM功率集成模块，富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士电机简介： 富士电机早在1923年成立以来，一直致力于技术革新和挑战，为顾
产品为富士电机IGBT模块，富士电机IPM模块，富士电机PIM功率集成模块，富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士电机简介： 富士电机早在1923年成立以来，一直致力于技术革新和挑战，为顾