资讯
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器(2023-02-23)
，领先行业水平，提高了系统的抗干扰能力
行业内常见的带保护的光耦隔离驱动IC，CMTI 一般在35KV/us。随着系统的开关频率和母线电压的提高，以及SiC......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24 14:14)
IC，CMTI 一般在35KV/us。随着系统的开关频率和母线电压的提高，以及SiC MOSFET的普及使用， 系统的dv/dt 急剧上升，这对隔离驱动......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24 14:14)
IC，CMTI 一般在35KV/us。随着系统的开关频率和母线电压的提高，以及SiC MOSFET的普及使用， 系统的dv/dt 急剧上升，这对隔离驱动......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24)
距离>8mm
NSi68515经典电路图
NSi68515 CMTI高，领先行业水平，提高了系统的抗干扰能力
行业内常见的带保护的光耦隔离驱动IC，CMTI 一般在35KV/us。随着......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24)
NSi68515经典电路图
NSi68515 CMTI高，领先行业水平，提高了系统的抗干扰能力
行业内常见的带保护的光耦隔离驱动IC，CMTI 一般在35KV/us。随着......
聚焦高端模拟芯片国产替代，数明半导体隔离驱动器已通过CQC认证(2021-12-22)
隔离耐压。超高的CMTI、极低的传输延时、灵活的死区配置使得SLMi823x非常适合MOSFET/IGBT、SiC和GaN场效应管的隔离驱动。
兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC......
大联大世平推出基于onsemi产品的电动汽车充电桩方案(2023-08-01)
onsemi IGBT隔离驱动IC：
Ø 具有可程式设计延迟的DESAT保护；
Ø 负电压（低至-9V）能力，适用于DESAT；
Ø 短路期间的IGBT栅极箝位；
Ø IGBT栅极有源下拉；
Ø......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的电动汽车（EV）充电桩方案(2023-08-01)
流及高速切换等操作条件；
Vgs（闸源极）最大电压范围为-10V至+22V；
建议Vgs sop操作电压-3V至+18V。
NCD57084 onsemi IGBT隔离驱动IC......
大联大世平推出基于onsemi产品的电动汽车充电桩方案(2023-08-01)
IGBT隔离驱动IC：
Ø 具有可程式设计延迟的DESAT保护；
Ø 负电压（低至-9V）能力，适用于DESAT；
Ø 短路期间的IGBT栅极箝位；
Ø IGBT栅极有源下拉；
Ø......
纳芯微模拟IC在光伏系统中的一站式解决方案(2023-04-06)
，都是通过功率器件和驱动电路实现的，其中用到的功率器件，如MOSFET、碳化硅(SiC)或IGBT等，驱动电路主要方案是使用隔离驱动IC。纳芯微带米勒钳位功能的单管隔离驱动NSi6601、电流型输入单管驱动......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的电动汽车（EV）充电桩方案(2023-08-01)
极）最大电压范围为-10V至+22V；
建议Vgs sop操作电压-3V至+18V。
NCD57084 onsemi IGBT隔离驱动IC......
纳芯微隔离和驱动技术为SiC+800V电驱动赋能(2023-03-20)
功率可以达到220kW，尺寸缩小将近40%。
上述两大趋势对隔离IC和驱动IC提出了新的更高的要求。首先是800V高压平台的三电系统（包括OBC、DC-DC、BMS），还有空压机、PTC、电驱动......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的电动汽车（EV）充电桩方案(2023-08-01)
极）最大电压范围为-10V至+22V；
建议Vgs sop操作电压-3V至+18V。
NCD57084 onsemi IGBT隔离驱动IC：
具有可程式设计延迟的DESAT保护；
负电压（低至-9V）能力......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用;车载充电器（OBC）是电动汽车（EV）和混合动力电动汽车（HEV）的重要组成部分。车载充电机(OBC)为电动汽车(EV)的高......
纳芯微单通道隔离驱动器NSi6801二代产品正式发布！(2022-12-13)
微NSi6801单通道隔离驱动器能够兼容光耦输入，其优秀的性能比起传统的光耦式栅极驱动器，工作寿命更长，能在更高温的环境下工作，传播延迟更短，脉冲宽度失真更小。可用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
接将自举信号接入功率器件基准端。
驱动电路按照电路结构分为隔离型驱动和非隔离型驱动。隔离型驱动电路是指包含光耦、变压器、电容等具有电气隔离功能器件的驱动电路。非隔离驱动电路不具有电气隔离结构，多采用电阻、二极管、三极管或非隔离型驱动......
SiC和GaN的技术应用挑战(2023-10-17)
微的解决方案
纳芯微是一家高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司，在SiC 和GaN 的应用赛道，公司用以驱动SiC或GaN 功率器件的隔离/ 非隔离驱动产品已在汽车、光伏、工控客户中得到广泛应用。此外，纳芯......
