资讯
三星研制出采用第八代V-NAND的车载SSD(2024-09-25)
存储容量选择。以第8代V-NAND为准，2TB是业内现存最大容量，预计明年年初投入量产。
AM9C1采用了三星5nm主控技术，用户可通过从TLC状态切换至SLC模式大幅提升的读写速度，其中......
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货(2022-12-19)
层NAND还提供高达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽。
毫无疑问，随着工艺制程逐渐微缩，堆叠技术成了NAND Flash市场发展的主流技术趋势。而近年来，各大NAND Flash厂商......
存储大厂宣布232层3500系列SSD已发售(2023-12-07)
品顺序读写速度最高可达7000MB/秒，随机读取速度为1150k IOPS，随机写入速度为1150k IOPS，2TB总写入量为1200TBW。
安全性方面，该产品提供了符合TCG/Pyrite2.02标准......
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货(2022-12-16)
NAND具有业界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效，同时，与上一代相比，232层NAND还提供高达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽。
毫无疑问，随着工艺制程逐渐微缩，堆叠......
CAN FD报文时间计算(2023-09-04)
报文发送成功后，需经过帧间隔（3个位）后才能发送下一帧报文，也就说仲裁段要在原来基础上加3个位，就可以算出每秒发送多少帧了。那么上述位数最少报文的发送时间耗时= 1us * （26 + 3） + 33......
超声波焊接机在汽车行业的应用(2024-02-23)
批量焊接生产制造质量高且一致性好的规定
一辆汽车会有成千上万的零部件，需要焊接的部件就要求批量焊接生产，以达到汽车组装生产的需求，同时要保证焊接的质量稳定性，减少报废率。
4、对焊接生产过程高节奏、效率......
Solidigm推出全新D7系列超高速新品，为AI固态硬盘开启新篇章(2024-08-08)
有出色的擦除周期，15.36TB版本的写入量可达28PBW。在基于服务器的存储解决方案中，与业界其他同等规格的固态硬盘相比，D7-PS1010可实现顺序写入的吞吐量最高提升 37%4。D7-PS1010实现......
14.5GB/s！三星量产全球最快PCIe 5.0 SSD PM9E1(2024-09-23)
提高了足足1.5倍。
寿命也延长了一倍，最大写入量来到了2400TBW。
另外，PCIe 5.0 SSD普遍功耗发热偏高，宣称PM9E1的能效比上代提升了50%。
......
英特尔解读存储创新技术三要素：容量密度、可靠性与性能(2021-12-08)
诸如CDN、大数据、本地盘等诸多应用市场寿命需求。QLC SSD容量较大，全盘可以忍受的写入量可以大很多，在固定接口带宽下的使用年限可以有很好保障，所以对QLC的擦写次数不用过分担心。
性能：创新......
S3c2440处理器中nor flash启动和nand flash启动问题(2023-01-31)
S3c2440处理器中nor flash启动和nand flash启动问题;S3c2440是三星公司推出的一款基于ARM920T的处理器,采用ARM内核,不同于单片机,无片上rom与ram,必须......
红肉、白肉：哪个更好？(2016-10-11)
直接影响血液中胆固醇的含量，摄入量过多，的确会更易引起肥胖，增加心血管疾病的患病风险。
但这并非意味着吃白肉就可以随心所欲的“大快朵颐”了。白肉和红肉中都含有饱和脂肪酸和不饱和脂肪酸，只是含量多少有差别，摄入......
赛普拉斯推出了16-Mbit非易失性静态随机访问存储器nvSRAM系列(2012-09-12)
将于 2013 年第一季度投入量产。CY14V116Fx 的ONFI 和 Toggle NAND 器件可在 3V 内核电压、1.8V IO 电源下工作，采用 165 焊球 FBGA 封装。两款......
3D Xpoint会成为美光的救命稻草吗？(2017-01-04)
能从其身上获得更大的成长驱动力。
英特尔与美光双方宣称，3D XPoint能够提供千倍于当前NAND产品的使用寿命水平。假设这里的参考对象为现代（15纳米至20纳米）MLC NAND，那么其使用寿命将达到数百万次全盘写入; 不过......
科赋CRAS C710 M.2 SSD晒物与Win To Go制作记录(2020-12-24)
CRAS C710 M.2 SSD盒子正面就写明了产品的特性，例如5年质保、附送acronis磁盘管理软件、3D NAND颗粒、NVMe 1.3协议、SLC缓存等等。
硬件是PCIe......
群联CEO：NAND需求增，报价还会涨(2024-01-30)
NAND Flash需求正逐月增加，几乎每个容量规格都有缺货，未来两个月报价还会出现不小的涨幅。AI应用会推动NAND Flash的需求量，而以AI相关装置来说，手机因为出货量多，比PC的驱......
