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运行效率高得多。 本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理，展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势，介绍Nexperia的实际案例，并对其应用进行了讨论。 01......
Functional Materials 2021, 31, 2103007]。 图1.器件工作原理示意图 基于前期的工作积累，研究人员从GaN基半导体p-n异质结能带结构设计，MBE外延......
上使其可以无限重用。 这项技术利用了芯片表面电学性质穿透石墨烯膜的原理。由于半导体材料不是直接与芯片通过二维材料粘合，因此只有半导体材料可以剥离。 特别是，广泛应用于LED显示器和电动汽车充电设备的GaN半导......
纳微半导体在上海成立全球首家针对电动汽车的氮化镓功率芯片设计中心;2022年1月14日，北京—— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas Semiconductor（纳斯......
EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管，实现75~231A脉冲电流;宜普电源转换公司（EPC）推出三款激光驱动器电路板，这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET......
EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管，实现75~231A脉冲电流;宜普电源转换公司（EPC）推出三款激光驱动器电路板，这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET......
该设计的噪声频谱与可听频率有很大不同，但原理是相同的。 为什么 GaN 开关比硅“更平滑”且振铃更少?在 Nexperia 的案例中，答案在于设备的设计。 GaN HEMT 作为具有自然“开启”状态......
纳微公布人工智能数据中心电源技术路线图，预计12个月功率密度提升三倍;专注于氮化镓（GaN）功率IC和碳化硅（SiC）技术的纳微半导体（Navitas Semiconductor）日前......
纳微公布人工智能数据中心电源技术路线图，预计12个月功率密度提升三倍;专注于氮化镓（GaN）功率IC和碳化硅（SiC）技术的纳微半导体（Navitas Semiconductor）日前......
），还可对应SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等化合物半导体晶圆，NA的调节范围也从现款机型的0.45～0.63扩大到0.30～0.63，通过选择更小的NA option，从而......
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。 2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延......
誉鸿锦半导体GaN技术发布会，携Super IDM模式推动产业效率革命; 2023年10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆）正式举办氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023......
第三代半导体13项标准获得新进展！;近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）官方微信消息，其标准化委员会（CASAS）公布了13项标准新进展，包括2项GaN HEMT动态......
· 由于 NexGen eMode 器件技术的控制原理，没有动态导通电阻 · 降低 GaN-on-GaN 同质外延层中的缺陷密度 · 显着降低输出电容，从而......
中首款高压GAN转换器，可在宽范围工作电压（9 V至23 V）中分别提供50 W、65 W和高达100 W的功率。我们还推出了EVLVIPGAN100PD，这是我们首款用于USB-PD应用的VIPERGAN100......
确保了更高的效率。高度集成的MasterGaN IC，所以无需再考虑GaN驱动的复杂性，即可享受GaN技术的好处，增强了应用的稳定性和PCB布局的简化。新型ST-ONE控制器基于先进的氮化镓（GaN......
研究成果包括高性能Ga2O3功率二极管制备方法、基于GaNHEMT器件的含碳颗粒物传感器、具有片上光电探测器的GaN基白光发光二极管、非接触式表面粗糙度测量器件和高性能GaN条形发光二极管。相关......
从原理到实例：GaN为何值得期待？;功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。在功......
誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命;10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆) 正式举办氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023......
推出效率超高*的65W USB-C GaN优化参考设计，该设计旨在解决电源中的复杂热性能挑战。这一备受期待的突破性开发成果将提供其他设计中所未有的独特功能和优势组合，必将彻底改变USB-C快速......
宣布推出效率超高*的65W GaN优化参考设计，该设计旨在解决电源中的复杂热性能挑战。这一备受期待的突破性开发成果将提供其他设计中所未有的独特功能和优势组合，必将彻底改变USB-C快速......
是导致大多数半导体在现实应用中失效的最大环境因素。元件的预期寿命会随着温度的每一度升高而缩短。本文引用地址： 本文将带您深入探讨设计工程师在过程中需要关注的一些关键问题。具体来说，我们将聚焦大功率氮化镓（GaN）器件......
用更低的成本推动器件的大规模应用。 2023年10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布......
公司是一家专注于提高电气效率的清洁技术公司，它是第一家创造出所需技术的公司，使GaN在大功率、高电压、使用硬开关的应用（如HVAC和机器人的电机驱动系统）中的工作频率远远超过100kHz直至20MHz的电流限制。这项颠覆性的技术开辟了GaN市场......
第一家创造出所需技术的公司，使GaN在大功率、高电压、使用硬开关的应用（如HVAC和机器人的电机驱动系统）中的工作频率远远超过100kHz直至20MHz的电流限制。这项颠覆性的技术开辟了GaN市场......
浦推出了全新 i.MX 9 系列。借助以 FuSa 为核心原理的微处理器，机器人系统可以更安全地运行。 电源技术的突破： 氮化镓（GaN）技术的应用正在彻底改变电力电子技术。与传统硅器件相比，GaN提供......
