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以及氮化镓系统公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。 9月20日，大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品......
产品的GaN电源转换器方案的实体图  近年来，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料在消费电子领域的渗透率不断提升，其能够以高能效和高功率密度实现电源转换，在快充时代备受欢迎。针对此趋势，基于ST......
）ViperGaN50器件的GaN电源转换器方案。 图示1-大联大友尚基于ST产品的GaN电源转换器方案的实体图 近年来，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料在消费电子领域的渗透率不断提升，其能......
上市产品上市时间。利用GaN功率晶体管的高能效，参考设计一次侧采用无散热器设计。此外，GaN晶体管的开关性能出色，工作频率高于普通硅基MOSFET解决方案，因此可以使用较小的电磁元件和电容，实现......
科技介绍称，GaN系统公司是业界领先且备受好评的氮化镓功率晶体管开发商，其产品已经涉足汽车领域。然而，氮化镓晶体管在汽车应用中仍有很大的潜力，相比硅晶体管它的体积更小，性能更高效、使用更经济。 图片......
阻率。 近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
器由 GaN Systems提供功率晶体管，从而显着提高了功率密度。 新的转换器采用 GaN Systems 的 GS61008P（一款 100V 增强型硅基 GaN 功率晶体管），实现......
器件的低成本化。 Source：丰田合成 据介绍，为制造超过6英寸的GaN 衬底，丰田合成与大阪大学采用了钠助熔剂法（Sodium Flux Method），该方法是在钠和镓的液态金属中生长 GaN 晶体。基于......
效能参考设计方案，它是一款基于 的隔离式电源是一款新型离线高压转换器，具有 650 V HEMT 功率 GaN 晶体管，专为准谐振反激式转换器设计，能够在宽范围内提供高达 100 W 的输出功率。该方......
绍，STPOWER™ GaN晶体管是基于氮化镓(GaN)的高效晶体管，提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。 该系......
公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了GaN高电子迁移率晶体管。为了进一步提高金刚石的导热性，研究人员在GaN和金刚石之间加入了一层3C-SiC（立方碳化硅）层。这一技术显著降低了界面的热阻，从而提高了散热效率。 封面图片来源：拍信网......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性; 【导读】意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小......
运行效率高得多。 本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理，展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势，介绍Nexperia的实际案例，并对其应用进行了讨论。 01......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？;据无锡高新区消息，12月15日，吴越半导体GaN晶体出片仪式在无锡高新区举行。仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体......
管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。 氮化镓(GaN)产品......
二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。 而KYOCERA AVX公司成立于2021年4月，是由京瓷的“企业电子元件部门”和“AVX”合并......
基于Navitas NV6115的150W电源解决方案;传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上，出于两个方面的原因-传导和开关切换，设备可能会出现能量损失。GaN......
家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两......
日本开发新技术，可实现GaN垂直导电;当地时间11月13日，冲电气工业株式会社（OKI）与信越化学合作，宣布成功开发出一种技术，该技术使用OKI的CFB（晶体薄膜键合）技术，从信......
招聘网信息，瀚镓半导体由上海集成电路材料研究院支撑孵化，专注于GaN晶体材料制造技术及相关设备、应用技术的开发，进行GaN自支撑晶圆制造关键技术中试研发与产业化。 封面图片来源：拍信网......
生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于近日开始供应样品。 图片来源：信越化学 从氮化镓生产上看，尽管GaN器件制造商可以使用现有的Si生产线来生产GaN，但由于缺乏适合GaN生长......
碍子表示，通过该工艺，其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同时生长了9个晶体的实验。 除了碳化硅，日本碍子在氮化镓（GaN）方面也有布局。 早在2012年，日本碍子便在其他研究机构的协助下，在开......
d-mode晶体管和SiC二极管生产线投产。该公司称，下一个里程碑将是建设SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线，这些产线预计在未来两年内在汉堡工厂建成。 封面图片......
方案为日常生活带来创新体验。CGD 从事 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发及商业化，从根本上改进器件能效和尺寸，并使其适合量产。CGD 拥有领先的创新技能和宏图大志，不断扩大知识产权组合，为 ICeGaN™ 技术......
管系列专为直接替代现有产品而设计，为现有平台提供了无缝升级路径，帮助设计人员快速实现重新设计。这一全新的分立式GaN晶体管系列在前代技术的基础上进一步提升，并在性能上超越了市场上的GaN竞品......
Guerrilla RF宣布收购Gallium GaN技术;近期，Guerrilla RF宣布收购了Gallium Semiconductor的GaN功率......
