资讯
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
上述难点问题,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组分别进行了研究,并在氧化镓功率电子器件领域取得了重要进展。
01高耐压氧化镓二极管
目前,由于氧化镓P型掺杂仍然存在挑战,氧化镓......
氮化镓在采用图腾柱 PFC 的电源设计中达到高效率(2023-10-08)
具有极高的反向复原电荷,会导致高功率损耗和直通损坏的风险。SiC功率MOSFET比硅略有改善,固有本体二极管的反向复原较低。另外,氮化镓提供零反向复原损耗,在三......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列,继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
,正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措,旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。
Nexperia......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光;宜普电源转换公司(EPC)宣布推出15 V、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板(EPC9144)。在飞行时间(ToF)系统,对侦......
纳微半导体发布新一代650V MPS SiC碳化硅二极管(2023-05-12 15:05)
纳微半导体发布新一代650V MPS SiC碳化硅二极管;专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果,第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高......
纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管(2023-05-12)
纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管;
【导读】唯一全面专注的下一代功率半导体公司 — 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)宣布推出第五代高速GeneSiC碳化......
Transphorm赢得美国能源部先进能源研究计划署的合同,提供具有双向电流和电压控制功能的新型四象限氮化镓开关;氮化镓先锋企业Transphorm探索下一代电源转换技术,可用......
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部......
安世半导体与电子器件供应商合作,生产车规GaN功率模块(2022-05-23)
件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。
而KYOCERA AVX公司成立于2021年4月,是由京瓷的“企业电子元件部门”和“AVX”合并......
这个氮化镓功率半导体项目迎新进展(2024-09-20)
这个氮化镓功率半导体项目迎新进展;近日,广东省江门市生态环境局新会分局发布了“冠鼎半导体氮化镓功率半导体生产新建项目”的环评文件受理公告。
公告显示,冠鼎半导体氮化镓......
EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流(2024-01-18)
让用户易于使用,所有评估板均配备EPC9989内插器PCB,具备各种占位面积以安装各种激光二极管或其他负载。客户可针对其基于氮化镓器件的解决方案,选择合适的评估板。
EPC9179/81/80 板由......
氧化镓:10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
率器件里,目前主要是肖特基二极管和场效应晶体管,其它器件结构还未开展。
(1)氧化镓基肖特基二极管
对于肖特基二极管,其精准的势垒高度调控仍然是个难题,同时其体电场仍有较大的优化空间,另外......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息,镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备,预计将显著提升产能,以满足全球市场对氧化镓......
深耕半导体产业30年!深爱半导体厚积薄发(2021-04-11)
率双极晶体管、肖特基二极管(SBD)、LED驱动IC、IGBT、PD (Photo Diode)等产品和技术。
据了解,深爱半导体成立于1988年2月,现有一条5英寸双极功率晶体管芯片生产线,一条......
TI推出250W氮化镓IPM,比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
) 切换氮化镓FET。在MOSFET中,体二极管具有高零反向恢复特性,限制了开关 di/dt 和 dv/dt,并导致额外的损耗和相节点电压振铃。对于IGBT,即使添加优化的反并联二极管,仍然......
Nexperia将于2021年9月21日-23日举办“Power Live”(2021-08-30)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付1000......
大联大诠鼎集团推出TOSHIBA LED智能照明解决方案(2014-06-24)
英寸具有昂贵蓝宝石衬底的芯片上完成。东芝和普瑞公司(Bridgelux, Inc.)已开发出一个在200 mm硅芯片上制造氮化镓发光二极管的工艺,东芝也已经将该工艺投入了其日本加贺(Kaga......
宜普电源转换公司(EPC)eToF™ 激光驱动器IC,助力革新激光雷达系统设计(2021-02-24)
MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下,调制并实现高达10 A的激光驱动电流。开启和断开时间分别为410 ps和320 ps。 EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
的优点
另一种比硅大近3倍的WBG材料是GaN。氮化镓不能用于超低压应用,但它具有允许更高击穿电压和更高热稳定性的优点。氮化镓可显著提高功率转换级的效率,使其成为制造肖特基二极管、功率 MOSFET 和高......
纳微半导体发布全新GeneSiC SiCPAK™模块(2023-05-11)
到插件TO-247,GeneSiC SiCPAK模块打通了直接进入高功率应用领域的初始入口。纳微至此形成了包括功率模块,高电压SiC MOSFETs和MPS二极管、GaN功率集成电路、高速......
