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RS瑞森半导体-大功率开关电源的应用;大功率就是用通过电路控制开关管进行高速的导通与截止。将直流电转化为高频率的交流电提供给变压器进行变压，从而产生所需要的一组或多组电压。本文引用地址： 一、功率......
SiC MOS管的大量使用，在开关过程中会出现尖峰，这与电压电流的瞬态变化以及寄生参数 (电感、电容) 有关，特别是针对高频开关。在SiC MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而......
足电动汽车充电的需求。本文将详细介绍调功器的工作原理、应用场景以及在电动汽车充电设备中的作用。首先，我们来了解一下调功器的工作原理。调功器采用电力电子技术，通过高频开关管的控制，改变电源波形的形态和大小，从而......
的存在，可能使得开关管承受的电压超过其耐压值而发生击穿；另一方面，开关振铃为远超开关频率的高频振铃,会伴随很高的dv/dt，进而带来传导和辐射的EMI问题，所以尽可能地抑制开关振铃是高频开关......
场能（变化的磁场）再到电能（U₂、1₂）的转化。 2、开关管开关的工作过程 第一个状态，当 PWM 信号处于高电平时，Q 导通，如图所示，因为输入电压通过开关管把加在高频变压器初级绕组上，所以......
流信号通过并传输到下一级电路。 去耦：陶瓷电容装设在电子产品的电源端，在这电路中陶瓷电容作为蓄能电容可以为电子产品提供稳定电源，同时也可以减少元件传播到电源端的噪声，减少其它元件受噪声的干扰。 由于有源器件在开关时会产生高频开关......
人员可能希望降低其电路的声波发射．低功率AC－DC转换器中，将50或60Hz变压器的铁心薄片焊接在一起，能使交流噪声降至容许的水平。高频开关转换器中的铁氧体变压器也采用了类似的技木。 过去常用高级音频工程设备来研究开关......
提高功率密度一直是一个重要议题。提高功率密度，就需要提高功率开关管的开关频率，GaN器件本身的优势就在于开关频率上，因此如果应用在充电模块中，就能够在实现高频开关的同时，在高压设计中保持更高效率。另一方面，GaN的开关......
成311Vdc； ②通过Q1高频开关（常见频率65Khz），将能量分成很多小份； ③在Q1关断时，D1导通，经C2滤波整流成12Vdc。 图4  AC-DC开关电源（反激） 图5  AC-DC开关......
电源 这里的单端指的是高频变换器的磁芯只会工作在其中一侧（二极管的作用），而反激的意思是当开关管导通时，高频变压器的初级线圈的感应电压为上正下负，整流二极管处于截至状态，初级......
SPWM单极性双极性控制缺点的几个改善方法;1.概述： 本文介绍前面SPWM单极性双极性控制方法缺点的几个改善控制方法。 2.单极性交替控制： 单极性交替控制，即高频开关和工频开关......
介绍双极性SPWM控制的特点;1.概述： 本文介绍双极性SPWM控制的特点，双极性控制都是高频开关，没有工频开关。Q1,Q2同步开关，Q3,Q4同步开关。 2.双极性控制： 双极......
的基极变为负时，开关管截止，这时次级线圈部分的整流二极管导通，高频变压器中的储能释放给负载。 在开关管截止时，L2中没有感应电压，电容C1获得反向充电，然后它会逐渐提高开关管的基极电压，使得开关管重新导通，然后......
入电压，需要通过DCDC回路，在输出端得到一个需要的输出电压。原边开关电路，将输入电流调制成矩形波，这个过程主要依靠控制器调制特定占空比的PWM波，用以驱动四个开关管按照既定的顺序和时间开闭，从而......
导致GaN开关管损坏。 NSD2621上下管的驱动输出都集成了内部稳压器LDO，可以有效抑制VDD或BST引入的高频干扰，避免损坏GaN开关管。此外NSD2621可以灵活地选择6V/5.5V/5V不同......
干扰，会引起栅极驱动电压的过冲，从而导致GaN开关管损坏。 NSD2621上下管的驱动输出都集成了内部稳压器LDO，可以有效抑制VDD或BST引入的高频干扰，避免损坏GaN开关管。此外NSD2621可以......
