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存储容量选择。以第8代V-NAND为准，2TB是业内现存最大容量，预计明年年初投入量产。 AM9C1采用了三星5nm主控技术，用户可通过从TLC状态切换至SLC模式大幅提升的读写速度，其中读取速度高达......
管器件已被一级汽车和工业供应商应用于多款设计中。 Nexperia持续加大投资，扩大产能，以满足市场对于CFP封装产品不断增长的需求。为满足高电压功率应用的广大需求，Nexperia计划进一步扩大650 V表面贴装的快恢复整流管（高达......
足市场对于CFP封装产品不断增长的需求。为满足高电压功率应用的广大需求，Nexperia计划进一步扩大650 V表面贴装的快恢复整流管（高达30 A），在市场上提供超越同行的丰富产品组合。对于......
加大投资，扩大产能，以满足市场对于CFP封装产品不断增长的需求。为满足高电压功率应用的广大需求，Nexperia计划进一步扩大650 V表面贴装的快恢复整流管（高达30 A），在市......
提供定制产品。此外，Vishay将提供650 V至1700 V SiC MOSFET路线图，导通电阻范围10 mΩ到1 Ω，包括计划发布的AEC-Q101标准汽车级产品。Vishay的SiC平台......
8 个 SiFive X280 核心 Milk-V 表示，Oasis 主板支持高达 64GB 的 128 位 LPDDR5-5500 内存，并支持多种存储选项，包括： 1 x M.2 M-Key......
降低添加额外外部组件所需的高昂成本，从而为最终用户带来显著的益处。 与当前可用的器件相比，这些新MOSFET的导通电阻(RDSon)降幅高达31%。Nexperia还计划在今年晚些时候进一步加强其NextPower 80......
香山处理器要来了，中科院自研芯片瞄准14nm 自研RISC-V架构; 近日，中科院计算所介绍了RISC-V发展以及中科院RISC-V开源处理器“香山”等相关情况。据悉，香山第二代南湖架构计划......
1700 V SiC MOSFET路线图，导通电阻范围10 mΩ到1 Ω，包括计划发布的AEC-Q101标准汽车级产品。Vishay的SiC平台基于专有MOSFET技术——公司最近收购MaxPower......
V SiC MOSFET路线图，导通电阻范围10 mΩ到1 Ω，包括计划发布的AEC-Q101标准汽车级产品。Vishay的SiC平台基于专有MOSFET技术——公司最近收购MaxPower......
TDK推出S2安全等级的超紧凑型电机运行电容器;集团（东京证券交易所代码：6762）计划于2023年9月推出新的爱普科斯(EPCOS) B33331I6*系列紧凑型电机运行电容器。新系列电容的安全等级高达......
宣布了一款名为 AX65 的新型高端 内核，具有 13 级流水线和乱序执行。 RISC-V如今已跃入高性能计算元年。在 RISC-V高性能计算领域，已有多家创新企业计划在2023......
方面也证实最近以高级会员的身份加入了该组织，Premier会员每年的费用高达25W美元，并享有RISC-V国际董事会和技术指导委员会的席位。 在美......
TDK推出S2安全等级的超紧凑型电机运行电容器B33331I6*; 【导读】TDK集团计划于2023年9月推出新的爱普科斯(EPCOS) B33331I6*系列紧凑型电机运行电容器。新系列电容的安全等级高达......
，Titanium Ti375 FPGA符合汽车标准，并已通过ISO26262认证，这是汽车制造商所重视的一项安全标准。它采用16纳米工艺制造，拥有高达100万个逻辑元件，以及一个四核32位RISC-V内核......
应用范围来看，三星表示计划扩大QLC第9代V-NAND的应用范围，从品牌消费产品开始，并扩展到移动通用闪存(UFS)、PC和服务器SSD，以满足包括云服务提供商在内的客户需求。 今年4月......
漏极电流。此设计采用电源管理，对 GaN 偏置流程进行简化。 广告 可在 4.5 到 40 V 的输入电压下运行；在 4 A 电流下，可生成最高达 24 V 的稳定可调的输出电压，变化......
为最终用户带来显著的益处。与当前可用的器件相比，这些新MOSFET的导通电阻(RDSon)降幅高达31%。Nexperia还计划在今年晚些时候进一步加强其NextPower 80/100  V产品组合，再发......
3.3 V之间配置，最大电流可达200 mA。另外两个电源轨作为负载开关运行，从外部来源切换高达100 mA电流。在直接由nPM1300供电时，也可以作为低压差（LDO）电压转换器运作。作为LDO工作......
三星电子推出首款基于第八代V-NAND的车载SSD; 【导读】三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借......
散热器可以更小、更便宜。由于 SiC 能够在高达 175°C 的结温 (Tj) 下工作，因此进一步降低了对散热器的需求。 为了进一步提高效率，应用正在转向更高电压，以减小电流，从而降低损耗。例如......
架构。据统计，在2023年，半导体产业面临库存压力的状况下，内嵌AndesCore的SoC累计出货量仍突破了140亿颗。根据2024年1月发布的SHD营销报告，晶心科技在RISC-V IP供货商中，市场占有率高达......
商中，市场占有率高达30%，为全球第一大RISC-V CPU IP供货商。 近年来，RISC-V 在车用电子、资安技术和人工智能等先进领域正经历快速扩展，在高阶应用处理器的发展也备受期待。SHD......
正致力于为市场带来更多选择和便利性，以满足市场对高容量、高效率应用显著增加的需求。” Nexperia计划不断增加其SiC二极管产品组合，包括工作电压为650 V和1200 V、电流范围为6-20 A的和车规级器件。新款SiC二极......