深圳国际半导体展直击:30+三代半厂商亮相!(2023-05-19)
科技、氮矽科技、汉骅半导体等业内领先企业在会上展示了以SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)为核心的最新研发成果和先进技术,面向工业、能源、汽车和消费电子等领域。
天域半导体
此次展会现场,天域......
Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
Nexperia
Nexperia,作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓......
闻泰科技安世半导体马来西亚封测厂大幅扩产,产能提升85%(2021-12-20)
东莞建有封测厂,马来西亚封测厂现在主要生产小信号MOS和二极管器件。
闻泰科技官微指出,此次扩产计划起始于2021年11月,预计在2022年5月可实现基层库房和一楼行政的部分搬迁,并实现新产能。在此......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-12)
件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
Nexperia超低电容ESD保护二极管保护汽车数据接口(2022-08-02)
件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付1000多亿......
华润微:深圳12英寸线预计2024年底通线(2023-09-04)
均规模上量,今年上半年碳化硅和氮化镓产品销售收入同比增长约3.6倍,预计下半年的增速会继续提高。下游应用方面,碳化硅产品主要应用于汽车电子、充电桩、工业电源、光伏、储能等,SiC 二极管、SiCMOSFET......
泰克先进半导体实验室:量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-03)
条件:陪测管SiC 二极管,Ron = Roff = 10Ω,负载电感400uH,Vds: 800V,Vgs: 0~12V, Id: 15A)
测试挑战与解决方案
平面结构氮化镓......
联电大举购置新机台扩产,瞄准8英寸晶圆第三代半导体制造领域(2022-05-09)
提供6英寸氮化镓晶圆代工服务,生产CMOS 制程的二极管、MOSFET 以及滤波器等。多年前联电将旗下6英寸厂转给联颖光电。在2021年下半年开始,联颖光电业绩持续上升。市场......
下一代半导体:一路向宽,一路向窄(2021-09-28)
禁带半导体在紫外发光、紫外探测有着广阔的应用空间。基于氮化铝镓等超宽禁带半导体的紫外发光二极管和紫外激光二极管应用于杀菌消毒等医疗卫生领域,特定波长的紫外线能帮助人体补钙。在工业上,超宽......
生产大批量基础半导体器件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部......
ADRF5141数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:43)
件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低压晶体管到晶体管逻辑 (LVTTL) 的控件。ADRF5141 无需额外的驱动电路,这使其成为基于氮化镓 (GaN) 和 PIN 二极管......
Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET(2022-07-27)
件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET(2022-07-06)
二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付1000多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22)
Nexperia,作为生产大批量基础半导体二极管件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN......
实测案例:1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试(2023-07-19)
实测案例:1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试;未来高压氮化镓器件在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表,具有极快的开关速度,能够......
实测案例:1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试(2023-07-18)
器件:量芯微的1200伏氮化镓器件GPIHV15DK
• 上管器件:TO-252封装的1200伏碳化硅二极管
• 测试点:栅极的信号的测试点,主回路电流的测试点,源漏极Vds的电压的测试点
泰克......
Nexperia的50µA齐纳二极管产品组合 可延长电池续航时间,节省PCB空间(2022-01-27)
Nexperia
Nexperia,作为生产大批量基础半导体器件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN......
闻泰科技IGBT系列产品已流片成功 近年许多新品进入收货期(2022-03-10)
通过车规级认证并应用于新能源汽车领域,是全球少数可提供车规级氮化镓器件的厂商。
碳化硅方面,2021年11月,安世半导体推出了工业级650V、10ASiC肖特基二极管,汉堡晶圆厂已部署AixtronMOCVD设备采用G5WWC生产......
三安光电上半年营收61.14亿元 子公司三安集成表现亮眼(2021-07-30)
不断攀升,公司光技术的营收能力将进一步增强。
电力电子产品主要为高功率密度碳化硅二极管、MOSFET及硅基氮化镓产品。碳化硅二极管上半年新开拓客户518家,出货客户超过180家,超过60种产......
收购Applied Micro后,MACOM在光通信和射频应用方面有了新动向(2016-12-16)
购史
MACOM是一家有着60多年历史的公司。在2000年之前,该公司在业内是一家知名度非常高的微波、射频半导体厂商,产品从普遍的分立二极管、三极管,到集成IC,再到大功率器件,产品线相当广。
后来......
