资讯
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4. 简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子。MOSFET 的主体经常连接到源极端子，因此使其成为类似于场效应晶体管的三端器件。
以下是如何判断 MOSFET 是否有缺陷的指南。这些......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
电流是空穴移动产生的也行，是电子移动产生的也行。
6. 二极管正向（从P到N接正电压）导通，反向（从N到P接正电压）不导通。
好，可以开始了。
拿到这副mos管的结构图，首先看到s极和d极连着的是N参杂......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
的作用相似。
图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
图1-6-A 图1-6-B
2. 场效应管是电压控制电流器件，由......
过流保护的电路方案——限制的电流1A是怎么来的？(2024-02-26)
不是一个电阻，它俩的作用完全不一样。芯片内部的采样电阻只是负责检测输出的电流，而外围的限流电阻R1，它的阻值是设定限定输出电流的最大值。
如何判断是否过流
既然NCP380芯片......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
区别在于沉底和载流子不同，下面以N沟道增强型MOS管为例简单介绍下，其结构如下所示:
增强型NMOS管的结构
增强型NMOS管是以P型掺杂硅片为衬底，然后制作两个N型掺杂的区域，再制作一层电介质绝缘层，在两个N型掺......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电路的一个优点就是无论控制臂状态如何......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
数字万用表使用技巧总结(2023-02-17)
笔与其他两脚分别接触其他两脚；若两次读数均为０.７Ｖ左右，然后再用红笔接Ａ脚，黑笔接触其他两脚，若均显示"１"，则Ａ脚为基极，否则需要重新测量，且此管为ＰＮＰ管。那么集电极和发射极如何判断呢？数字表不能像指针表那样利用指针摆幅来判断......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
开漏输出和推挽输出(2024-02-23)
/qq_24312945/85250172
推挽输出
推挽输出的内部电路大概是下图这个样子，由一个P-MOS和一个N-MOS组合而成，同一时间只有一个管子能够进行导通。
当输出高电平时候，P-MOS导通，N......
FP5207B音响驱动方案应用(2023-08-15)
FP5207B音响驱动方案应用;芯片概述
FP5207B是一款大功率异步升压恒压芯片，外置N沟MOS驱动，与肖特基和电感形成回路组成升压架构;
工作电压低至2.8V启动，可适用已单节电池供电，高至......
基于FP5207B的音响驱动电路应用设计(2023-05-05)
基于FP5207B的音响驱动电路应用设计;芯片概述
FP5207B是一款大功率异步升压恒压芯片，外置N沟MOS驱动，与肖特基和电感形成回路组成升压架构;
工作电压低至2.8V启动，可适......
STM32CUBEMX开发GD32F303（4）----GPIO输出模式(2023-07-26)
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推挽输出
推挽输出的内部电路大概是下图这个样子，由一个P-MOS和一个N-MOS组合而成，同一时间只有一个管子能够进行导通。
当输......
数字万用表使用介绍(2023-03-07)
次读数均为0.7V左右，然后再用红笔接A脚，黑笔接触其他两脚，若均显示"1"，则A脚为基极，否则需要重新测量，且此管为PNP管。那么集电极和发射极如何判断呢？数字表不能像指针表那样利用指针摆幅来判断，那怎......
STM32f10xxx之GPIO口配置(2023-01-04)
口工作原理图如下：
“开漏输出”：P-MOS管是被禁止的，当向OUTPut寄存器写入“0”的时候，N-MOS管直接导通，将IO口接地，当写入“1”的时候，IO口处于高阻态状态。这种......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
电荷泵。
升压转换器的简化原理图，在电源和升压转换器输入之间具有一个用于短路保护的 n 沟道 MOSFET
2、P 沟道 MOS 管......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
的二极管导通;当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
让体二极管方向和电流方向相同。用前面的电荷泵实现NMOS 高边驱动
在正常的正向电流情况下，由于MOS 管的导通电阻
R d s ( o n ) R_{ds......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
表笔与该脚相接，红表笔与其他两脚分别接触其他两脚；若两次读数均为0.7V左右，然后再用红笔接A脚，黑笔接触其他两脚，若均显示"1"，则A脚为基极，否则需要重新测量，且此管为PNP管。那么集电极和发射极如何判断......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
PN结说起
PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：
1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
１、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为什么使用mos管作为电池反向保护?;
今天给大家分享的是：使用 MOS管作为电池反向保护。
会分别针对 P 沟道 MOS 管作为电池反向保护和 N 沟道 MOS 管作......
电路中如何判断电压源和电流源的功率是发出还是吸收(2024-10-26 18:29:48)
电路中如何判断电压源和电流源的功率是发出还是吸收;
判断方法：
电压源两端的电压是恒定的，而电流由与之连接的外电路来决定的。求知电流的方向后就可以判断是吸收功率还是......
3个字让你记住单片机的大小端模式(2023-03-27)
3个字让你记住单片机的大小端模式;今天，我们来讲解一下单片机的大小端模式，目录如下：
1、什么是大小端？
2、怎么区分大端模式和小端模式？
3、如何判断单片机的大小端模式？
4、大端......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管是......
