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作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子迁移率也是硅材料的3倍，同时金刚石在室温下有极低的本征载流子浓度......
迁移率也是硅材料的3倍，同时金刚石在室温下有极低的本征载流子浓度，且具备优异的耐高温属性。 浙商证券王华君指出，随着5G通讯时代全面展开，金刚石单晶材料在半导体、高频功率器件中的应用日益凸显，目前......
所形成的电流。 载流子浓度相同的情况下，碲镉汞器件的扩散电流与少子寿命成反比，因此提高材料的少子寿命可以降低器件扩散电流。采用非本征Au掺杂原子代替本身就为深能级复合中心的本征......
配置上，SICV200具有各种尺寸的半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案，可直接对接客户工厂MES系统，实现自动化生产。 优睿谱总经理唐德明博士介绍，在衬底上进行同质外延时，载流子浓度......
区却多射出了4个单位的电子。我人为的增加了1个单位的基极电流，而发射极却多射出了4个单位的电子，增加了4单位的电流，why? 不要用公式ie=ib-ic=(1+3)ib说明，请从三极管内部载流子......
耗尽区两侧P+ 、N+载流子浓度更高，因此形成耗尽区宽度，较普通PN结更薄，耗尽区带电离子浓度更高，内建电场Eb更强。当在PN结两端加反向偏压如图[9]所示，该电压产生的电场与内建电场同向叠加，当耗......
键特性对比 表一对比了GaN和Si的几种物理参数，不可否认，GaN展现出了更好的性能优势，主要分为以下四点： 1、禁带宽度大：宽禁带使材料能够承受更高温度和更大的电场强度。器件在工作温度上升时， 本征激发的载流子浓度......
理工学院研究人员首次取得重要科学进展，于实验中发现立方砷化硼晶体为电子、电洞提供高载流子迁移率，扩大该材料于商业领域的潜在用途，比如提高CPU速度。 硅、砷化镓等材料具有良好的电子迁移率，但电......
二极管、BJT 均为双极型载流子器件，其电导调制效应起主导作用，因此电流越大，阻性越低；温度越高，（电导调制效应越强，载流子浓度越高）阻性越小。 微观世界的神秘风采 好奇......
。 MOSFET 的工作原理基于栅电压的控制。通过施加正电压或负电压到栅极，可以改变栅电场，进而影响通道中的载流子浓度。当栅电压施加在阈值电压之上时，形成一个导电通道，载流子......
电极的边缘场调制两个电极之间未覆盖的硅沟道(p 型，10 15 cm -3)的电荷载流子浓度栅电极，因此允许设备的正常运行。单击此处访问原始文章。 模拟分析肖特基势垒二极管的次线性行为 为研究 SB FET 的次......
方法，工作点必须在其filter反射谱的上升沿，如图7（b）所示。负反馈的形成如最右边的图，如果频率上升，则反射率上升，DFB腔内光子浓度增加，DFB腔内载流子浓度下降，由于plasma效应......
道效应中的器件亚阈值电流成为妨碍工艺进一步发展的主要因素，尽管提高沟道掺杂浓度可以在一定程度上抑制短沟道效应，然而高掺杂的沟道会增大库伦散射，使载流子迁移率下降，导致器件的速度降低，所以......
小组实现了TMDC之间的厚p-n结，其载流子浓度达到了前所未有的高度。此外，他们发现该结呈现出负微分电阻（NDR）的趋势，即电压的增加导致电流的增加越来越少，这是隧道的一个关键特征，也是这些纳米材料进入TFET......
层结构，研究小组实现了TMDC之间的厚p-n结，其载流子浓度达到了前所未有的高度。此外，他们发现该结呈现出负微分电阻（NDR）的趋势，即电压的增加导致电流的增加越来越少，这是隧道的一个关键特征，也是......
铁电性存在较强耦合。 此外，研究人员通过制备3×4的阵列结构，展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列的可行性。研究人员进一步通过在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子浓度......
铁电性存在较强耦合。 此外，研究人员通过制备3×4的阵列结构，展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列的可行性。研究人员进一步通过在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子浓度......
生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。 4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度......
宽度决定了一种材料所能承受的电场，更大的禁带宽度可以开发出载流子浓度更高的器件结构。 由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓......
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构......
以找集电极和发射极了。集电区和发射区参杂的杂质虽然是相同的，但参杂的浓度不同，因此两个PN结的导通电压也是不相同的。发射区参杂浓度高，载流子数量也就多，因此发射结的导通电压要大一些;集电区参杂浓度低，载流子......
改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，主要采用如IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管）等少数载流子器件（双极型器件），但是......
还给热源的焦耳热 三部分组成， 即为温差电单体的热电转换效率是有用功率与热源所消耗的热量之比。要想得到优值高的温差电材料，只有提高其塞贝克系数和电导率，降低其热导率。但是塞贝克系数、电导率和热导率都在不同程度上依赖于载流子浓度......
用上可作为穿戴设备，传感器，充电设备等。 对二维/石墨烯材料，通常使用四探针法或范德堡法测试电阻率，用霍尔效应测测试载流子迁移率及载流子浓度。 二维/石墨烯材料及电子器件电性能测试挑战 二维/石墨......
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构的日盲光电探测器实现了响应度和响应速度的同时优化。具有 3 nm......
得该技术甚至可以在高工作温度下使用。 宽带隙参数 宽带隙半导体的带隙比硅或砷化镓 (GaAs) 等普通半导体宽得多。这自然会转化为更大的击穿电场，并转......
奥松电子推出AIN5000负（氧）离子检测仪; 【导读】负离子浓度的高低与人们的健康息息相关，按照世界卫生组织的规定，负氧离子浓度可作为衡量空气是否洁净的标准之一。当每......
