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“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-30)
作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子迁移率也是硅材料的3倍，同时金刚石在室温下有极低的本征载流子浓度......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-29)
迁移率也是硅材料的3倍，同时金刚石在室温下有极低的本征载流子浓度，且具备优异的耐高温属性。
浙商证券王华君指出，随着5G通讯时代全面展开，金刚石单晶材料在半导体、高频功率器件中的应用日益凸显，目前......
基于昆明物理研究所的Au掺杂碲镉汞长波探测器探究(2023-03-17)
所形成的电流。
载流子浓度相同的情况下，碲镉汞器件的扩散电流与少子寿命成反比，因此提高材料的少子寿命可以降低器件扩散电流。采用非本征Au掺杂原子代替本身就为深能级复合中心的本征......
讲透三极管(2024-06-13)
单向导电性并不是百分之百。
为什么会出现这种现象呢？
这主要是因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外，还总是会有极少数的本征载流子“电子”出现。N区也是一样，除了多数载流子电子之外，也会有极少数的载流子......
两家国产企业半导体设备有新进展(2023-11-29)
配置上，SICV200具有各种尺寸的半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案，可直接对接客户工厂MES系统，实现自动化生产。
优睿谱总经理唐德明博士介绍，在衬底上进行同质外延时，载流子浓度......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P(positive)型;同理，掺杂五价元素，电子为“多子”，掺杂类型为N(negative)型......
想要单片机顺手，搞懂这些三极管知识！(2023-01-13)
区却多射出了4个单位的电子。我人为的增加了1个单位的基极电流，而发射极却多射出了4个单位的电子，增加了4单位的电流，why?
不要用公式ie=ib-ic=(1+3)ib说明，请从三极管内部载流子......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
耗尽区两侧P+ 、N+载流子浓度更高，因此形成耗尽区宽度，较普通PN结更薄，耗尽区带电离子浓度更高，内建电场Eb更强。当在PN结两端加反向偏压如图[9]所示，该电压产生的电场与内建电场同向叠加，当耗......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
键特性对比
表一对比了GaN和Si的几种物理参数，不可否认，GaN展现出了更好的性能优势，主要分为以下四点：
1、禁带宽度大：宽禁带使材料能够承受更高温度和更大的电场强度。器件在工作温度上升时， 本征激发的载流子浓度......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
理工学院研究人员首次取得重要科学进展，于实验中发现立方砷化硼晶体为电子、电洞提供高载流子迁移率，扩大该材料于商业领域的潜在用途，比如提高CPU速度。
硅、砷化镓等材料具有良好的电子迁移率，但电......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
意图
在 P 型和 N 型半导体的交界面附近，由于 N 区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由 N 区向电子浓度低的 P 区扩散；扩散的结果使 PN 结中靠 P 区一侧带负电，靠 N......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
二极管、BJT 均为双极型载流子器件，其电导调制效应起主导作用，因此电流越大，阻性越低；温度越高，（电导调制效应越强，载流子浓度越高）阻性越小。
微观世界的神秘风采
好奇......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
。
MOSFET 的工作原理基于栅电压的控制。通过施加正电压或负电压到栅极，可以改变栅电场，进而影响通道中的载流子浓度。当栅电压施加在阈值电压之上时，形成一个导电通道，载流子......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
电极的边缘场调制两个电极之间未覆盖的硅沟道(p 型，10 15 cm
-3)的电荷载流子浓度栅电极，因此允许设备的正常运行。单击此处访问原始文章。
模拟分析肖特基势垒二极管的次线性行为
为研究 SB FET 的次......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
电位，J1 导通。P + 区的少子（空穴）开始进入 N - 区，使得该区的少数载流子浓度超过多数载流子几个数量级（假设集电极电压足够高）。为了保持电荷中性，大量的自由电子从 N + 区吸引到 N......
技术分享｜半导体激光器为什么需要窄线宽？(2024-03-07)
方法，工作点必须在其filter反射谱的上升沿，如图7（b）所示。负反馈的形成如最右边的图，如果频率上升，则反射率上升，DFB腔内光子浓度增加，DFB腔内载流子浓度下降，由于plasma效应......
