资讯
最高240瓦！USB供电标准再现台阶式飞跃，会带来哪些影响？(2023-01-14)
最大功率达到24瓦。
而OPPO在2014年推出低压大电流充电方案，通过改变MicroUSB数据线中的触电、内部线，从头改造电路，制造专属OPPO的特制数据线，达到快速充电的效果，初代VOOC......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
量身定做的全新自研板级封装、双面散热，散热能力远超同尺寸DFN”，刘家才先生介绍到。
2022年1月，氮矽科技推出国内领先的80V耐压的氮化镓半桥驱动DX2104C。这是自2020年3月氮矽科技推出氮化镓低......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
相关。Charlie举例道，对于暖风空调系统，新的 SEER 评级为 14，因此要求系统的效率达到85%，而以前的标准要求系统的效率仅为 80%，因此就需要电机驱动的效率不断提升。
氮化镓低......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
的器件在使用上不便且有安全方面的问题，因此D-mode氮化镓HEMT器件在应用中，经常级联/串联低压硅MOS一起使用，如下图所示。
图 3 共源共栅GaN HEMT
D-mode氮化镓功率器件和低压......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
的优点
另一种比硅大近3倍的WBG材料是GaN。氮化镓不能用于超低压应用，但它具有允许更高击穿电压和更高热稳定性的优点。氮化镓可显著提高功率转换级的效率，使其成为制造肖特基二极管、功率 MOSFET 和高......
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期(2024-06-17)
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期;
功率半导体领域已有很多年未发生系统性技术变革，目前热门的宽禁带（WBG）功率器件已经开始占据自己所“擅长”的市场领域——（）功率......
ITECH艾德克斯发布IT8900G/L系列新品，突破低压测试极限，开启多领域测试新篇章(2024-10-18 10:48)
大功率直流电子负载系列。作为公司在电源测试领域的重要战略产品，该系列特别针对低压带载测试进行了深入优化。凭借0.075V/60A和0.75V/600A的极低电压大电流负载能力，IT8900G/L将为燃料电池、超级......
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-03)
崩塌。动态导通电阻会突然上升，在大电流、高频率工作时，这一问题尤其严重，导致器件发热，导通损耗加大，电流上升受阻等现象。量芯微这次提供的新一代 1200V 功率器件也是全球第一款在高频、高压开关下实现稳定动态导通电阻的氮化镓......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光;宜普电源转换公司（EPC）宣布推出15 V、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板（EPC9144）。在飞行时间（ToF）系统，对侦......
新能源汽车高压连接器的应用及选型标准(2024-04-02)
新能源汽车高压连接器的应用及选型标准;新能源汽车用连接器是连接器大类中的一种，是近几年随着国家新能源汽车的发展，逐渐从传统高压大电流和传统低压汽车连接器中分离出来的一类连接器。相较于传统高压大电流......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
型 FET 在电源系统中是有问题的，因为在给系统通电之前，必须对氮化镓耗尽型 FET 施加负偏压。
解决这个问题的一个方法是将低压硅 FET 与耗尽型 GaN FET 组合在一个共源共栅放大电路配置中（图......
氮化镓取代碳化硅，从PI开始？(2023-11-13)
其他在任何电压时都具有更高的效率，在低压时，提升了至少1%的效率，这也意味着可减少20%损耗，从而实现更好的温升表现。
同时我们也可以看到，在高压应用时，氮化镓与碳化硅的效率则较为接近。
实测......
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-03)
导通电阻会突然上升，在大电流、高频率工作时，这一问题尤其严重，导致器件发热，导通损耗加大，电流上升受阻等现象。量芯微这次提供的新一代 1200V 功率器件也是全球第一款在高频、高压开关下实现稳定动态导通电阻的氮化镓......
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-04 15:04)
导通电阻会突然上升，在大电流、高频率工作时，这一问题尤其严重，导致器件发热，导通损耗加大，电流上升受阻等现象。量芯微这次提供的新一代 1200V 功率器件也是全球第一款在高频、高压开关下实现稳定动态导通电阻的氮化镓......
芯导科技净利年增54.38%，氮化镓业务最新进展曝光(2022-02-24)
业务最新进展与竞争优势。
芯导科技介绍，公司氮化镓芯片研发集中在650VGaN-on-SiHEMT功率器件和相关配套IC上,主要用于消费类电子领域。目前已研发出的产品有8A到15A电流等级，同时相关的氮化镓......
英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201(2023-01-11)
开关管以及 100V 半桥驱动器。内部集成的驱动器省去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数。半桥氮化镓器件具备60A连续电流能力，无反向恢复电荷，并具......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计(2023-01-13)
器件。电源适配器以及所有通用交直流电源的低压线路（即90Vac）具有高电流，需要并联两个PQFN封装（常见于增强型氮化镓器件）的功率管，以达到所要求的功率输出——使用这种方法，器件数量翻倍，降低......
SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该氮化镓功率管的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中，这种晶体管封装形式具有出色的低压......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-29 09:49)
能够将开关速度提升13倍，脉冲宽度减小五分之一。当前，L2辅助驾驶使用MOS方案识别距离只有100m，L2+/L3辅助驾驶必须达到200m/300m的中远距离识别，只有使用窄脉冲、大峰值电流、高功率的氮化镓方案，才能......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
的方法适用于正确的目的
Transphorm以不同的方式处理氮化镓功率半导体。其技术平台将常开型的氮化镓Normally-off D-mode HEMT与高可靠、高性能的常闭型的低压硅MOSFET在D-mode结构中结合在一起。这确......
德索讲新能源汽车高压连接器的技术概述(2023-09-25)
连接器里分离出来的一种连接器，若是跟高压大电流连接器相比较的话，新能源汽车连接器在使用的时候是很复杂的，同时对连接器的可靠性会有更高的要求，和低压汽车连接器相比较的话，新能......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-30)
识别距离只有100m，L2+/L3辅助驾驶必须达到200m/300m的中远距离识别，只有使用窄脉冲、大峰值电流、高功率的氮化镓方案，才能......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
，氧化镓极有可能成为高功率、大电压应用领域的主导者。
图片
上述表格横向对比了氧化镓与碳化硅、氮化镓的各项性能差异。可以看出，它的各项性能指标较碳化硅以及氮化镓有着显著的优势。其中......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计(2023-01-13)
计使用了三个Transphorm的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该氮化镓功率管的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(2023-02-07)
优势可实现最高功率密度。
氮化镓晶体管具备快速开关、亚纳秒级转换和在短于3 ns 时间内可生成大电流脉冲的优势，使激光雷达在自动驾驶、停泊......
英飞凌实现GaN技术突破——单片高压CoolGaN BDS大幅简化双向开关设计GaN(2024-07-24)
沟槽型MOS。在实际应用中，目前市场上采用该技术的产品并不多。然而，氮化镓材料在许多应用场景中非常需要内含电流检测功能，据程文涛分享，原因有二：
· 无损检测：该材料通过提取沟槽中的电流......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计(2021-02-24)
MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。开启和断开时间分别为410 ps和320 ps。 EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统(2023-02-07)
向恢复损耗和更低的驱动功率，可实现高效率。结合极小的占板面积，这些优势可实现最高功率密度。
氮化镓晶体管具备快速开关、亚纳秒级转换和在短于3 ns 时间内可生成大电流脉冲的优势，使激光雷达在自动驾驶、停泊......
纳微半导体发布全新GaNSense Control合封氮化镓芯片(2023-05-22)
尺寸和重量减半的前提下，实现高达3倍的功率处理能力或快3倍的充电能力。在电源系统中，一个优化的高频低压 (LV) 硅系统控制器必不可少。纳微不仅开发了这样的控制器还将其与其高性能的氮化镓芯片集成在一起，推出......
第三代半导体赛道火热，晶方科技/东微半导/中瓷电子等有大动作(2022-02-10)
以及抗辐射等恶劣条件的新要求，目前主要应用于光电、电力电子、微波射频等领域。其中，碳化硅和氮化镓技术发展相对成熟，已经开始产业化应用。
根据TrendForce集邦咨询此前的报告，受益于新能源汽车、光伏......
实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试(2023-07-19)
场上具有标志性意义，传统的氮化镓功率器件最高电压普遍停留在低压应用。为了能够实现对GaN HEMT功率器件动态特性进行精准测试，对应的测试系统往往需要注意以下几点：1. 测量设备具有足够的带宽，确保......
实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试(2023-07-18)
场上具有标志性意义，传统的氮化镓功率器件最高电压普遍停留在低压应用。
为了能够实现对GaN HEMT功率器件动态特性进行精准测试，对应的测试系统往往需要注意以下几点：
1. 测量设备具有足够的带宽，确保......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07 11:58)
向恢复损耗和更低的驱动功率，可实现高效率。结合极小的占板面积，这些优势可实现最高功率密度。氮化镓晶体管具备快速开关、亚纳秒级转换和在短于3 ns 时间内可生成大电流脉冲的优势，使激光雷达在自动驾驶、停泊......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比，新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓场效应晶体管EPC2204相结合，使得解决方案尺寸可缩小20%以上，而且在20 V和12 V输出......
基于Richtek RT9759+RT1716+RT9471之手机内部智能式电容(2022-12-21)
。目前快充主要分两种，高压小电流或者低压大电流，关于高压小电流方案，高电压输入手机之后会有一个降压过程，此时手机内部会产生热损耗，导致发热严重。因此，不少采用这套方案的手机在亮屏时都不会激活快充，以防......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
的输入电压转换为5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比，新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07)
认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。
作为增强型氮化镓......
Acrel-2000T无线测温监控系统结构分析(2023-03-22)
Acrel-2000T无线测温监控系统结构分析;1、概述
Acrel-2000T无线测温监控系统装置适用于高低压开关柜内电缆接头、断路器触头、刀闸开关、高压电缆中间头、干式变压器、低压大电流......