耗等特点，适用于各种需要产生负离子浓度的终端设备，让负离子健康系列产品加快走进大众生活。 一、工作原理 的工作原理是将输入的直流或交流电经过EMI处理电路及雷击保护电路处理后，通过脉冲式电路，过压......
足市场日益增多的负离子产品需求，且终端应用客户期望小型化，携带便捷，金升阳重磅推出负离子发生器产品HO5系列。该系列产品具有超小体积、可产生高浓度负离子、低功耗等特点，适用于各种需要产生负离子浓度......
型半导体探测器能够在单一材料层中实现中子俘获、能量沉积、载流子产生和收集，具有接近100%的理论本征探测效率和器件结构简单的特点。然而，在设计和开发具有适用于直接中子探测的材料时仍然面临诸多困难。适合......
界面处自发形成极其快速的导电通道。其自发存在的电子浓度是半导体材料中可达到的最高之一。除此之外，它还可提供两倍于最先进的硅基或碳化硅晶体管的电子迁移率—高达2000 cm2/V∙s。因此，二维电子气有着非常可观的低电阻—电容......
面附近。之前研究者普遍认为，空间电荷层对离子迁移的影响只由锂离子的浓度决定：锂离子浓度高则有利于离子迁移，锂离子浓度低则不利于离子迁移。为了透彻理解空间电荷层对离子传输的实际影响，需要......
饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。 “成电协·会员行”专题内容团队今天走进的是深耕第三代半导体氮化镓芯片设计的优秀会员企业——氮矽科技。   氮化镓（GaN）属于......
列产品兼具超小体积、可产生高浓度负离子、低功耗等优势，适用于各种需要产生负离子浓度的终端设备，让负离子健康系列产品加快走进大众生活。①更薄体积、超小尺寸HO5-N502D-C尺寸为37*23*15mm，HO5......
承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。因此，利用GaN人们可以获得具有更大带宽、更高......
极和漏极端之间形成导电通道。电流开始从漏极流向源极。电流流动的方向与带负电的电子的运动方向相反。栅极电压与载流子一起控制通道。 图4. 使用SMU测试MOSFET的直流I-V特性 如图4所示，电路......
石则是已知天然物质中热导率最高的材料，室温下金刚石的热导率高达 2000Wm‑1K‑1，同时金刚石是宽禁带半导体，具备击穿场强高、载流子迁移率高、抗辐照等优点，在热沉、大功率、高频器件、光学窗口、量子......
碳化硅肖特基二极管是肖特基结构，且是多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题，因此碳化硅肖特基二极管可以降低对应换流回路中的开关损耗，在更高的频率环境中工作，且在相同工作频率下具有更高的效率。 在光......
光电转化的过程。这涉及到电池结构、内建电场、能带排列、表面界面；材料特性、杂质缺陷、光生载流子的激发、输送、载流子迁移率、寿命、扩散长度；设备工艺、材料生长和特性、器件......
导体也是如此操作，只是掺杂的杂质让电子（带负电的粒子）数量增多。空穴和电子被称为载流子。如果将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片（硅或锗）上，一方面由于浓度差，P型区多子（空穴）会向N型区扩散，而N型区......
激光器等相关有机半导体材料与器件的研究取得了丰硕的成果。随着有机半导体材料与器件研究和开发的深入, 研究人员越发清楚地认识到, 有机半导体中载流子......
可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流通过单极传输，这意味着N沟道器件中只有电子。由于没有少数载流子......
电探测和传感过程中，通过将化学反应过程与经典半导体物理过程相交叉，为操控载流子输运过程，实现半导体器件中的电流信号多维度调控提供了新的自由度。因此，过去两年多来，团队利用分子束外延（MBE）技术所制备的高晶体质量氮化镓......
的硅压降被它的许多其他优点所抵消。 现在，当然，半导体世界主要基于硅。是的，我们有用于特殊应用的氮化镓 (GaN)、砷化镓 (GaAs)，甚至碳化硅 (SiC)，但绝......
电动汽车通常搭载锂离子电池、钠离子电池等，其结构包含正负极材料、隔膜以及电解液等。电流本质上就是电子的定向移动产生的，而电流的大小则与电子的数量与移动的快慢息息相关，我们可以调整电解液的离子浓度来控制电子数量，电子......
在该区域形成一层空穴积累层。为了保持该区域的电中性，发射极必须通过N沟道向N长基区注入大量的电子。这样就使N长基区发射极侧也形成了高浓度载流子积累，在N长基区中形成与GTO中类似的载流子分布，从而......
速度更快，具有更优异的物理性能，特别是在高频率工作、高速开关的状态下，比硅甚至碳化硅都有更好的表现。高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种晶体管结构，Si MOSFET一般是垂直结构，而HEMT是水平构造。这种构造加上氮化镓本......
栅极相比，JFET中的本征p-n结栅极没有能带不连续性，从而能够实现更高效的载流子供应或提取（特别是在SP-HEMT中p-GaN的肖特基接触的情况下）。” ......
）时。 当VGS从零缓慢增加时，硅中的正空穴被推离栅极，留下带负电的离子。这产生了一个耗尽层——一个没有载流子的区域。随着VGS继续增加，栅极电荷开始慢慢超过耗尽层，因此......
有望同时实现高效的电荷传输和机械拉伸性，”Yu 说。 研究人员使用 LPSM 方法创建了p 型和 n 型半导体，其主要载流子分别是空穴和电子。Yu 表示，使用这两种半导体类型，研究人员创造了晶体管、逆变......

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