石墨烯超导重大发现，上海交通大学研究登 Nature(2024-06-20)
/ nm 的垂直位移电场。
▲ 样品结构示意图和光学显微镜照片
通过开展系统的极低温量子输运测量，结合电场调控和静电掺杂调控，实验团队揭示了该系统中空穴掺杂超导随位移电场和载流子浓度变化的完整相图。
实验......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
道效应中的器件亚阈值电流成为妨碍工艺进一步发展的主要因素，尽管提高沟道掺杂浓度可以在一定程度上抑制短沟道效应，然而高掺杂的沟道会增大库伦散射，使载流子迁移率下降，导致器件的速度降低，所以......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
么会出现这种现象呢？这主要是因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外，还总是会有极少数的本征载流子“电子”出现。N区也是一样，除了多数载流子电子之外，也会有极少数的载流子空穴存在。PN结反......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
小组实现了TMDC之间的厚p-n结，其载流子浓度达到了前所未有的高度。此外，他们发现该结呈现出负微分电阻（NDR）的趋势，即电压的增加导致电流的增加越来越少，这是隧道的一个关键特征，也是这些纳米材料进入TFET......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
层结构，研究小组实现了TMDC之间的厚p-n结，其载流子浓度达到了前所未有的高度。此外，他们发现该结呈现出负微分电阻（NDR）的趋势，即电压的增加导致电流的增加越来越少，这是隧道的一个关键特征，也是......
中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
铁电性存在较强耦合。
此外，研究人员通过制备3×4的阵列结构，展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列的可行性。研究人员进一步通过在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子浓度......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
铁电性存在较强耦合。
此外，研究人员通过制备3×4的阵列结构，展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列的可行性。研究人员进一步通过在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子浓度......
几张动图搞懂三极管(2024-11-05 12:00:22)
结和发射结。集电极面积比较大，基极厚度薄而且载流子浓度比较低。下图是个NPN型的三极管：
当发射结正偏时，电荷分布会发生变化，发射结宽度会变窄；相当于给电子打开了一扇e到......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5、场效......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
宽度决定了一种材料所能承受的电场，更大的禁带宽度可以开发出载流子浓度更高的器件结构。
由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构......
用数字万用表判断三极管的引脚(2023-06-26)
以找集电极和发射极了。集电区和发射区参杂的杂质虽然是相同的，但参杂的浓度不同，因此两个PN结的导通电压也是不相同的。发射区参杂浓度高，载流子数量也就多，因此发射结的导通电压要大一些;集电区参杂浓度低，载流子......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，主要采用如IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管）等少数载流子器件（双极型器件），但是......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构的日盲光电探测器实现了响应度和响应速度的同时优化。具有 3 nm......
温差发电器工作原理(2023-02-02)
还给热源的焦耳热 三部分组成， 即为温差电单体的热电转换效率是有用功率与热源所消耗的热量之比。要想得到优值高的温差电材料，只有提高其塞贝克系数和电导率，降低其热导率。但是塞贝克系数、电导率和热导率都在不同程度上依赖于载流子浓度......
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍(2023-04-18)
用上可作为穿戴设备，传感器，充电设备等。
对二维/石墨烯材料，通常使用四探针法或范德堡法测试电阻率，用霍尔效应测测试载流子迁移率及载流子浓度。
二维/石墨烯材料及电子器件电性能测试挑战
二维/石墨......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
得该技术甚至可以在高工作温度下使用。
宽带隙参数
宽带隙半导体的带隙比硅或砷化镓 (GaAs)
等普通半导体宽得多。这自然会转化为更大的击穿电场，并转......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快100倍。而由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。从氮化镓目前的发展来看，据业界披露，一个......
奥松电子推出AIN5000负（氧）离子检测仪(2022-12-26)
奥松电子推出AIN5000负（氧）离子检测仪;
【导读】负离子浓度的高低与人们的健康息息相关，按照世界卫生组织的规定，负氧离子浓度可作为衡量空气是否洁净的标准之一。当每......