研华工业存储，工业应用全面解决方案！(2022-09-19)
可以提供10 DWPD写入量。同时，可支持在-40~85℃宽温，及车规级工作温度环境条件下使用。行业应用医疗设备。手术室的医用机器设备发生故障可能导致死亡或受伤，因此，工业......
S3C2440C语言点灯(2024-07-15)
GPFCON，我们只关心低16位
对于GPFDAT，我们只关心低8位
其他不需要用到的位，我们不写入值，或者写入0值
用指针表示
我们用4字节去访问这两个寄存器
可以用int变量去表示
注意：
对int......
存储亮剑！NAND技术多点突破(2024-08-08)
-endurance）型号，提供1.6TB、3.2TB、6.4TB和12.8TB四个容量版本。其中最大容量的12.8TB累计写入量可达约70TB。
性能方面，D7-PS1010/1030全系......
半导体存储产业开启“狂飙”模式？(2024-08-13)
电子内部已经确认在平泽P4工厂内建设1c纳米制程DRAM产线的投资计划，目标是预计在2025年的6月投入量产。
三星平泽P4是一座综合性的半导体生产中心，分为四期计划。在三星早前的规划中，一期以生产NAND......
【STM32H7教程】第47章 STM32H7的FMC总线基础知识和HAL库API(2023-04-07)
controller），跟F429和H7带的FMC区别是不支持SDRAM，也就是差在字母static，使用FMC可以动态刷新SDRAM，来保持电量。
FMC控制SRAM型存储器和NAND型存......
闪存颗粒到底是何物？浅析闪存及制程(2017-02-13)
它能提供更多的空间，也就是提供了更大的存储空间，而32层、48层以及64层，则就是这些楼房的高度，一共堆叠了多少层。
虽然，3D NAND技术能够在同等体积下，提供更多的存储空间，但是......
高性能低能耗，浪潮信息集中式存储全闪平台揭秘(2023-08-04)
的性能无法充分展现。其次，由于NAND Flash颗粒具有需要将数据先擦除后写入的特点，而NAND Flash颗粒的可擦写次数有限，导致SSD硬盘的寿命受其限制，且随着NAND Flash颗粒......
高性能低能耗，浪潮信息集中式存储全闪平台揭秘(2023-08-04 09:26)
的性能无法充分展现。其次，由于NAND Flash颗粒具有需要将数据先擦除后写入的特点，而NAND Flash颗粒的可擦写次数有限，导致SSD硬盘的寿命受其限制，且随着NAND Flash颗粒......
T2芯片和激活锁功能导致大量二手苹果MacBook只能报废(2023-02-01)
T2芯片和激活锁功能导致大量二手苹果MacBook只能报废;二手 MacBook 市场越来越不好卖了。根据国外科技媒体 Vice 报道，苹果的 T2 安全芯片给二手 MacBook 市场......
【现货行情】DDR4 4G颗粒价格明显上扬；eMMC现货价不断攀升(2024-12-14 13:02:38)
NAND......
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？(2024-08-29)
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？;第八代BiCS FLASH已然投入量产，意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能......
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？(2024-08-29 14:27)
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？;第八代BiCS FLASH已然投入量产，意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能......
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？(2024-08-29)
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？;第八代BiCS FLASH已然投入量产，意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能......
华邦SpiStack 助力更精准高效的OTA更新，推动汽车及物联网发展(2021-12-23)
在稳定的通信环境下快速完成新版本固件的下载。因此，OTA管理器更适宜配备大容量且能进行快速写入的NAND闪存。在过去，车辆网关使用NOR闪存来存储启动代码及其为其他ECU所下载的新版本固件，以实现安全的OTA固件更新。而采用NOR+NAND组合......
通富微电年报：净利润增长937.62%，NAND产品进入量产阶段(2021-04-01)
通富微电年报：净利润增长937.62%，NAND产品进入量产阶段;3月31日，通富微电发布2020年年度报告摘要。2020年，通富微电实现营业收入107.69亿元，较上年同期增加30.27%，净利......
【现货行情】DRAM品牌颗粒成交价飞涨之后回落；NAND Flash市场呈现观望保守态度(2023-09-25)
【现货行情】DRAM品牌颗粒成交价飞涨之后回落；NAND Flash市场呈现观望保守态度;
【导读】本周reball颗粒报价较不明朗，成交量相对减少，而品牌颗粒的部份，市场......
s3c2440 nandflash 初始化(2024-07-22)
是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除 操作......
u-boot之NAND启动与NOR启动的区别(2024-08-29)
一个数据，然后读出，如果没有改变的话就是NOR FLASH（因为NOR FLASH写入需要一定时序）的方式判断是从nor拷贝uboot内容还是从nand拷贝uboot的内容。
int......