导致GaN开关管损坏。NSD2621上下管的驱动输出都集成了内部稳压器LDO，可以有效抑制VDD或BST引入的高频干扰，避免损坏GaN开关管。此外NSD2621可以灵活地选择6V/5.5V/5V不同......
进行滤波退耦处理。保证信号回流最短路径，且为回路到信号源端。 3、电源电路设计中抗干扰措施 当前变频器电源大多采用开关电源来实现，具有体积小、工作电压范围宽、功率密度大、损耗小、带载能力强的特点。但是采用高频开关管......
不同，E-mode GaN器件的栅源电压要求极为严格，一般耐压最大值不超过7V。在开关电源中由于系统噪声的影响，驱动芯片VDD或者BST引脚容易引入高频干扰，会引起栅极驱动电压的过冲，从而导致GaN开关管......
转换器参考方案                                                       图 4：参考板原理图 • 电路描述 输入级组件包括组成PI 网络的大容量电容器、滤波电路(C4、C5 和 L1)，以减轻高频开关操作引起的高频射电辐射。输入直流总线电压连接控制器的VIN......
级组件包括组成PI 网络的大容量电容器、滤波电路(C4、C5 和 L1)，以减轻高频开关操作引起的高频射电辐射。输入直流总线电压连接控制器的VIN引脚(引脚20)，在路径中有串联电阻。VIN为控......
pSemi推出新型车规级超宽带射频开关 具有超低功耗;据外媒报道，村田制作所（Murata）旗下pSemi® Corporation宣布将推出车规级超宽带射频开关PE423211，以扩......
显得尤其重要了。 二、MOS管驱动要求 一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求： （1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频......
有效抑制VDD或BST引入的高频干扰，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定，保护GaN开关管栅级免受过压应力的影响。 由于GaN器件可以实现反向导通，替代了普通MOSFET体二极管的续流作用，但是......
压的可靠性：碳化硅器件在高压环境下的应用表现出较好的耐压、耐高压性能。碳化硅器件具有高击穿场强和低导通损耗，可以在高压环境下保持高效率和低电流损耗，提高器件的可靠性和寿命。 　　高频开关性能的可靠性：碳化硅器件在高频开关......
效避免因输入干扰造成的功率管桥臂直通问题。 在电源应用中，受高频开关噪声的影响，半桥驱动芯片的输入引脚容易受到干扰，可能会出现高低边输入被同时拉高的情况，导致驱动芯片的高低边输出同时为高，引发功率管桥臂直通，造成......
为什么测量精度对 EV 性能至关重要;使用传感器测量电路中不同的功率相关参数时，会遇到不同的挑战。主要挑战是保持传感器和电源电路之间的电气隔离，以防止电源电路波动对测量的影响。高效隔离还有助于保持高频开关......
界面）的设计。 1、开关量 开关量是最简单的，两种状态，ON和OFF，PLC的基本单元就是开关量控制无论是输入还是输出。输入按照开关频率可分为低频和高频输入开关，低频开关→各类开关按如钮、旋钮、行程开关......
少系统占用空间。”         Allegro最新电流传感器具有更紧凑设计、更高效率和更低成本，适用于功率系统中的高频开关，并且为设计人员带来以下优势：   ·       高效、快速地管理高开关......
在选择元器件和设计方案时会尽可能地减少阻抗失配，保证尽可能小的介入损耗和反射，以减少高频下的测量误差。射频开关中实际使用的继电器的品质对整个开关的性能有很大的影响。制造射频开关模块时最常用的两种继电器是PCB装配的继电器和同轴开关......
利用碳化硅SiC MOSFET高频开关、反向恢复低和导通电阻小的优势，大大提升系统效率和功率密度，如图2所示。 Figure 2. 400V系统单相图腾柱PFC拓扑中SiC MOSFET应用场景 图腾......
美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：适配于氮化镓（GaN）开关器件，工作于高频开关频率场合下的小体积PFC & LLC方案。本文......