、哈曼、西门子、昕诺飞和飞利浦等行业领导者，都依靠GaN Systems的晶体管来降低二氧化碳排放水平并提高其电力系统的效用和能源效率。 Vitesco Technologies作为......
市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。 CoolGaN™ G3系列晶体......
也成为当前的热门。作为一种高电子迁移率晶体管（HEMT），GaN FET优异的材料和器件特性使其成为汽车电源系统和射频器件中，更先进应用的理想选择。 此外，EV的电力系统常常在高开关频率、高输......
得到自支撑氮化镓衬底。 2021年12月，吴越半导体在无锡高新区举行GaN晶体出片仪式，会上展示了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体。 封面图片来源：拍信网......
意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效; 【导读】意法半导体 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高......
管动态导通电阻测试方法》描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应......
费快充市场的大规模应用。 根据TrendForce集邦咨询分析，随着GaN功率晶体管价格不断下降，以及技术方案愈趋成熟的态势下，预估至2025年GaN在整体快充领域的市场渗透率将达到52%。 光伏......
化合物公司是由中国电子下属的华大半导体投资的一家做碳化硅SiC晶体、衬底、外延片和GaN外延片产品的专业化宽禁带半导体材料制造企业。 2019年，中电化合物半导体项目落户在宁波杭州湾新区，是浙......
电力。 ►场景应用图 ►产品实体图 ►展示板照片 ►方案方块图 ►电路图(Schematic) ►核心技术优势 1.功率因数调整电路 (PFC) IC : NCP1616 : 是一......
金，复合增长率高达65%。预计至2025年左右，GaN将小批量地渗透到低功率OBC和DC-DC中，再远到2030年，OEM或考虑将该技术引入牵引逆变器。 封面图片来源：拍信网......
晶盛机电：1000kg级蓝宝石成功问世;5月14日，晶盛机电宣布，其子公司晶环电子1000kg级超大尺寸蓝宝石晶体成功问世，再次刷新了超大尺寸蓝宝石研发的世界纪录。 晶盛机电表示，这是......
三季度末发布完整的生产版本。 据稳懋半导体介绍，该平台的核心是0.12μm栅极RF GaN HEMT技术，该技术结合了多项改进，以增强直流和射频的耐用性，并增加芯片级防潮性。NP12-0B集成了多项晶体管改进，在深度饱和/高压......
管则可以算得上是信息时代的基础。甚至在美国东部还有一个区域以此命名：硅谷。但现在似乎硅的时代终于快要结束了。 颇具潜力的候选者当属氮化镓(GaN)，由 GaN制成的晶体管的开关速度比硅晶体......
研发长晶新技术，1小时可制成优质GaN基底 外媒称，日本国家材料科学研究所与东京工业大学研发了一种生长高质量GaN晶体的技术，与现有技术生长的GaN晶体相比，新技术制成的GaN晶体缺陷会少很多。该技......
级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。   意法半导体的MasterGaN-SiP在一个封装内整合了GaN功率晶体......
（IGaN）公司共同开发8英寸650V E-MODE GaN功率晶体管。 今年6月消息，A-pro Semicon稳定了基于8英寸外延片650V高压GaN功率半导体元件的良率，并成功实现量产技术。同时......
Technologies）选择了GaN来提高其 Gen5+ GaN Air DC-DC转换器的电源效率。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的CoolGaN™晶体管650 V能够......
%)和可持续性树立了新标准。 CoolGaN™晶体管650 V 基于GaN的晶体......
（IGBT），率先引入碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），开启全球第三代半导体扩产潮。至于氮化镓（GaN）功率元件市场则由消费性产品（如手机快充）、电信......
发高性能的深紫外和极紫外光刻胶提供了一种新思路。 可水显影的二氧化碳基化学放大光刻胶的合成路线、光刻过程和光刻结果 图片来源：国家自然科学基金委员会官网 阵列碳纳米管晶体管 北京大学电子学院、碳基电子学研究中心张志勇教授课题组在碳纳米管晶体......
Systems提供功率晶体管，从而显着提高了功率密度。 新的转换器采用 GaN Systems 的 GS61008P（一款 100V 增强型硅基 GaN 功率晶体管），实现系统尺寸减小 46%。 瑞萨......
Systems提供功率晶体管，从而显着提高了功率密度。 新的转换器采用 GaN Systems 的 GS61008P（一款 100V 增强型硅基 GaN 功率晶体管），实现系统尺寸减小 46%。瑞萨......
半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车......
凑意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。 该系......

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