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；比如Si (Eg=1.12 eV) VS SiC (Eg=3.23 eV) 2. 掺杂浓度越低，VB越高； 3. 击穿电压主要取决于低掺杂一侧，该侧的杂质浓度越低，则VB越高。 除了上述方法可以提高击穿电压......
气体放电管都能起到很好的防护作用。其最大的特点是通流量大，级间电容小，绝缘电阻高，击穿电压可选范围大。 2、半导体放电管： 半导体放电管是一种过压保护器件，是利......
以说陶瓷气体放电管是应用最广泛的防雷器件，是因为无论是直流电源的防雷还是各种信号的防雷，陶瓷气体放电管都能起到很好的防护作用。其最大的特点是通流量大，级间电容小，绝缘电阻高，击穿电压......
新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能，并突显在工业方案领域的领导者地位。本文引用地址： 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的......
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特......
，温度升高一定程度时低熔点金属熔断，防止压敏电阻起火燃烧。 知道了压敏电阻烧坏原因后相信大家遇到这样的问题也知道怎么做了。在选购压敏电阻时还是要找正规的压敏电阻厂家选购压敏电阻，这样使用过程中出问题的概率比劣质压敏电阻小很多。 ......
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特......
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特......
公司将进一步合作开发垂直GaN功率器件，并与制造这些器件的公司合作，让这些器件能应用到实际生产生活中。 GaN功率器件因兼具高频率与低功耗特性而备受关注，尤其在1800V以上高击穿电压......
自发明以来的一个重要里程碑。SJ-MOSFET 通过在漂移区引入异型掺杂，将以往的电阻性耐压层转变为 N/P柱交替排列形成的结型耐压层，使得 N 柱和 P 柱之间形成横向耗尽，提高击穿电压。在正......
介绍了基于软件的解决方案如何帮助收集约束。母线约束开关器件在各种频率下工作，会产生电压峰值，该电压峰值与换向电流环路 (CCL) 的总杂散串联电感成比例增加，如图 2 所示。为了防止转换器超过击穿电压，杂散电感需要化。该参......
至关重要。 以下是SiC JTE设计的一些关键考虑因素： 1.    JTE区域的宽度和掺杂：JTE区域的宽度和掺杂浓度确定器件边缘处的电场分布。较宽和重掺JTE区域可以减少电场并提高击穿电压......
JTE设计的一些关键考虑因素： 1. JTE区域的宽度和掺杂：JTE区域的宽度和掺杂浓度确定器件边缘处的电场分布。较宽和重掺JTE区域可以减少电场并提高击穿电压。 2. JTE的锥角和深度：JTE的锥角和深度影响电场分布和击穿电压......
测试结果表明该器件具有2.5mΩ·cm2的低导通电阻和室温下2.66kV的高击穿电压，其功率品质因数高达2.83GW/cm2。此外，器件在250°C下仍能保持1.77kV的击穿电压，表现出极好的高温阻断特性，这是领域首次报道的高温击穿......
24V电压段，其中Switch LDMOS具有耐高击穿电压下的较低导通电阻，达到业界先进水平。为了满足高集成度发展趋势，该工艺平台亦提供1.5V CMOS选项，具有更高的逻辑门密度，可有......
路，使磁场电流增加，发电机电压再度升高。 　　当发电机电压升至略高于工作电压14V时，S1又被打开，处于悬空位置，如此重复上述过程。发电机电压又降低。如此重复，S1不断振动，使发电机电压......
需安装合适的散热器。 整流桥的主要参数有反向峰值电压URM(V)，正向压降UF(V)，平均整流电流Id(A)，正向峰值浪涌电流IFSM(A)，最大反向漏电流 IR(μA)。整流桥的反向击穿电压URR应满......
灯丝温度对于荧光灯的影响;在昨天测试紫外线灯管击穿电压实验中， 灯丝没有加热。 对应的击穿电压为1308V， 如果将灯丝进行加热， 能够在多大程度上降低紫外线灯管的击穿电压呢？ 我们......
组合电路 三、贝岭功率器件在PD应用的产品推荐  3.1  手机充电器对功率MOSFET技术需求1 手机充电器中，PFC和初级开关管有如下技术需求： 1.高击穿电压：保证开关MOS能够不被击穿； 2......
特性）的现象，而集电极电流的上升又会导致温度进一步的上升，温度进一步的上升，更进一步的导致集电极电流的上升这一恶性循环。而晶体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降，这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿......
～电流特性，即当管温度（或环境温度）上升时，沟道电流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOS FET开关管，当VGS控制电压不变时，在250C温度下IDS=3A，当芯片温度升高为1000C时......
高的原因及处理方法：   1、电动机的即时电压超过额定电压10%以上，或电动机的即时电压低于额定电压5%以上时，都会导致电动机在额定负载下发热和温度升高，这样的情况应检查和调整电压。       2、电动机的三相电源电压......
材料PN结）的压降，同时PN结还有一个与温度相关的特性：PN结导通后的压降基本不变，但不是不变，PN结两端的压降随温度升高而略有下降，温度愈高其下降的量愈多，当然PN结两端电压下降量的对于0.6V而言......
耗(35µW)和超过2000V的静电放电(ESD)能力。同时，44V的最高击穿电压使这两种器件具有处理轨到轨模拟信号的能力。 这两种单片集成开关可采用单路正电源(+10V至+30V)工作......
值要高得多。 高电击穿场提供更高的击穿电压。该电压是击穿体二极管断开时的值，并且不断增加的电流在源极和漏极之间流动。PN结二极管的击穿电压与击穿电场成正比，与材料浓度成反比。 高电......