变频器和逆变器常用的驱动集成电路（二）(2024-04-02)
模块的用法跟A16J差不多，但是因为采用了一个隔离驱动变压器模块所以驱动能力比单纯的用316J搭建的驱动电路要强，遇到IGBT短路炸机等或者IGBT短路的情况会起到很好的保护主板的作用。
图52SD315......
基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片(2023-09-29)
基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片;
【导读】BTD3011R是一款单通道智能带短路保护的隔离门极驱动芯片，采用磁隔离技术，集成了退饱和短路保护、软关断功能、原副......
纳芯微容隔技术，从容应对电源难题(2023-07-20)
电阻，直接将栅极短路到GND，以此消除米勒电流造成的压差，从而避免米勒效应导致下管误导通的风险。
纳芯微的隔离类产品
纳芯微的隔离产品品类非常齐全，包括数字隔离器、隔离驱动、隔离电压/电流采样、隔离......
光伏增长势头强劲，芯片灵活性及可靠性要求提升(2023-08-25 15:33)
器和储能电池/BMS。日前，纳芯微已经与光伏行业的头部客户紧密合作，提供可靠的产品及服务。
图：纳芯微光储系统解决方案总览
纳芯微的产品覆盖广泛，包括：SiC功率半导体、隔离/非隔离驱动芯片、隔离......
大联大友尚集团推出基于ST产品的30kW Vienna PFC 整流器参考设计方案(2024-10-24)
下友尚推出基于意法半导体（ST）STM32G474RET3 MCU、STPSC40H12C SiC肖特基二极管、SCT018W65G3-4AG SiC MOSFET和STGAP2SICS电流隔离驱动器IC的30kW......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片;
【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
如何优化隔离栅级驱动电路?; 栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器，来控制功率MOSFET或IGBT的栅极。它为MOSFET 或 IGBT 的栅......
应对 PCS 创新，德州仪器全方位保驾护航(2024-01-12)
器方面，德州仪器推出了一系列支持 SiC/IGBT 的隔离驱动，从而更好的支持大功率 PCS 对于 SiC 的需求。比如德州仪器的 UCC217x 系列驱动，就具有多项优势。包括 ±10A 电流驱动......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC(2023-01-30)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC;瑞萨电子推出新型栅极驱动IC
用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms
2023......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30 16:19)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
/TLP250
HCPL316J/PC929
等等各种适合的。
如第一节所示的驱动电路，适用于15kW以下(50A以下的IGBT)。主要特点是驱动采用单电源供电，关断时为零电压而不是负电压，上三路使用三个隔离......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM......
闪耀光储充重镇，2023慕尼黑华南电子展盛大开幕！(2023-10-31 09:20)
率电源产品输入级和输出级的压差较大，需要经过隔离耐压的安规认证。通常的解决方案是使用数字隔离器+半桥驱动器的组合，但是整个系统的整合度低，对提升电源的功率密度不利。高性能模拟IC供应商荣湃发布的Pai8233......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动......
PLC系统中AI/AO卡件的应用(2024-01-31)
部分由于变频器功率会做的比较大，不再适用于IPM的驱动方案，所以会有大功率的IGBT模块来做驱动，这个时候就需要有专门的隔离驱动器来做驱动。
川土微电子正在定义这一款产品，会首先做和光耦驱动的兼容，最大输出电流能力在4A......
瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;
【导读】2023 年 1 月 30日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日......
IGBT驱动到底是做什么的?(2023-08-21)
时候，IGBT驱动需要有一定的电气隔离能力，做为低压侧和高压侧之间的屏障，防止副边高压对原边操作的人体造成伤害。如果IGBT驱动不具有绝缘能力的话，绝缘屏障就要加在MCU与人机接口之间。
能完成以上功能的驱动......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
了可靠性。
隔离驱动
为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。......
金升阳推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列(2023-11-24)
金升阳推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列;
【导读】金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-02-01)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全球半导体解决方案供应商电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新——RAJ2930004AGM，用于驱动......
中科赛飞获数千万天使轮融资，主攻车规级数模混合芯片(2023-10-20)
过初步功能验证。该芯片计划于2024年取得功能安全ASIL-D产品认证，进入量产阶段。
在车规驱动芯片方面，中科赛飞基于数模混合核心控制芯片关键技术及BCD高压工艺技术积累，产品整合高低边、隔离驱动、SiC......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
了可靠性。
4 隔离驱动
为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB......
CMTI参数对于隔离驱动器选型的重要性(2023-08-03)
CMTI参数对于隔离驱动器选型的重要性;什么是CMTI？
CMTI，Common mode transient immunity，是隔离产品（包括iCoupler digital isolators......