展会预告|安世半导体将携创新技术亮相PCIM,预约直播带你沉浸式逛展(2024-08-21)
硅双脉冲测试演示板✔ 65W氮化镓PD充电器解决方案✔ 120V/4A半桥驱动演示板✔ 隔离产品多输入输出演示盒✔ 理想二极管演示板✔ 电子保险丝演示板
☞ 硬控你∞秒!立刻探索
8月29日 预约直播,直击......
Nexperia的锗化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、热稳定性,能够节省空间(2020-05-27)
问官网。
Nexperia
Nexperia,作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓......
300+客户通过验证,长沙160亿半导体项目规划二期建设(2022-04-12)
半导体正在规划项目二期建设。
资料显示,长沙三安半导体产业项目总投资160亿元,主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地,项目投产后可广泛用于新能源汽车、高铁......
总投资160亿元,湖南三安半导体项目即将迎来新进展(2021-06-07)
首批设备点亮。
湖南三安半导体项目是省市重点工程,总投资160亿元,总占地面积约1000亩,主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地,项目......
泰克先进半导体实验室:量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-03)
条件:陪测管SiC 二极管,Ron = Roff = 10Ω,负载电感400uH,Vds: 800V,Vgs: 0~12V, Id: 15A)
测试挑战与解决方案
平面结构氮化镓功率器件实现高压开关,主要......
泰克先进半导体实验室:量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-04 15:04)
管SiC 二极管,Ron = Roff = 10Ω,负载电感400uH,Vds: 800V,Vgs: 0~12V, Id: 15A)测试挑战与解决方案平面结构氮化镓功率器件实现高压开关,主要......
安世半导体将在汉堡投资2亿美元 研发下一代宽禁带半导体产品(2024-06-28 14:58)
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时,晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际,与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士......
安世半导体将在汉堡投资2亿美元 研发下一代宽禁带半导体产品(2024-06-28)
下一代宽禁带半导体产品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时,晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际,与汉堡经济部长Melanie......
纳微半导体Q1净销售额增至1340万美元 预计2023年全年营收将翻番(2023-05-19)
半导体联合创始人兼首席执行官Gene Sheridan表示,领先的氮化镓、碳化硅、数字隔离器和低压硅基系统控制芯片全面组合,正在转化为巨额客户价值、市场应用和财务业绩,季度收入与2022年同......
相关企业
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
MMIC 及各种功能组件、硅宽带放大三极管)及光电子器件( DC-18GHz PIN 光电检探器、 DFB 激光二极管、 PUMP 单模激光二极管、 3-7W PUMP 多模激光二极管)。应用于军事、航天
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装,材料采用氮化镓(GaN),结构为电解出型,封装形式为直插型,型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号,形状有圆头,椭圆,草帽,钢盔,方形
检波. 混频二极管,阶跃.PIN.体效应二极管,恒流.变容二极管,砷化镓.肖特基.快恢复二极管,开关.整流.高反压二极管和大功率金封稳压管。金属圆帽三极管,高频发射管,差分对管,场效应管,可控硅,达林顿管,放大
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案,满足全球客户需求。我们是市场领导者,专门为移动设备,3G和4G蜂窝基站,WLAN
: 1. 华磊光电独立发展有机金属化学气相沉积磊晶技术(MOCVD technology),已成功开发出高效率之蓝光(440-475nm)、绿光(500-535nm)及紫外光(420-365nm)发光二极管
港注册设立公司, 美国IR亚洲地区总代理, 韩国KCC社 中国总代理, 氧化铝DBC基板,氮化铝DBC基板。 韩国HIVRON社 中国总代理,功率器件模块 IGBT模块,二极管模块。 HEXEM以 “信赖, 创意, 狭义
;深圳市芯诚科技有限公司;;深圳市芯诚科技有限公司专业生产和经营二、三极管。如直插二极管、贴片二极管、稳压二极管、肖特基二极管、开光二极管、整流二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管、变容二极管、瞬变二极管
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始,在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓(GaAs
;东莞电子贸易有限公司;;供应类型: PIN 二极管 功率三极管 开关二极管 低电压二极管 达林顿管 整流二极管 稳压二极管 微波三极管 肖特基二极管 高频三极管 桥式整流桥 快恢复二极管 射频三极管