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从原理到实例：GaN为何值得期待？;功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。在功......
+GaN”的策略，打造三代半功率器件“双料冠军”。 罗姆半导体（ROHM）作为功率器件的领先厂商，产品不仅涵盖IGBT、SJ-MOSFET、SBD、FRD和SiC器件，也包括GaN。那么，罗姆......
用“Si+SiC+GaN”的策略，打造三代半功率器件“双料冠军”。罗姆半导体（ROHM）作为功率器件的领先厂商，产品不仅涵盖IGBT、SJ-MOSFET、SBD、FRD和SiC器件，也包括GaN。那么......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术;ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术 将GaN器件与控制IC相结合，助力......
消费电子之外的多个领域持续释放。 01 GaN正在加速“上车” 在汽车电动化与智能化趋势下，汽车搭载的电子电力系统越来越多。而与传统硅材料相比，基于GaN材料制备的功率器件......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术;将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立......
切入电力电子器件，LED企业在GaN领域谋转型;随着氮化镓（GaN）功率器件市场份额逐渐增加，近年来GaN功率器件供应链参与者日益增多。从参与企业类型来看，除了英诺赛科、纳微半导体、聚能......
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期; 功率半导体领域已有很多年未发生系统性技术变革，目前热门的宽禁带（WBG）功率器件已经开始占据自己所“擅长”的市场领域——（）功率器件......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术;全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件......
越化学特殊改进的QST（Qromis衬底技术）基板上仅剥离氮化镓（GaN）功能层，并将其粘合到不同材料的基材 该技术实现了GaN的垂直导电，有望为可控制大电流的垂直GaN功率器件的制造和商业化做出贡献。两家......
测试共源共栅氮化镓 FET;Cascode GaN 动态测试面临的挑战　　Cascode GaN 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为......
在市场和产业链规模方面都在处于追赶者的位置。 最近GaN的一系列新动态，预示着该材料在各类应用中的商用正在加速。在如今的各类展会和高峰论坛上，众多搭载GaN器件的新设备亮相，其中......
罗姆GaN器件带来颠覆性革命,体积减少99%,损耗降低55%;本文引用地址：引言 如今，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为了实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率器件......
的更高的效率和功率密度印象深刻，这导致器件具有比硅同类产品更大的功率能力。然而，高端现在也越来越多地转向 GaN 技术，因为 GaN FET 的平滑开关特性导致注入放大器的可听噪声更少。 最近，包括Technics(松下......
GaN的里程碑：晶圆向300mm过渡;氮化镓（GaN）作为一种高性能半导体材料，因其在高频、高功率、高温和高压环境下的卓越性能而备受关注。随着对高性能电子器件需求的不断增长，GaN技术......
的导通损耗增加，并缩短器件在应用中的寿命。” 研究人员将NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ级GaN JFET（图1）的性能与商用650V和1200V碳化硅（SiC）金属......
正在迅速接近其理论极限。 因此设计者需要考虑基于宽带隙 (WBG) 材料的器件，如氮化镓 (GaN)。GaN 器件的开关速度比硅器件快，能处理更高的电压和功率水平，在既定功率水平下体积小得多，而且......
工艺通过在受控气体气氛中将其加热到(1000°C甚至更高)的高温，直接在蓝宝石衬底上形成用于光源的薄GaN器件层，然后必须从衬底上移除(剥离)器件层以创建基于GaN的微光源器件。 虽然......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术; 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件......
Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET;业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商 奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件......
Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计;奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件......
Shin-Etsu Chemical进一步推进QST®基板业务，促进在GaN功率器件中的应用;旨在为解决社会问题做出贡献 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.（总部：东京；社长......
：硅 (Si)、碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、硅超级结 (Si SJ) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) / 栅极关断 (GTO) 晶闸管器件在功率和频率方面的比较（图源：作者......
宽禁带功率半导体的竞争格局及趋势分析;SiC、GaN在功率半导体中扮演不同角色 宽禁带半导体在国内也被称为“第三代半导体”，目前以SiC、GaN材料半导体器件为代表，适用于光电子、功率电子、射频......
