近期,为了推进GaN在高频市场的应用,英诺赛科基于150V电压平台推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 两款中低压 GaN。
其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封装,体积小巧,且开关损耗低,具有良好的效率表现,目前已成功量产。INN150FQ070A,采用 FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引脚设计,已通过小批量试产。
Source:英诺赛科
这两款产品能够满足工业级可靠性要求,主要应用于太阳能系统优化器和微型逆变器,PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等。
从业绩上来看,今年第一季度,英诺赛科的GaN芯片出货量突破了5000万颗,销售额达1.5亿,是去年同期的4倍。同时,依靠8英寸硅基GaN IDM全产业链的优势,英诺赛科40V/100V/150V低压平台也实现全面升级, 40V双向导通产品、100V半桥驱动合封产品等多系列产品相继发布。
GaN寻找新蓝海
当前,消费电子是GaN应用的主要驱动力,尤其是在手机快充领域。但在过去几年,基于GaN的手机快充渗透率持续提升,且手机充电器属于低频消费品,更换周期长,当前智能手机出货量又总体萎靡,加之有众多企业涌入手机快充领域,导致该领域已经进入红海市场。所以,对于GaN企业来说,扩展全新的版图显得尤为重要。而to B市场则比较有增长潜力。尤其是在新能源领域。
除了此次英诺赛科的GaN产品被用于微型逆变器之外,去年年末,浙江贝尼电气官网对外展示了他们的2800W四路微型逆变器,并声称是全球首款成熟的应用GaN技术的微型逆变器。
此外,去年的德国慕尼黑电子展期间,无晶圆半导体公司Cambridge GaN Devices (CGD)与荷兰Neways国际电子公司签署了合作协议,拟共同开发高效GaN光伏太阳能逆变器产品。总体来看,目前已经有厂商开始将GaN器件应用于微型逆变器产品中。
光伏之外,GaN上车也成为当前的热门。作为一种高电子迁移率晶体管(HEMT),GaN FET优异的材料和器件特性使其成为汽车电源系统和射频器件中,更先进应用的理想选择。
此外,EV的电力系统常常在高开关频率、高输出电流和高电压下运行,GaN所具备的出色的高频特性可以被用在电动汽车的牵引逆变器、车载充电机(OBC)、DC/DC转换器、激光雷达上的电源模块、汽车座舱内的无线充电等场景中。据悉,欧盟已在2021年启动项目,目标是将GaN的电压提升到1200V,并将晶圆尺寸从6吋增大到12吋。
目前,英诺赛科GaN已经用于车载激光雷达产品上,且实现了量产。今年年初,GaN Systems在应用电力电子会议 (APEC 2023) 上发表了最新 11kW/800V GaN车载充电器 (On-Board Charger) 参考设计,与采用SiC晶体管产品相比,提高 36% 功率密度,降低至少 15% 整体物料清单 (BOM) 成本。
此外,2021年宝马与GaN Systems合作,就宝马高性能车载标准氮化镓功率半导体签订了全面的产能协议,合作金额达1亿美元。
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