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MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
要经过一段时间，高压下Rds会消耗大量的功率，而导致mos管发热异常。该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。
2）防止栅源极间过电压:
由于栅极与源极......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
表示。
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。
3、MOS管的特性
上述MOS管的......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
以实现不同VDD（芯片工作电压）的MCU之间进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1。5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
，于是就会有电流从漏极流入，再经过导电沟道从S极流出，一般把形成沟道时的栅源极电压称为开启电压，用Vt表示，也即是图中E2电压。
如果改变E2电压大小，栅极下面的电场大小随之变化，吸引......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
用于增加对分析物的灵敏度，因此更容易测量漏极电流。SMU2连接到漏极端并施加漏极电压（VD）并测量漏极电流（ID）。
扩展栅FET（EGFET）
图6显示了一个扩展栅FET，它包括一个传感结构和一个MOSFET。在这种生物场效应管......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成采用衬底驱动输入晶体管的......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
S或S到D都一样的电阻。
在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。
两个电阻分压后，为G提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。
在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。两个......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
D都一样的电阻。
在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。
两个电阻分压后，为G提供电压......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
电路），这样两只管子就变成了并联工作了。因为电子管的栅极是上作在相对阴极为负的情况下，使得偏置电路也极为简单，此原理不能用于晶体管或运放电路中。
场效应管功放级电路原理，差分......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
下，就有较大的漏极电流流向源极（如果加负的Vgs，那么可能出现夹断，此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***：可以在正负的栅源电压......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
为射极输出器）和以基极为公共端的共基放大电路。它们的组成原则和分析方法相同，这里不再赘述。
2、场效应管放大电路
场效应管通过栅-源之间电压......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
和漏极之间可以形成一个电子通道。
假设体电压变得比源极更负（VSB>0）。现在更多的空穴被吸引到体端子，导致在沟道附近形成更大的耗尽区。这意味着阈值电压的增加，因为现在需要更大的栅极电压来克服耗尽区的电荷并形成沟道。当......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
结构的双极型晶体管称为普通双极性晶体三极管简称普通双极管。
(2)场效应管
场效应管的内部含有许多由导电材料构成的栅源和漏源两个电极形成的空间电荷层而构成具有放大能力的器件叫场效应晶体管，也叫......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为负，P 沟道 MOSFET 或简单的 PMOS 将激活。但是，它需要满足每个 MOSFET 数据表的栅极到源极电压要求。当 MOSFET 激活时，通道将关闭，电流将流向它，而不......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
MOSFET开关损耗简介;本文将通过解释功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。本文引用地址：的工作可以分为两种基本模式：线性和开关。在线性模式中，晶体管的栅极到源极电压......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
他任何开路输出的比较器代替运放，因为开路输出的高电平状态输出阻抗在1千欧以上，压降较大，后面一级的三极管将无法截止2. 栅极驱动部分：后面三极管和电阻，稳压管组成的电路进一步放大信号，驱动场效应管的栅极并利用场效应管本身的栅极电......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
的导数。
跨导在线性区域可以定义为：
方程式2
对于饱和区域，为：
方程式3
其中：
ID是漏极电流
VGS是栅源电压
VDS是漏极到源极电压
Vth是阈值电压
μ是晶......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
因为即使自举电容放电结束，即高端MOS的栅源电压下降到4.4V仍然大于LR7843的Vth=2.3V。
那么在上述驱动板中，自举电路就没有作用了吗?当然不是，由于MOS管的特性，自举电路在增加栅源电压的同时，还可......
纳芯微新品，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管的半桥芯片NSD26(2023-02-15)
感Lcs。
其中，栅极环路电感Lg_pcb会在栅极电压开通或关断过程产生振铃，如果振铃超出GaN的栅源电压范围，容易造成栅极击穿；并且在上管开通过程中，高dv/dt产生的米勒电流会在下管的......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-05)
dv/dt产生的米勒电流会在下管的Lg_pcb上产生正向压降，有可能造成GaN的栅极电压大于开启电压，从而误导通。而共源极电感Lcs造成的影响，主要是会限制GaN电流的di/dt，增加......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-03)
振铃超出GaN的栅源电压范围，容易造成栅极击穿；并且在上管开通过程中，高dv/dt产生的米勒电流会在下管的Lg_pcb上产生正向压降，有可能造成GaN的栅极电压大于开启电压，从而误导通。而共源极电感Lcs造成......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-06 09:46)
内部打线造成的共源极电感Lcs。
传统分立方案引入寄生电感
其中，栅极环路电感Lg_pcb会在栅极电压开通或关断过程产生振铃，如果振铃超出GaN的栅源电压范围，容易造成栅极击穿；并且......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
是两种型号的表示符号：3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允......