荣耀加冕！荣湃半导体荣获VDE颁发“最具竞争力合作伙伴奖”(2023-12-08 16:22)
输速率可达 600 兆 bps，是市场同类产品的四倍左右；传输延时可达 5 纳秒左右。基于这些优势，荣湃半导体的隔离产品可以应用在一些对时序特性、速率和可靠性要求较高的场合。荣湃的数字隔离器系列产品以及单通道隔离驱动......
P系列定压电源模块的EMC性能(2023-03-08)
P系列定压电源模块的EMC性能;在隔离通讯、隔离驱动、隔离采样放大等应用场景需要功率1~3W的隔离电源。我司P系列为此量身设计，具有高隔离耐压、小隔离电容，优秀的性能。只需简单的外围电路，就能......
飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器(2013-03-20)
驱动光电耦合器，可驱动大部分1200V/150A IGBT。
FOD8318它包含采用低RDS(ON) CMOS晶体管以进行IGBT轨到轨驱动的集成式栅极驱动光电耦合器，以及用于故障检测的集成式高速隔离......
纳芯微：2023年一季度营收大涨39%，磁传感器和电源管理产品爆发(2023-04-25)
一季度归属于上市公司股东的净利润为10,000.07万元，同比增长15.98%。
磁传感器和隔离驱动......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
开关管能快速关断。
（4）驱动电路结构简单可靠、损耗小。
（5）根据情况施加隔离。
三、MOS管驱动实例
下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。
1、电源IC直接驱动MOSFET
图1 IC直接驱动......
思瑞浦推出高性能车规级升压控制器TPQ5055xQ、升压转换器TPQ50571Q(2024-08-13)
载系统产生多路辅助电源，以供隔离驱动使用。
与传统的PWM控制器相比，TPQ5055xQ具有以下优势：
提高开关频率，减小变压器体积；
提供保护和诊断功能；
针对电磁干扰（EMI）进行优化；
低静态功耗，高效......
数明半导体单通道隔离式栅极驱动器SLM34x通过UL1577认证(2021-07-23)
标准的认可，意味着SLM34x系列产品已符合相关的国际安全标准，在产品质量及可靠性上，数明隔离驱动芯片已与国际领先水平对齐。
与传统的光耦栅极驱动器相比，隔离式栅极驱动器SLM34x具有低延时、低脉宽失真、共模......
安森美在罗马尼亚设立新研发中心，提升全球设计能力(2022-10-10)
纳斯达克股票代号：ON)，近日宣布在罗马尼亚布加勒斯特设立一个全新的研发中心，以进一步提升安森美的全球设计能力。该研发中心将致力于开发耐高温和经久耐用的产品，用于汽车隔离驱动以及用于智能感知的高精度器件，以进......
相关企业
）电力电子器件：IGBT、隔离驱动变压器、驱动光耦。长期提供各种IGBT模块、变频器变压器、驱动光耦。
池充电管理芯片，电源管理芯片，LDO芯片，升压恒流芯片，降压恒流芯片，线性恒流芯片，LED驱动芯片，LED手电筒专用芯片，LED草坪灯专用芯片，LED背光驱动芯片，AC/DC非隔离驱动芯片，AC/DC隔离驱动
;北京市落木源电子技术有限公司;;北京落木源电子技术有限公司是全国第一家致力于IGBT（MOSFET）隔离驱动芯片的专业研发单位，是北京市高新技术企业、中国
接收模块、安全栅、隔离器、LED驱动器、IGBT驱动器/驱动电源、功率继电器、汽车继电器、磁保持继电器、IGBT,IPM等。
电源,MR16 非隔离驱动电源，无电解驱动电源. 3--18W 驱动电源.
;北京落木源电子技术有限公司;;北京落木源电子技术有限公司是全国第一家致力于IGBT（MOSFET）隔离驱动芯片的专业研发单位，是北京市高新技术企业、中国
／RS485／422／CAN）、超长距离驱动器、隔离器、中继器
HXC2332 SOP-23-6 外挂MOS 兼容OB2532/CL1100/PL3532 HXC3101 SOP-8 内置三极管 1-4W蜡烛灯/6-18W非隔离驱动电源T5/T8 HXC3102
应用于1700V/3600A以下容量的大功率IGBT模块的驱动控制，由于采用了无磁芯隔离技术，信号输入输出延迟时间均小于300ns，最高驱动功率可达500KHz以上，我公司最新研发的3300V和
~265V宽输入电压范围（隔离/非隔离），实现LED照明驱动功率从1瓦至几十瓦的高效率全套解决方案。代理分销各大品牌LED恒流驱动IC、LED灯珠（全金属封装2020LED、2828LED