资讯
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器(2023-02-23)
，领先行业水平，提高了系统的抗干扰能力
行业内常见的带保护的光耦隔离驱动IC，CMTI 一般在35KV/us。随着系统的开关频率和母线电压的提高，以及SiC......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24 14:14)
IC，CMTI 一般在35KV/us。随着系统的开关频率和母线电压的提高，以及SiC MOSFET的普及使用， 系统的dv/dt 急剧上升，这对隔离驱动......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24 14:14)
IC，CMTI 一般在35KV/us。随着系统的开关频率和母线电压的提高，以及SiC MOSFET的普及使用， 系统的dv/dt 急剧上升，这对隔离驱动......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24)
距离>8mm
NSi68515经典电路图
NSi68515 CMTI高，领先行业水平，提高了系统的抗干扰能力
行业内常见的带保护的光耦隔离驱动IC，CMTI 一般在35KV/us。随着......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24)
NSi68515经典电路图
NSi68515 CMTI高，领先行业水平，提高了系统的抗干扰能力
行业内常见的带保护的光耦隔离驱动IC，CMTI 一般在35KV/us。随着......
聚焦高端模拟芯片国产替代，数明半导体隔离驱动器已通过CQC认证(2021-12-22)
隔离耐压。超高的CMTI、极低的传输延时、灵活的死区配置使得SLMi823x非常适合MOSFET/IGBT、SiC和GaN场效应管的隔离驱动。
兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC......
大联大世平推出基于onsemi产品的电动汽车充电桩方案(2023-08-01)
onsemi IGBT隔离驱动IC：
Ø 具有可程式设计延迟的DESAT保护；
Ø 负电压（低至-9V）能力，适用于DESAT；
Ø 短路期间的IGBT栅极箝位；
Ø IGBT栅极有源下拉；
Ø......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的电动汽车（EV）充电桩方案(2023-08-01)
流及高速切换等操作条件；
Vgs（闸源极）最大电压范围为-10V至+22V；
建议Vgs sop操作电压-3V至+18V。
NCD57084 onsemi IGBT隔离驱动IC......
大联大世平推出基于onsemi产品的电动汽车充电桩方案(2023-08-01)
IGBT隔离驱动IC：
Ø 具有可程式设计延迟的DESAT保护；
Ø 负电压（低至-9V）能力，适用于DESAT；
Ø 短路期间的IGBT栅极箝位；
Ø IGBT栅极有源下拉；
Ø......
纳芯微模拟IC在光伏系统中的一站式解决方案(2023-04-06)
，都是通过功率器件和驱动电路实现的，其中用到的功率器件，如MOSFET、碳化硅(SiC)或IGBT等，驱动电路主要方案是使用隔离驱动IC。纳芯微带米勒钳位功能的单管隔离驱动NSi6601、电流型输入单管驱动......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的电动汽车（EV）充电桩方案(2023-08-01)
极）最大电压范围为-10V至+22V；
建议Vgs sop操作电压-3V至+18V。
NCD57084 onsemi IGBT隔离驱动IC......
纳芯微隔离和驱动技术为SiC+800V电驱动赋能(2023-03-20)
功率可以达到220kW，尺寸缩小将近40%。
上述两大趋势对隔离IC和驱动IC提出了新的更高的要求。首先是800V高压平台的三电系统（包括OBC、DC-DC、BMS），还有空压机、PTC、电驱动......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的电动汽车（EV）充电桩方案(2023-08-01)
极）最大电压范围为-10V至+22V；
建议Vgs sop操作电压-3V至+18V。
NCD57084 onsemi IGBT隔离驱动IC：
具有可程式设计延迟的DESAT保护；
负电压（低至-9V）能力......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用;车载充电器（OBC）是电动汽车（EV）和混合动力电动汽车（HEV）的重要组成部分。车载充电机(OBC)为电动汽车(EV)的高......
纳芯微单通道隔离驱动器NSi6801二代产品正式发布！(2022-12-13)
微NSi6801单通道隔离驱动器能够兼容光耦输入，其优秀的性能比起传统的光耦式栅极驱动器，工作寿命更长，能在更高温的环境下工作，传播延迟更短，脉冲宽度失真更小。可用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
接将自举信号接入功率器件基准端。
驱动电路按照电路结构分为隔离型驱动和非隔离型驱动。隔离型驱动电路是指包含光耦、变压器、电容等具有电气隔离功能器件的驱动电路。非隔离驱动电路不具有电气隔离结构，多采用电阻、二极管、三极管或非隔离型驱动......
SiC和GaN的技术应用挑战(2023-10-17)
微的解决方案
纳芯微是一家高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司，在SiC 和GaN 的应用赛道，公司用以驱动SiC或GaN 功率器件的隔离/ 非隔离驱动产品已在汽车、光伏、工控客户中得到广泛应用。此外，纳芯......