OPPO小米锤子都有快充了，苹果为何还犹豫不决？(2016-10-28)
重的情况是导致锂电池发生爆炸或自然等事故。因此使用这一技术，手机厂商需要充分考虑到安全问题。
与之相比，低压大电流的方式，理论上安全性较高。不过，低压大电流技术主要由 OPPO 倡导，技术也仅限制在自身的产品上，难以......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO(2023-01-13)
，业界只有Transphorm提供这种封装形式的高压氮化镓器件。以及所有通用交直流电源的低压线路（即90Vac）具有高电流，需要并联两个PQFN封装（常见于增强型氮化镓器件）的功率管，以达......
iPhone不用快充，或因为电池技术不成熟？(2016-10-31)
重的情况是导致锂电池发生爆炸或自然等事故。因此使用这一技术，手机厂商需要充分考虑到安全问题。
与之相比，低压大电流的方式，理论上安全性较高。不过，低压大电流技术主要由OPPO倡导，技术......
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？(2023-09-19)
四方面的发展趋势最值得关注：
高压中小功率段，控制器/驱动与氮化镓的合封将会成为主流；
高压大功率段，双向氮化镓器件会快速发展并得到应用。这种器件可以将光伏微逆、储能逆变器、充电桩等系统成本降低50%以上, 很有可能重新定义整个高压大......
英诺赛科推出500W 电机驱动方案，消费、工业双向击破(2024-04-09)
晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓产品，涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类，并为客户提供全氮化镓......
汽车DC/DC正式采用GaN！供应商是谁？(2024-08-13)
机上，已正式启用BrightLoop的DC-AC 逆变器，主要负责动力推进、货物升降等运行工作。
据悉，BrightLoop的电源转换器采用了先进的半导体技术，包括碳化硅和氮化镓，分别用于高压和低压......
PI推出高压利器：900V氮化镓反激式开关IC助力节能新时代(2023-03-27 10:32)
PI推出高压利器：900V氮化镓反激式开关IC助力节能新时代;随着氮化镓半导体器件技术的不断进步，氮化镓反激式开关IC在未来几年中市场需求将会持续增长。这主要得益于其具有更高的功率密度、更高......
德索谈新能源汽车高压连接器的应用及选择标准(2023-09-25)
德索谈新能源汽车高压连接器的应用及选择标准;德索精密工业工程师指出，新能源汽车用连接器是连接器的主要类型之一。近年来，随着国家新能源汽车的发展，逐渐脱离了传统的高压大电流连接器和传统的低压......
为什么Type-C接口充电更快？(2024-03-21)
快充技术的国产手机快速发展，低压快充技术逐渐占据市场。两种充电方式相比，低压大电流的充电方式在同样功率下能实现更高的效率。而传统的电缆（充电线）及接口无法承受大电流，无法保证充电安全。
电缆 来源 | 360......
第三代半导体占据市场主流，碳化硅还是氮化镓，一山容不容二“虎”？(2023-02-08)
硅（SiC）、氮化镓（GaN）两种材料兴起，有助解决传统硅基元件遭遇的困境。第三代化合物半导体具备耐高温、耐大电压、快速作动等特性，可以广泛应用于高功率、高频和高温电子电力系统，如电......
Power Integrations推出1700V氮化镓开关IC，为氮化镓技术树立新标杆(2024-11-05 09:51)
隔离通信技术；以及几乎消除了开关损耗的不需要有源钳位的零电压开关(ZVS)技术。”Yole Group化合物半导体部门市场活动经理Ezgi Dogmus表示：“据我们所知，1700V额定耐压大大高于任何其他市售的氮化镓......
金升阳推出40-60A高可靠性非隔离POL数字电源(2023-07-04)
金升阳推出40-60A高可靠性非隔离POL数字电源;
【导读】国内低压大电流市场长期被海外品牌占据，目前国产化、快交付需求日益强烈，国产品牌核心竞争力攀升，金升阳重点研发上市小体积、大电流......
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行灯照明变压器、JBK机床控制变压器、SSG\SGS伺服变压器、DDG低压大电流加热变压器、CDSG\CSSG船用防滴式变压器、UPS、EPS专用变压器、UV变压器、KSG矿用变压器、DN电阻
变压器、低压大电流变压器、行灯变压器、矿用变压器、环形变压器、凹凸焊机变压器、整流变压器、特种变压器、高频变压器、成套电源等产品；竭诚欢迎新老客户莅临指导和洽谈业务。
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宙康电气有限公司热诚欢迎各界朋友前来参观、考察、洽谈业务。我公司主营隔离变压器;整流变压器;三相变单相变压器;斯考特变压器;单相变三相变压器;低压大电流变压器;可调交流隔离变压器;电阻焊电焊机变压器;节电变压器;变频
;无锡臻泓科技有限公司;;本公司是专业生产各类干式变压器、电抗器，为机床、机械及其他自动化控制设备配套，变压器有： JBK3/4/5系列机床控制变压器，JBK5Z系列单相整流变压器，DDG系列低压大电流