美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：适配于氮化镓（GaN）开关器件，工作于高频开关频率场合下的小体积PFC & LLC方案。 NCL2801是安森美开关......
为电源转换控制提供良好低频输出。现在设计人员能够更好地利用GaN和SiC架构，并减少系统占用空间。” Allegro最新电流传感器具有更紧凑设计、更高效率和更低成本，适用于功率系统中的高频开关，并且......
节点将产生100MHz～300MHz的振铃。所产生的电流及电压，可通过两个公式求得。 此振铃会作为高频开关带来各种影响。虽然有采取相应的措施，但由于无法从电源IC处去除安装电路板的寄生分量，因此......
工作，开关管截止。短路现象消失后，电源重新启动，自动恢复正常工作。 但由于在高频关断的时候会出现很高的尖峰电压，即使占空比很小的情况下，电路中7脚的输入电压也可能不会降到足够低，过载......
设计人员能够更好地利用GaN和SiC架构，并减少系统占用空间。”   Allegro最新电流传感器具有更紧凑设计、更高效率和更低成本，适用于功率系统中的高频开关，并且......
操作而产生的电压波动导致从输出流到输入的电流降低。 ●   共模瞬态耐电压 共模瞬态耐电压>200kV/µs，因此能够应对高频开关操作产生的电压波动，并减......
驱动好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。 加速关断驱动 MOS管一般都是慢开快关。在关......
器件的年产值将增加数倍。 图1: 苹果iPhone 6s SE 中的主要射频器件及芯片 射频前端的构成 射频前端模块由功率放大器（PA ）、滤波器、双工器、射频开关、低噪声放大器、接收机/ 发射......
器件的年产值将增加数倍。 图1: 苹果iPhone 6s SE 中的主要射频器件及芯片 射频前端的构成 射频前端模块由功率放大器（PA ）、滤波器、双工器、射频开关、低噪声放大器、接收机/ 发射......
技术到ROHM正在研究的元器件、控制IC和模块，需要整个国家通力合作，为实现无碳社会贡献力量。” ＜背景＞ 在追求小型化时，需要通过高频开关......
●   ZVS高频开关 ●   可靠、全面的工作电流限制 ●   过压、过流、欠压、短路和热保护 ●   三种尺寸（长 × 宽 × 高......
 针对传输路径应用优化 5G应用频段和天线数量的增多以及SRS天线轮询的需求，对射频开关提出了更高功率、更高频率、更快切换的要求。 WS7824LMB-16/TR针对传输路径应用进行了性能优化。芯片......
器将电流导入铜线圈，从而产生电磁场。电磁场穿透锅底，产生电流，使锅升温。 图 3：电磁炉框图 对电磁炉的基本要求如下： ●   高频开关 ●   功率因子接近 1 ●   宽负载范围 基于......
瞬态耐电压共模瞬态耐电压>200kV/µs，因此能够应对高频开关操作产生的电压波动，并减少这种电压波动对初级电路的电气影响。高绝缘耐电压即使施加高电压也能保持绝缘性能。此外，由于......
瞬态耐电压共模瞬态耐电压>200kV/µs，因此能够应对高频开关操作产生的电压波动，并减少这种电压波动对初级电路的电气影响。高绝缘耐电压即使施加高电压也能保持绝缘性能。此外，由于......
节点噪声较低； 橙色节点：开关管S1和S2的高频切换使得此节点产生高频电压交替变化，故此节点会产生高频辐射，PCB布局时需保持尽可能小的尺寸； 绿色环路：此环路一般称为热环路，也称为高di/dt环路。对于......
BVcbo》BVceo，即可改善NPN型晶体管的安全工作范围，对市电为220 V的电网电压可用普通的NPN型功率开关管。该电路接通交流220 V经整流桥后，形成直流电压，R2为启动电阻，开关管用NPN管......
列产驱动集成了自举电路、一体化使能与可调故障输出（FO）、防直通互锁、欠压保护与温度输出功能，优化的高压栅极驱动配合內集成的高速、低阻抗SiC_MOSFETS逆变桥，极大地改善产品工作EMI特性与开关损耗，适用于高频开关......

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