隔离式栅极驱动器设计技巧(2023-08-21)
MOSFET有时会使用这种栅极驱动 。在开关应用中，强烈建议对 SiC 和 GaN MOSFET 使用负偏压栅极驱动，因为在高di/dt和dv/dt开关期间，非理想 PCB 布局引入的寄生电感可能会导致功率晶体管的栅源驱动电压......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-01-29)
范围，容易造成栅极击穿；并且在上管开通过程中，高dv/dt产生的米勒电流会在下管的Lg_pcb上产生正向压降，有可能造成GaN的栅极电压大于开启电压，从而误导通。而共源极电感Lcs造成的影响，主要......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
的正常高电平输出提供必要的基极-发射极电压，作为NPN双极结型晶体管的控制输入。它在基极-发射极结上建立足够的电压，使晶体管进入导通状态。
电阻分压器连接到高端MOSFET开关的栅极引脚和源极引脚，以控制其栅源电压(VGS......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
，先为栅极、源极和漏极端建立适当的偏置条件非常重要。栅源电压(VGS)在控制MOSFET导通方面起着关键作用。对于P沟道MOSFET，栅极电压必须比源极电压低，并且差值需至少等于MOSFET阈值电压。此负......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意(2024-03-25 14:36)
驱动器的损耗为了跟上超过 1 MHz 的快速开关频率，如上所述，LT8418 泵出 4 A 的峰值拉电流和 8 A 的灌电流，以实现 GaN 功率场效应管的快速开通和关断。Analog Devices 表示，该栅极驱动器的电源电压......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意(2024-03-22)
功率场效应管的快速开通和关断。
Analog Devices 表示，该栅极驱动器的电源电压为 3.85 至 5.5 V，具有 10 ns 的快速传播延迟，并在顶部和底部通道之间保持 1.5 ns 的延......
几个氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点(2023-02-27)
其相关电感更低。
栅极驱动布线
当 NCP51820 向 HS GaNFET 栅极提供电流时，该栅极电流来自 VDDH 调节器旁路电容中储存的电荷。如图3所示，拉电流流经 HO 驱动器源极阻抗和栅源电阻，进入......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
均为常闭型 N 沟道场效应管。GAN063-650WSAQ 处理的额定最大漏源电压为 650 伏，可承受 800 伏的瞬态（脉冲宽度小于一微秒）。其额定漏电流为 34.5 安培 (A)，在 25℃ 时的......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
低至少 VT（阈值电压）。当电池反接时，体二极管反偏，栅极和源极电压相同，因此 P 沟道 MOSFET 关断。使用一个额外的齐纳二极管来箝位 P 沟道 MOSFET 的栅极，在电压......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
出高电平（约11V），场效应管进入可变电阻区，栅极电荷量积累过多，会导致场效应管切换回恒流区时速度过慢。可以通过降低LM358的电源电压（降低至7V左右），限制其输出的电压幅度，改善上述现象。
输入电压......
使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）(2023-02-27)
极驱动裕量对于减少这些损耗起着重要作用。
● 源极电感
这是栅极驱动器电流环路和输出电流环路共享的电感。负栅极驱动电压裕量与源极引线电感相结合，会对负载下输出的开关速度产生直接影响，这是源极电感的源极退化效应......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管;一、电压的测量1、直流电压的测量，如电池、随身听电源等。首先将黑表笔插进“com”孔，红表笔插进“V Ω ”。把旋......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
的控制。我们从图上观察，发现N-MOSFET管的源极S和漏极D之间存在两个背靠背的pn结，当栅极-源极电压VGS不加电压时，不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
相关企业
营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司经过严格的科学认证，市场调研区分，选取市场信誉好，品质稳定可靠的场效应管与二三极管品牌作为公司的主营业务。作为一家专业的场效应管与二三极管的
目前，海信微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应管
;大连恒森微波电子有限公司驻深办;;采购负责人； 您好！ 我公司系专业生产霍尔ＩＣ及场效应管的生产厂家，霍尔IC的产品型号有；１７７，２７７，３１４４，３０４０，３５０３（其中3040可完
微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的
电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的
2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的新纪元。目前海信微电子有限公司的SW系列场效应管系列产品在品质上已经达到了FAIRCHILD、ST
设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的新纪元。目前海信微电子有限公司的SW系列场效应管系列产品在品质上已经达到了FAIRCHILD、ST、SAMSUNG的产
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