效能参考设计方案，它是一款基于 的隔离式电源是一款新型离线高压转换器，具有 650 V HEMT 功率 GaN 晶体管，专为准谐振反激式转换器设计，能够在宽范围内提供高达 100 W 的输出功率。该方......
美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：适配于氮化镓（GaN）开关器件，工作于高频开关频率场合下的小体积PFC & LLC方案。本文......
美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：适配于氮化镓（GaN）开关器件，工作于高频开关频率场合下的小体积PFC & LLC方案。 NCL2801是安......
动汽车往往要占据充电桩半小时左右才可以完成临时补能。这也直接导致高速充电桩轮转率低，在服务区“抢”充电桩成了每个长途电车车主的必备技能。 提升充电速率成为各大车企的重要任务，而影响充电速率最大的因素——功率半导体成为首要攻关对象。本文将带你了解功率半导体的工作原理......
推出效率超高*的65W USB-C GaN优化参考设计，该设计旨在解决电源中的复杂热性能挑战。这一备受期待的突破性开发成果将提供其他设计中所未有的独特功能和优势组合，必将彻底改变USB-C快速......
级轻载模式下PFC自动进入间歇工作模式以降低开关损耗。   图2：240W图腾柱PFC电路原理图 PWM部分使用安森美的NCP13994高频电流模式LLC 控制器及2只75mohm的drive GaN......
进行说明，相关说明也适用于INN3990CQ。 首先，我们将要了解InnoSwitch3-EP系列的主要特性，INN3690C的特性及典型应用。 图1‑1 InnoSwitch3-EP典型应用原理图 如图......
巧用这三个GaN 器件 轻松搞定紧凑型电源设计;紧凑型 100 瓦电源的应用范围不断增加，从 AC-DC 充电器和适配器、USB 供电 (PD) 充电器和快速充电(QC) 适配器，到 LED 照明......
GaN的工作原理、SFET和HV GaN集成、类似单芯片的简单性(杂散电感最小) 、鲁棒栅极特性、性能优越以及具备高批量的可制造性。而从开关特性对比来看， TO-247-4L GaN具有......
GaN格局，开年大变;要说最近几年功率器件哪个方向最火热，一定是第三代半导体。昨日，瑞萨宣布3.39亿美元收购Transphorm，进军氮化镓（GaN）领域，引燃整个芯片圈。   近期，GaN领域......
全球GaN最新应用进展！;自2018年10月25日，Anker发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费......
GaN竞赛中，罗姆如何取得领先优势？;SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为第三代半导体材料两大代表，在市场应用中愈发具备自己的特色。许多公司为了布局更全的产线，发挥二者的专长，均采用“Si+SiC......
GaN竞赛中，罗姆如何取得领先优势？;作者: 付斌SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为第三代半导体材料两大代表，在市场应用中愈发具备自己的特色。许多公司为了布局更全的产线，发挥二者的专长，均采......
Navitas 在 GaN 半导体领域的设计之旅; Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化镓 (GaN) 供应商，在拉斯维加斯举行的 CES 2023 上展......
GaN衬底研发获新突破！;近日，北京大学与中镓半导体、波兰国家高压实验室开展了合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。 实验使用乙烯气源制备了半绝缘GaN衬底，并对......
满足了在灵活性、高功率密度以及低成本等方面的挑战。 阎金光表示，InnoSwitch 5-Pro转换效率可达95%，最主要原因是采用了氮化镓（GaN）的功率开关。值得注意的是，此次InnoSwitch 5-Pro......
韩国硅晶圆厂新签代工协议，发力8英寸GaN功率半导体;据韩媒报道，9月22日，东部高科（DB Hitech）与韩国半导体公司A-pro Semicon宣布签署了一项开发GaN功率......
英诺赛科Q1收入达1.5亿，同比增长3倍！;4月14日，英诺赛科官方消息披露，央视二套正点财经栏目上个月聚焦消费电子市场动态，重点报道了GaN氮化镓快充，对GaN材料的应用与普及进行了介绍，并采......
两家厂商达成跨国合作，聚集GaN射频市场;GaN市场虽不如SiC市场火热，但今年以来行业内动作也不少，既反映了GaN市场格局处于调整期的事实，也透露出GaN厂商在各应用市场稳步前行的信号。目前，相关......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术， 推动行业变革; 凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革; •凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 •利用现有的大规模300 mm......
德州仪器扩大氮化镓（GaN）半导体自有制造规模， 产能提升至原来的四倍;德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品 新闻亮点： 德州......
适用于自主驾驶车辆LiDAR的GaN FET快速指南;激光探测及测距 () 的应用包括车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类参与其中，因此人们担心 激光......
碳化硅与氮化镓的未来将怎样共存？;氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体现已量产并迅速扩大市场份额。 据市场研究公司 Yole 称，到 2027 年底，GaN 和 SiC 器件......

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恢复损耗,提高EMI正常在5％个DB左右.具有很低的Vf电压. GaN产品,GaN的二极管具有0反向恢复时间.是代替SIC产品的理想材料,且价格比SIC低许多.适合高频工作.可达800KHZ. 模块