超高写入速度的QspiNAND：汽车OTA升级新选择(2020-12-28)
使用串行NAND闪存替代SPI NOR的相关讨论，引起了广泛关注。
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图1：Audi A7车款的“自动驾驶概念”，图中显示新车款设计中的传感器数组。
（图片出处：AUDI AG）
擦除与写入......
nand write.jffs2 & nand write(2024-08-02)
write.jffs2 xxxxx.." jffs 是一个文件系统，这是为什么呢？
nand write：向Nand Flash写入数据，如果NandFlash相应的区域有坏块，则直接报错。
nand......
希捷酷玩 540 PCIe 5.0 SSD 上架：速度可达 10000 MB/s(2023-07-27)
IOPS。2TB 的总写入量可达 2000 TB，平均功耗为 11W。
......
未来1TB智能手机将搭载QLC NAND?(2024-01-18)
未来1TB智能手机将搭载QLC NAND?;近期，媒体报道苹果可能会改变存储容量，不再使用主流三层单元（TLC）NAND 闪存，而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND......
对电动汽车正确认知才能合理利用(2023-06-25)
钟充满电的电池已经研制出来，但是正在销售的电动汽车充满电的时间还没有到这一步，许多产品宣称半个小时充满80%的电量。80%的电量能行驶多少公里?这又带来充电和加油的另一个不同点，一次充电和一次加油能够行驶多少公里。传统......
SD NAND相对于NOR Flash的优势(2024-06-03)
成本
SD NAND相对较便宜
NOR Flash相对较昂贵
容量
1Gb~512Gb
512Kb-32Mb
擦除写入速度
SD NAND的读取速度较快，例如MK-米客方德8GB的......
美光宣布量产第九代 NAND 闪存技术产品(2024-07-31)
场上现有的同类 NAND 解决方案相比，美光 G9 NAND 的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别高出 99% 和 88%。
这些优势共同提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能与能效。
与前......
三星明年将升级NAND核心设备供应链(2023-08-31)
天数是指从半导体成品生产完成到发货的时间段，用于衡量当前库存水平以及何时耗尽的指标。）
另外，在今年第二季度的财报电话会议上，三星高管表示计划下半年继续削减存储芯片的产量，尤其是NAND的产量，以加速库存正常化。据悉，三星下半年的晶圆投入量......
美光推出全球首款176层NAND移动解决方案，助力5G超快体验(2021-07-30)
NAND 解决方案将为荣耀手机用户在同时多应用使用，以及高速下载、存储等场景带来快捷流畅的使用体验。”
美光 176 层移动解决方案具有以下优势：
更强的性能：美光 176 层 UFS 3.1 解决方案相比上一代产品的顺序写入......
NAND闪存，迎新局(2024-09-14)
度比上一代QLCV-NAND高出约86%；与以前的版本相比，三星QLC第九代V-NAND采用的设计模具可将数据保留性能提高约20%，从而提高产品可靠性；通过对预测程序技术的改进，写入性能提高了一倍，数据......
NAND FLASH驱动框架以及程序实现(2024-08-19)
依次分析。
a、发命令，对于NAND FLASH芯片来说需要1、选中芯片（CE为低电平）；2、CLE设为高电平、ALE设为低电平；3、在DATA0-DATA7上输出命令数据；4、在WE上发出一个上升沿的信号。这样命令数据就会被写入......
s3c2440裸机-内存控制器(三-3、norflash编程之uboot中操作norflash)(2023-08-09)
cpu设置成nor启动时，0地址对应nor。cpu从nand启动时，0地址对应sram。
1.读取norFlash
我们将板子设为nor启动，那么0地址对应nor，我们先将uboot烧写到nor中......
s3c2440裸机-norflash3-uboot中操作norflash(2024-07-08)
时，0地址对应nor。cpu从nand启动时，0地址对应sram。
1.读取norFlash
我们将板子设为nor启动，那么0地址对应nor，我们先将uboot烧写到nor中。我们......
u-boot-2011.03在mini2440/micro2440上的移植 支持yaffs下载(2024-07-01)
CONFIG_CMD_NAND_YAFFS
【说明】
本人在阅读cmd_nand.c时发现u-boot-2011.03已经支持yaffs写入，只需添加如上定义即可，但实际写入错误，再阅读源代码，发现......
外媒：存储大厂目标年底NAND库存正常化(2023-08-22)
，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前该公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），该产品库存较多。
由于半导体是在硅晶圆的基础上制造的，减少晶圆投入量就会减少产量。与通......
EEPROM和Flash这样讲，我早就懂了(2023-02-01)
没有页），例如：W29N01HVSINA
由于nand flash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部......
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存(2022-08-17)
曝光的速度可能只搭载了 V7 NAND。
作为对比，三星在 5 月 4 日首发的 UFS 4.0 的闪存采用的是 176 层 NAND（V7），连续读取 4200 MB/s，连续写入 2800 MB/s，外形......
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)卡锁控制电路.及程序写入.单片机的程序写入.可按客户要求开发线路板,欢迎来电来函资询.
;深圳市顺科电子有限公司;;本公司是从事FLASH存贮器IC芯片测试分类和数据写入服务的专业公司