家电界的强力装备：负离子发生器HO5系列(2022-11-30)
耗等特点，适用于各种需要产生负离子浓度的终端设备，让负离子健康系列产品加快走进大众生活。
一、工作原理
的工作原理是将输入的直流或交流电经过EMI处理电路及雷击保护电路处理后，通过脉冲式电路，过压......
清华大学材料学院李千课题组合作在半导体中子探测晶体研发领域取得进展(2023-05-12)
型半导体探测器能够在单一材料层中实现中子俘获、能量沉积、载流子产生和收集，具有接近100%的理论本征探测效率和器件结构简单的特点。然而，在设计和开发具有适用于直接中子探测的材料时仍然面临诸多困难。适合......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
界面处自发形成极其快速的导电通道。其自发存在的电子浓度是半导体材料中可达到的最高之一。除此之外，它还可提供两倍于最先进的硅基或碳化硅晶体管的电子迁移率—高达2000 cm2/V∙s。因此，二维电子气有着非常可观的低电阻—电容......
金升阳推出HO5系列负离子发生器，家电界的强力装备(2022-11-17)
足市场日益增多的负离子产品需求，且终端应用客户期望小型化，携带便捷，金升阳重磅推出负离子发生器产品HO5系列。该系列产品具有超小体积、可产生高浓度负离子、低功耗等特点，适用于各种需要产生负离子浓度......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。
“成电协·会员行”专题内容团队今天走进的是深耕第三代半导体氮化镓芯片设计的优秀会员企业——氮矽科技。
氮化镓（GaN）属于......
全固态电池空间电荷层微观机理揭示(2023-03-29)
面附近。之前研究者普遍认为，空间电荷层对离子迁移的影响只由锂离子的浓度决定：锂离子浓度高则有利于离子迁移，锂离子浓度低则不利于离子迁移。为了透彻理解空间电荷层对离子传输的实际影响，需要......
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退(2024-09-19)
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退;随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些......
金升阳HO5系列负离子发生器荣获2022年第二十届TOP10 POWER技术突破奖(2022-11-25)
列产品兼具超小体积、可产生高浓度负离子、低功耗等优势，适用于各种需要产生负离子浓度的终端设备，让负离子健康系列产品加快走进大众生活。①更薄体积、超小尺寸HO5-N502D-C尺寸为37*23*15mm，HO5......
摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓(2023-03-27)
承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。因此，利用GaN人们可以获得具有更大带宽、更高......
钻石，颠覆传统芯片(2023-12-25)
石则是已知天然物质中热导率最高的材料，室温下金刚石的热导率高达 2000Wm‑1K‑1，同时金刚石是宽禁带半导体，具备击穿场强高、载流子迁移率高、抗辐照等优点，在热沉、大功率、高频器件、光学窗口、量子......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
极和漏极端之间形成导电通道。电流开始从漏极流向源极。电流流动的方向与带负电的电子的运动方向相反。栅极电压与载流子一起控制通道。
图4. 使用SMU测试MOSFET的直流I-V特性
如图4所示，电路......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
碳化硅肖特基二极管是肖特基结构，且是多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题，因此碳化硅肖特基二极管可以降低对应换流回路中的开关损耗，在更高的频率环境中工作，且在相同工作频率下具有更高的效率。
在光......
碳中和目标下，低碳技术的商业化进程如何？(2022-08-16)
光电转化的过程。这涉及到电池结构、内建电场、能带排列、表面界面；材料特性、杂质缺陷、光生载流子的激发、输送、载流子迁移率、寿命、扩散长度；设备工艺、材料生长和特性、器件......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
法单晶N型，电阻率270欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 区熔法拉制5次，为N型，电阻率5000欧姆/cm：拉制11次为P型，电阻率为3万欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 用此
;广州市博勒泰贸易有限公司;;广州市博勒泰贸易有限公司 销售部位于中国广州市，广州市博勒泰贸易有限公司 销售部是一家电子天平、酸度计、糖度计、盐度计、干燥箱、粘度计、密度计、离子浓度计、水分
耗氧量测定仪,自动永停滴定仪,氟离子浓度计,数字式离子计
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
计，气体检测仪，酒类/饮料检测仪，重金属测定仪，离子浓度计，等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！