变频器和逆变器常用的驱动集成电路（二）(2024-04-02)
模块的用法跟A16J差不多，但是因为采用了一个隔离驱动变压器模块所以驱动能力比单纯的用316J搭建的驱动电路要强，遇到IGBT短路炸机等或者IGBT短路的情况会起到很好的保护主板的作用。
图52SD315......
基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片(2023-09-29)
基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片;
【导读】BTD3011R是一款单通道智能带短路保护的隔离门极驱动芯片，采用磁隔离技术，集成了退饱和短路保护、软关断功能、原副......
纳芯微容隔技术，从容应对电源难题(2023-07-20)
电阻，直接将栅极短路到GND，以此消除米勒电流造成的压差，从而避免米勒效应导致下管误导通的风险。
纳芯微的隔离类产品
纳芯微的隔离产品品类非常齐全，包括数字隔离器、隔离驱动、隔离电压/电流采样、隔离......
光伏增长势头强劲，芯片灵活性及可靠性要求提升(2023-08-25 15:33)
器和储能电池/BMS。日前，纳芯微已经与光伏行业的头部客户紧密合作，提供可靠的产品及服务。
图：纳芯微光储系统解决方案总览
纳芯微的产品覆盖广泛，包括：SiC功率半导体、隔离/非隔离驱动芯片、隔离......
大联大友尚集团推出基于ST产品的30kW Vienna PFC 整流器参考设计方案(2024-10-24)
下友尚推出基于意法半导体（ST）STM32G474RET3 MCU、STPSC40H12C SiC肖特基二极管、SCT018W65G3-4AG SiC MOSFET和STGAP2SICS电流隔离驱动器IC的30kW......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片;
【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
如何优化隔离栅级驱动电路?; 栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器，来控制功率MOSFET或IGBT的栅极。它为MOSFET 或 IGBT 的栅......
应对 PCS 创新，德州仪器全方位保驾护航(2024-01-12)
器方面，德州仪器推出了一系列支持 SiC/IGBT 的隔离驱动，从而更好的支持大功率 PCS 对于 SiC 的需求。比如德州仪器的 UCC217x 系列驱动，就具有多项优势。包括 ±10A 电流驱动......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC(2023-01-30)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC;瑞萨电子推出新型栅极驱动IC
用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms
2023......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30 16:19)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
/TLP250
HCPL316J/PC929
等等各种适合的。
如第一节所示的驱动电路，适用于15kW以下(50A以下的IGBT)。主要特点是驱动采用单电源供电，关断时为零电压而不是负电压，上三路使用三个隔离......
闪耀光储充重镇，2023慕尼黑华南电子展盛大开幕！(2023-10-31 09:20)
率电源产品输入级和输出级的压差较大，需要经过隔离耐压的安规认证。通常的解决方案是使用数字隔离器+半桥驱动器的组合，但是整个系统的整合度低，对提升电源的功率密度不利。高性能模拟IC供应商荣湃发布的Pai8233......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动......
PLC系统中AI/AO卡件的应用(2024-01-31)
部分由于变频器功率会做的比较大，不再适用于IPM的驱动方案，所以会有大功率的IGBT模块来做驱动，这个时候就需要有专门的隔离驱动器来做驱动。
川土微电子正在定义这一款产品，会首先做和光耦驱动的兼容，最大输出电流能力在4A......
瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;
【导读】2023 年 1 月 30日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日......
IGBT驱动到底是做什么的?(2023-08-21)
时候，IGBT驱动需要有一定的电气隔离能力，做为低压侧和高压侧之间的屏障，防止副边高压对原边操作的人体造成伤害。如果IGBT驱动不具有绝缘能力的话，绝缘屏障就要加在MCU与人机接口之间。
能完成以上功能的驱动......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
了可靠性。
隔离驱动
为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。......
金升阳推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列(2023-11-24)
金升阳推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列;
【导读】金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-02-01)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全球半导体解决方案供应商电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新——RAJ2930004AGM，用于驱动......
中科赛飞获数千万天使轮融资，主攻车规级数模混合芯片(2023-10-20)
过初步功能验证。该芯片计划于2024年取得功能安全ASIL-D产品认证，进入量产阶段。
在车规驱动芯片方面，中科赛飞基于数模混合核心控制芯片关键技术及BCD高压工艺技术积累，产品整合高低边、隔离驱动、SiC......
CMTI参数对于隔离驱动器选型的重要性(2023-08-03)
CMTI参数对于隔离驱动器选型的重要性;什么是CMTI？
CMTI，Common mode transient immunity，是隔离产品（包括iCoupler digital isolators......
荣耀加冕！荣湃半导体荣获VDE颁发“最具竞争力合作伙伴奖”(2023-12-08 16:22)
输速率可达 600 兆 bps，是市场同类产品的四倍左右；传输延时可达 5 纳秒左右。基于这些优势，荣湃半导体的隔离产品可以应用在一些对时序特性、速率和可靠性要求较高的场合。荣湃的数字隔离器系列产品以及单通道隔离驱动......