长使用寿命和确保安全）。 3、陶瓷气体放电管的通流容量根据要求的通流容量选择，直流击穿电压......
的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。 可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压 (BV)，1700V NTH4L028N170M1......
应用于制作高温、高频、大功率和 抗辐射电子器件。 碳化硅器件应用场景广阔。因其高热导性、高击穿电场强度及高电流密度，基 于碳化硅材料的半导体器件可应用于汽车、充电设备、便携式电源、通信设备、机......
在高压应用中的优势相比之下，PowiGaN器件不表现出硅器件固有的雪崩击穿机制。它们的内部级联结构和高击穿电压（通常是额定电压的两倍以上）使它们能够承受高电压尖峰和长期的线路膨胀。这些器件在电压......
镓的优点 另一种比硅大近3倍的WBG材料是GaN。氮化镓不能用于超低压应用，但它具有允许更高击穿电压和更高热稳定性的优点。氮化镓可显著提高功率转换级的效率，使其成为制造肖特基二极管、功率 MOSFET 和高效电压......
静态特性主要是表征器件本征特性指标。即当器件的工艺结构或材料发生变化时，都需要进行直流I-V特性的测试。MOSFET的静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压......
不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。 优化后的器件实现了2.9mΩ·cm2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压，其功率品质因数高达1.52GW/cm2。此外，利用......
为了维持较高的击穿电压，将漏极放在芯片背面，整个漂移层承受电压。功率MOSFET的导通电阻，由几部分构成：源极金属接触电阻、沟道电阻、JFET电阻、漂移区电阻、漏极金属接触电阻。设计......
过高就是电动机常见的故障类型之一，那么究竟是什么原因引起来电动机的温度过高呢？ 下面是常见的电动机温度高的原因及处理方法： 1、电动机的即时电压超过额定电压10%以上，或电动机的即时电压低于额定电压5%以上时，都会导致电动机在额定负载下发热和温度升高......
体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降，这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿，这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿......
较低的动态阻抗，能够在很宽的工作温度和电流范围内确保稳定的反向击穿电压精度。LM4050/LM4051在任意容性负载下都能保证稳定工作，无需外部稳定电容。 LM4050/LM4051工作于-40°C至......
的温度系数为25ppm/°C，提供三级初始精度，范围从0.1%至0.5%。MAX6138可提供60µA至15mA并联电流，具有极低的动态阻抗，在较宽的工作温度和电流范围内保证稳定的反向击穿电压......
新产品都集成多种的自恢复保护功能，在发生故障时通过自动重启功能支援供电系统。完善的保护功能再加上超结 MOSFET的高击穿电压特性，进一步提高了供电的稳定性。此外，主动突发模式（ABM）改善了轻载性能并实现了超低待机功耗，而且输出电压......
要求。 （2）没有雪崩击穿 没有雪崩击穿，一旦击穿，就是永久性的，类似于电容里面的介质击穿。对于650V的器件而言，如果是硅MOS管，一般实际击穿电压大约在750V左右（设计裕量10......
保这些应用能够安全、可靠地工作。 SiC 的最新进展 为了满足对具有更高击穿电压的器件的需求，安森美开发了 1700V M1 平面 EliteSiC MOSFET 系列产品，针对......
的最新进展 为了满足对具有更高击穿电压的器件的需求，开发了 1700V M1 平面 EliteSiC MOSFET 系列产品，针对快速开关应用进行了优化。NTH4L028N170M1 是该......
保这些应用能够安全、可靠地工作。 SiC 的最新进展 为了满足对具有更高击穿电压的器件的需求，安森美开发了 1700V M1 平面 EliteSiC MOSFET 系列产品，针对......
冷却介质的流失，进而降低了高压电机冷却系统的冷却能力，冷却能力受阻，导致电机温度升高； 2、冷却水出现变质后，冷却管道遭到杂质的腐蚀与堵塞，导致电机出现过热的问题； 3、部分......
开关电源的输出电压怎么改变; 怎么改变开关电源的输出电压，现在的开关电源输出电压的选择很多，常见有24V，12V,5V等，有时候我们想改变输出电压，不是一个常用的电压值，那么......
的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。 可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压 (BV)，1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC......
极 MOSFET，实现了特定沟道电阻降低 3.6 倍。 虽然尚不清楚功率器件行业将多快采用像 finFET 这样激进的架构，但 SiC 的高击穿电压是一个引人注目的优势。希望实现这一优势的制造商需要找到解决方案来应对低迁移率和高电流密度带来的挑战。 ......
条件发生变化：当变频器的运行条件发生变化时，例如负载变化或环境温度升高，可能会导致变频器过载。解决方法是根据实际情况调整变频器参数，例如提高过载保护设定值、减少加速时间或者增加风扇运行时间等。 　　变频......
再持续一段时间，再测电性，如此反复直至击穿，此时的击穿电压为ESD击穿的临界电压(ESD failure threshold Voltage)。通常我们都是给电路打三次电压(3 zaps)，为了降低测试周期，通常起始电压用标准电压......
，此时的击穿电压为ESD击穿的临界电压(ESD failure threshold Voltage)。通常我们都是给电路打三次电压(3 zaps)，为了降低测试周期，通常起始电压用标准电压的70% ESD......
又被称为宽禁带半导体材料。有着禁带宽度大、高击穿电场、高电子饱和漂移速率、良好的耐温特性等特点。 据悉，无锡吴越半导体有限公司成立于2019年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司......

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