%。功率半导体在超高压输电、大数据中心、工业互联网、城际高铁以及新能源汽车和充电桩等行业被采用。 在终端需求大幅增加的情况下，IGBT、MOSFET、SiC、GaN器件的市场机遇有多少？在本期《国际......
Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高......
进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。 随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET......
汽车是典型代表，由于市场空间广阔，SiC 几乎成为先进功率器件的代名词。而 GaN 则更倾向于在射频应用领域拓展，它在功率器件方面的拓展步伐不如 SiC，目前来看，更多的是在中小功率应用方面，典型......
和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新......
世界上最大的超6英寸GaN籽晶问世！;3月15日，日本丰田合成宣布与日本大阪大学（OsakaUniversity）成功研制出尺寸超6英寸的GaN籽晶，有助于GaN功率器件......
传统硅具有显著的优势，包括更高的电子迁移率、更高的击穿电压和更低的导通电阻。这些特性使得GaN器件能够在更高频率下工作，同时降低功率损耗。 高效率：GaN器件的导通损耗和开关损耗显著低于传统硅器件。例如，TI的......
时为 1.5 W/cmK），需要仔细设计布局和适当的开发出能够有效散热的封装技术。通过用 GaN 晶体管代替硅基器件，工程师可以设计出更小、更轻、能量损失更少且成本更低的电子系统。  受汽车、电信......
ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC;~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~    全球知名半导体制造商ROHM......
碳化硅与氮化镓的未来将怎样共存？;氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体现已量产并迅速扩大市场份额。 据市场研究公司 Yole 称，到 2027 年底，GaN 和 SiC 器件......
碳化硅与氮化镓的未来将怎样共存？;氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体现已量产并迅速扩大市场份额。 据市场研究公司 Yole 称，到 2027 年底，GaN 和 SiC 器件......
Nexperia推出支持低压和高压应用的E－mode GAN FET;业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商基础半导体器件......
及其为功率转换行业带来的新可能性。问：什么推动了宽禁带 (WBG) 器件的市场增长？Doug Bailey：对于氮化镓 (GaN)，效率是影响其他一切的关键驱动因素，从而产生更少的热量、更小......
及其为功率转换行业带来的新可能性。 问：什么推动了宽禁带 (WBG) 器件的市场增长？ Doug Bailey：对于氮化镓 (GaN)，效率是影响其他一切的关键驱动因素，从而产生更少的热量、更小......
家提供高可靠性、高性能氮化镓 (GaN) 功率转换产品的领军企业和全球供应商。该公司宣布将在 PCIM 2023 展会上重点展示其在全功率范围市场应用中不断延伸的足迹。参展器件......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术;将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立......
生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于近日开始供应样品。 图片来源：信越化学 从氮化镓生产上看，尽管GaN器件制造商可以使用现有的Si生产线来生产GaN，但由于缺乏适合GaN生长......
SiC 和 GaN：两种半导体的故事以及以后发展的预测; 在过去的几十年里，碳化硅和氮化镓技术的进步以发展、行业接受度的提高和有望带来数十亿美元的收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001......
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标，现已按照功率级别划分;公司的高压氮化镓(GaN)器件在各种功率级别的应用中持续提供一流的可靠性  高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源......
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标，现已按照功率级别划分;公司的高压氮化镓(GaN)器件在各种功率级别的应用中持续提供一流的可靠性 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC技术; 【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用......
）今日宣布推出 ，这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计，可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。 GaN 器件是耗尽型 FET，运行时需要施加负栅极电压。在使用 GaN PA......
GaN格局，开年大变;要说最近几年功率器件哪个方向最火热，一定是第三代半导体。昨日，瑞萨宣布3.39亿美元收购Transphorm，进军氮化镓（GaN）领域，引燃整个芯片圈。   近期，GaN领域......
在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。Yole预测，GaN射频器件市场规模将从2020年的8.91亿美......
在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。 Yole预测，GaN射频器件市场规模将从2020年的8.91......
英诺赛科出货量破亿！;据外媒报道，英诺赛科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出货量已突破1亿。 据化合物半导体市场了解，英诺赛科的8英寸晶圆产线自2019年开始大规模生产，并于2021年成......

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