P系列定压电源模块的EMC性能(2023-03-08)
P系列定压电源模块的EMC性能;在隔离通讯、隔离驱动、隔离采样放大等应用场景需要功率1~3W的隔离电源。我司P系列为此量身设计，具有高隔离耐压、小隔离电容，优秀的性能。只需简单的外围电路，就能......
飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器(2013-03-20)
驱动光电耦合器，可驱动大部分1200V/150A IGBT。
FOD8318它包含采用低RDS(ON) CMOS晶体管以进行IGBT轨到轨驱动的集成式栅极驱动光电耦合器，以及用于故障检测的集成式高速隔离......
纳芯微：2023年一季度营收大涨39%，磁传感器和电源管理产品爆发(2023-04-25)
一季度归属于上市公司股东的净利润为10,000.07万元，同比增长15.98%。
磁传感器和隔离驱动......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
开关管能快速关断。
（4）驱动电路结构简单可靠、损耗小。
（5）根据情况施加隔离。
三、MOS管驱动实例
下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。
1、电源IC直接驱动MOSFET
图1 IC直接驱动......
思瑞浦推出高性能车规级升压控制器TPQ5055xQ、升压转换器TPQ50571Q(2024-08-13)
载系统产生多路辅助电源，以供隔离驱动使用。
与传统的PWM控制器相比，TPQ5055xQ具有以下优势：
提高开关频率，减小变压器体积；
提供保护和诊断功能；
针对电磁干扰（EMI）进行优化；
低静态功耗，高效......
数明半导体单通道隔离式栅极驱动器SLM34x通过UL1577认证(2021-07-23)
标准的认可，意味着SLM34x系列产品已符合相关的国际安全标准，在产品质量及可靠性上，数明隔离驱动芯片已与国际领先水平对齐。
与传统的光耦栅极驱动器相比，隔离式栅极驱动器SLM34x具有低延时、低脉宽失真、共模......
安森美在罗马尼亚设立新研发中心，提升全球设计能力(2022-10-10)
纳斯达克股票代号：ON)，近日宣布在罗马尼亚布加勒斯特设立一个全新的研发中心，以进一步提升安森美的全球设计能力。该研发中心将致力于开发耐高温和经久耐用的产品，用于汽车隔离驱动以及用于智能感知的高精度器件，以进......
纳芯微模拟芯片创新助力光储系统“三高一降”(2024-07-18)
压侧实现系统通信与控制。
为保障系统安全可靠运行，系统中需要很多隔离器件，如数字隔离器，隔离驱动，隔离采样与隔离接口等，来实现低压侧控制电路和高压侧电源电路之间的强弱电隔离与信号传输。纳芯微可提供基于电容隔离技术的丰富隔离......
相关企业
）电力电子器件：IGBT、隔离驱动变压器、驱动光耦。长期提供各种IGBT模块、变频器变压器、驱动光耦。
池充电管理芯片，电源管理芯片，LDO芯片，升压恒流芯片，降压恒流芯片，线性恒流芯片，LED驱动芯片，LED手电筒专用芯片，LED草坪灯专用芯片，LED背光驱动芯片，AC/DC非隔离驱动芯片，AC/DC隔离驱动
;北京市落木源电子技术有限公司;;北京落木源电子技术有限公司是全国第一家致力于IGBT（MOSFET）隔离驱动芯片的专业研发单位，是北京市高新技术企业、中国
接收模块、安全栅、隔离器、LED驱动器、IGBT驱动器/驱动电源、功率继电器、汽车继电器、磁保持继电器、IGBT,IPM等。
电源,MR16 非隔离驱动电源，无电解驱动电源. 3--18W 驱动电源.
;北京落木源电子技术有限公司;;北京落木源电子技术有限公司是全国第一家致力于IGBT（MOSFET）隔离驱动芯片的专业研发单位，是北京市高新技术企业、中国
／RS485／422／CAN）、超长距离驱动器、隔离器、中继器
HXC2332 SOP-23-6 外挂MOS 兼容OB2532/CL1100/PL3532 HXC3101 SOP-8 内置三极管 1-4W蜡烛灯/6-18W非隔离驱动电源T5/T8 HXC3102
应用于1700V/3600A以下容量的大功率IGBT模块的驱动控制，由于采用了无磁芯隔离技术，信号输入输出延迟时间均小于300ns，最高驱动功率可达500KHz以上，我公司最新研发的3300V和
~265V宽输入电压范围（隔离/非隔离），实现LED照明驱动功率从1瓦至几十瓦的高效率全套解决方案。代理分销各大品牌LED恒流驱动IC、LED灯珠（全金属封装2020LED、2828LED