据韩媒《Etnews》引述业内人士21日透露，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化，即6-8周。今年年初，三星电子NAND库存超过20周，最高飙升至28周，但最近已降至18周，有达到顶点后下降的趋势。

库存天数是指从半导体成品生产完成到发货的时间段，用于衡量当前库存水平以及何时耗尽的指标。

三星电子正计划积极减产以降低库存。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前该公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），该产品库存较多。

由于半导体是在硅晶圆的基础上制造的，减少晶圆投入量就会减少产量。与通过增加生产时间来延迟出货的“技术生产延迟”相比，晶圆投入的减少直接导致半导体出货量和供应量的减少，并被评价为快速平衡供需的一种手段。这就是为什么晶圆投入的减少被称为“人为减产”。

报道引述三星电子相关人士表示，“我们正在根据客户需求灵活地进行存储半导体减产工作，目前无法确认减产的具体规模或开工率。”

另据TrendForce集邦咨询5月30日研究显示，在2023年第一季度NAND Flash市场中，三星以34.0%的市占率占据全球第一，其次为铠侠、SK海力士、西部数据、美光。

除了三星，SK海力士、美光、铠侠等存储器大厂都在实施减产计划。SK海力士在其最新财报中表示，与DRAM库存去化速度相比，NAND闪存的去库存速度相较缓慢，因此决定扩大NAND产品的减产规模。此前，SK海力士已经对部分收益性较低的产品进行减产，调整了库存水位较高产品的晶圆开工率。

美光此前表示，计划将DRAM和NAND产能减少30%，预计减产将持续到2024年。

铠侠已将去年第四季度开始的减产幅度扩大到今年的50%，减产幅度为30%。而西部数据此前透露下降未来资本支出。

据TrendForce集邦咨询7月6日研究指出，原厂减产幅度持续扩大，实际需求未明，第三季NAND Flash市场仍处于供给过剩。即便下半年有季节性旺季需求支撑，但目前买方仍持保守的备货态度，压抑NAND Flash价格止跌回稳。

TrendForce集邦咨询预计，第三季NAND Flash Wafer均价预估将率先上涨；SSD、eMMC、UFS等模组产品，则因下游客户拉货迟缓，价格续跌，估第三季整体NAND Flash均价持续下跌约3~8%，第四季有望止跌回升。

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