STM32 GPIO工作原理及LED电路原理(2024-08-15)
-推挽输出模式
与开漏输出相比较：输出控制寄存器部分相同输出驱动器部分加入了P-MOS管部分当输出控制电路输出1时：P-MOS管导通N-MOS管截止，被上拉到高电平，IO口输出为高电平1
当输......
一文看懂stm32的引脚的两种用途：GPIO和AFIO(2024-01-05)
电路在放大中通常被用作输出级，在STM32中，推挽配置就是这种，如图：
在相应位置1时，P-MOS导，通N-MOS截止，输出电压为VDD；在相应位置0时，N-MOS导通，P-MOS截止，输出......
基于STM32F0的SPI通信的FLASH程序分析(2023-09-26)
对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小，效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。
当端口配置为输出时：
开漏模式：输出 0 时，N-MOS 导通，P-MOS 不被激活，输出0。
输出 1 时，N-MOS......
stm32单片机GPIO端口的特点及应用解析(2023-09-26)
对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小，效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。
当端口配置为输出时：
开漏模式：输出 0 时，N-MOS 导通，P-MOS 不被激活，输出0。
输出 1 时，N-MOS 高阻......
单片机位带牵涉的指针变量问题(2023-03-24)
公式理解：之前文章《位带操作原理》列出了关于片上外设区计算公式：AliasAddr ＝ 0x42000000+(A-0x40000000)*32 + n*4
对比截图中第一个p赋的值，就是......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
极与工艺相关，一个CMOS工艺的P(N)阱，只有N(P)的沟道的衬底驱动MOS管是有效的。
......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
绝缘栅极场效晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话，我不......
STM32-GPIO详解(2024-07-17)
有默认状态。STM32的内部上拉时“弱上拉”，即通过上拉输出的电流时很弱的，如要求大电流还是需要外部上拉，通过“上拉/下拉寄存器GPIOx_PUPDR”控制引脚的上、下拉及浮空模式。
2、P-MOS管和N-MOS管......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
其实是会导电的，这就是大家熟知的二极体。
二极体能单向导电，主要还是因为电流从P型半导体流往N型半导体时，可以轻易地跨过介面电场（因为电场方向和电流方向相同），而反......
维修开关电源，老板会觉得你在磨洋工？(2024-10-17 18:45:25)
滤波电容，开关三极管等，功率器件最容易坏，如何判断谁是功率器件？看散热片！加散热片的都是大功率器件
开关电源如果没有额定电压或者电流输出，就可以判断是坏了。如果电压稍微低一点，可以......
单片机如何对内存进行管理(2024-06-26)
malloc申请内存的时候，先判断p要分配的内存块数（m），然后从第n项开始，向下查找，直到找到m块连续的空内存块（即对应内存管理表项为0），然后将这m个内存管理表项的值都设置为m（标记被占用），最后，把最......
如何判定三相异步电机线圈的好坏(2022-11-28)
如何判定三相异步电机线圈的好坏; 判断电动机的好坏其实有很多方面，具体判断简单一点的说有下面几点，供大家参考。
首先，总结一下如何判定三相异步电机线圈的好坏，要用什么仪表检查：
1、万用......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
MOS驱动好不好，波形一看就知道;如何从的驱动波形来判断驱动好不好，到底是哪里出了问题？本文分享几种常见的驱动波形。本文引用地址：
基础知识
一般认为三极管是电流驱动型，所以驱动三极管，要在......
无刷电机的结构和驱动电路(2023-09-07)
电机的槽数和级数，槽数N指的是定子上的电磁铁极数量，极数P指的是转子上磁极的数量。
最简单的3N2P结构电机，就是定子上有三个线圈极、定子上有两个磁极的无刷电机。
3N2P型无......
相关企业
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
寻求技术与销售的最佳融合点，相互促进，扩大原有销售市场并提供客户最满意的服务! 一、授权一级代理：台湾勤益（GTM）产品线，主营全系列MOSFET（MOS管）产品，结构类型有：N-MOS，P-MOS，双N
-323、TO-252、TO-251等。 特别是SOT-23、SOT-163、SOT-363三种封装系列MOSFET（MOS管）产品，BVDSS（耐压）从20V-600V，包括:N-channel P
;深圳市�P��伟业��子展�N��;;
-4000电动起子、CLT-50电源、马牌剪钳MN-A05斜口钳PL-725、PL-726水口钳T-316S、T-346S尖咀钳N-205S、N-206S斜咀钳P-106、P-107、P-108平咀钳
-4000电动起子、CLT-50电源、马牌剪钳MN-A05斜口钳PL-725、PL-726水口钳T-316S、T-346S尖咀钳N-205S、N-206S斜咀钳P-106、P-107、P-108平咀钳
大型LED显示屏，PDVD电池保护板 等 5. SSM8405（N+P）应用在电动遥控玩具，LCD INVERTER高压板（控制半桥电路） 6. SSS2309（SOT-23单P）///SSS2308
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传感器:FSN04-N,FSND04-N,FSD04-N,SN04-N,SN04-P,SN04-N2,FSN05-N,FSKO5-N,FSN10-N,FSN20-N,FSC0802-N,FSC0801