适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。 三星半导体基于第八代V......
RECOM提供高达 20 A 电流的新型 RPL 与 RPH 系列降压转换器; 【导读】RPL-1.0 系列的输入电压范围为 3 - 22 V，输出电压为 0.6 - 12 V，输出......
转换器调节，可在1.0至3.3 V之间配置，最大电流可达200 mA。另外两个电源轨作为负载开关运行，从外部来源切换高达100 mA电流。在直接由nPM1300供电时，也可以作为低压差（LDO）电压......
，高度仅为 2 mm。根据输入/输出电压组合的不同，该模块满载时的工作温度可达 80 ℃ 以上，降额时温度高达 125 ℃。5 V 输入电压和 3.3 V 输出电压时的典型效率为 84%。RPH-3.0......
，高度仅为 2 mm。根据输入/输出电压组合的不同，该模块满载时的工作温度可达 80 ℃ 以上，降额时温度高达 125 ℃。5 V 输入电压和 3.3 V 输出电压时的典型效率为 84%。RPH-3.0......
降低添加额外外部组件所需的高昂成本，从而为最终用户带来显著的益处。 与当前可用的器件相比，这些新MOSFET的导通电阻(RDSon)降幅高达31%。Nexperia还计划......
入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒)，相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。 三星1Tb TLC 第8代V-NAND产品......
器。 目标是到 2025 年，Syntacore 开发出足够强大的 RISC-V 设计来为俄罗斯政府和教育系统提供动力。整个项目计划成本为 300 亿卢布（4 亿美元），预计要销售 6 万个......
降低了对散热的要求。再加上它能够在高达 175°C 的结温 (Tj) 下工作，因而对风扇和散热片等散热措施的需求减少。系统尺寸、重量和成本也得以减小，并且在空间受限的应用中也能保障更高的可靠性。 需要......
系列首批器件中的一款，其 VDSS 为 1700 V，具有更高的 VGS，为 -15/+25 V，并且其 RDS(ON) 典型值仅 28 m。 这些 1700 V MOSFET 可在高达 175°C 的结......
的导通损耗和开关损耗更低，因此降低了对散热的要求。再加上它能够在高达 175°C 的结温 (Tj) 下工作，因而对风扇和散热片等散热措施的需求减少。系统尺寸、重量和成本也得以减小，并且......
一季智能手机生产表现更显疲弱，全球产量仅达3.1亿支，季减12.8%。对比去年同期，品牌因华为（Huawei）市占退让所采取的积极布局策略大相迳庭，产量年衰退幅度也高达10.1%。 展望第二季，面对......
扩充至64 KB。在容量提升的同时，其他特性也得以保留，包括运行频率高达160 MHz的Arm® Cortex®-M4内核、集成代码闪存以及32 KB数据闪存并支持10万次的编程／擦写周期。此外，上述......
8 A时），设计ESD放电电压高达15 kV，并且外壳设计和高度和适用的接口类型相匹配。 电源线VBUS (CC / SBU) 在电压≤20 V、电流≤5 A条件下的最大传输功率可达100 W。因此......
)控制器和第八代V-NAND (V8)技术，展现出优异的性能和更强的能效，使其成为端侧人工智能PC的优选解决方案。相比于上一代产品PM9A1a，PM9E1在性能、存储容量、能效和安全性等 SSD关键......
)控制器和第八代V-NAND (V8)技术，展现出优异的性能和更强的能效，使其成为端侧人工智能PC的优选解决方案。相比于上一代产品PM9A1a，PM9E1在性能、存储容量、能效和安全性等 SSD关键......
V 至 3.6 V，AD4682 的吞吐量高达 1 MSPS，而 AD4683 的吞吐量高达 500 kSPS。模拟输入类型为伪差分，并在 CS 的下降终端进行采样和转换。 集成......
，而且经过优化，可大大降低开关损耗，专为功率高达 22 kW 的车载充电器 (OBC) 和高低压 DC-DC 转换器而设计。   图 1：安森美 1200 V EliteSiC M3S MOSFET......
经过优化，可大大降低开关损耗，专为功率高达 22 kW 的车载充电器 (OBC) 和高低压 DC-DC 转换器而设计。 图 1：安森美 1200 V EliteSiC M3S MOSFET 荣获......
经过优化，可大大降低开关损耗，专为功率高达 22 kW 的车载充电器 (OBC) 和高低压 DC-DC 转换器而设计。 图 1：安森美 1200 V EliteSiC M3S MOSFET 荣获......
经过优化，可大大降低开关损耗，专为功率高达 22 kW 的车载充电器 (OBC) 和高低压 DC-DC 转换器而设计。 图 1：安森美 1200 V EliteSiC M3S MOSFET 荣获 2023......
，适用于USB-C (D+ / D-) 的常规USB2.0数据总线。它们的箝位电压分别为3.9 V和4.0 V（ITLP为8 A时），设计ESD放电电压高达15 kV，并且......
注意事项。)有关完整规格。 主要性能规格 带宽高达 200 MHz 高达 6000 V 差分（DC + pk AC） 高达 2300 V 公共电压 (RMS) 主要特征 超量程指示器 安全认证 可切......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特......
PM9E1启动量产：三星当前最强PC SSD，专为人工智能应用打造;PM9E1采用三星的5nm控制器和第八代V-NAND，性能和能效显著提升，适配人工智能 PC的需求与上一代产品相比，其顺序读/写速......
Bourns推出第二代符合 AEC－Q200 标准的高爬电／间隙距离 汽车级隔离电源变压器; HCT8xxxxEAL 系列变压器-高可靠性、紧凑型解决方案，提供高达 800 V 的加强绝缘和高达......

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