资讯
2021年准备迎接存储器成长周期，各厂商摩拳擦掌(2020-12-23)
大厂美光则是在2020年初宣布，已经开始向客户出样最新DDR5存储器，以第3代10纳米级1z纳米制程打造，性能提升85%。
而除了DDR5的DRAM竞争之外，存储器厂商也在NAND Flash快闪存储器......
美光发招，存储器技术是否已领先三星？(2021-06-09)
美光发招，存储器技术是否已领先三星？;美光近日正式量产1α制程LPDDR4x DRAM，并正向AMD和Acer供应1α制程DRAM，还宣布开始量产176层堆栈NAND Flash快闪存储器，震撼......
存储芯片需求跌 铠侠与西部数据急“抱团”(2023-05-16)
定交易结构。而促成这样结果的原因，在于低迷且疲弱的存储市场状况，加大了这两家存储芯片大厂的合并压力。
报道表示，全球市场需求暴跌，加上供过于求的情况，给铠侠与西部数据带来沉重压力。若这两家公司的快闪存储器......
外资：存储器价格将跳水式暴跌 幅度超过50%(2022-11-30)
厂与通路商积极去化库存，但成效要迟至明年首季才会逐步显现，在各类存储器当中，看好编码型快闪存储器（NOR Flash）相关业者优于纯DRAM厂商......
存储器厂商喜迎复苏庞大商机？(2023-12-28)
快闪存储器的需求也将扩大，为整体存储器市场带来重要的复苏契机。
随着 AI PC 中安装的 CPU 全面支持 DDR5、LPDDR5 和 LPDDR5x 等规格 DRAM，以及需要可储存 AI......
我国存储技术突破！(2024-08-14)
我国存储技术突破！;近日，复旦大学和清华大学团队在存储芯片上创下新突破。复旦团队研发超快闪存集成工艺，可实现20纳秒超快编程、10年非易失；清华大学团队则提出一种基于磁振子的新型逻辑器件，有望重构逻辑存储器......
三星拟调涨存储器价格 台厂沾光有助改善下半年营收(2024-07-02)
三星拟调涨存储器价格 台厂沾光有助改善下半年营收;
【导读】南韩媒体报导，由于人工智能（AI）的需求激增，三星电子计划第3季把服务器用的DRAM和企业级NAND快闪存储器的价格提高15......
NAND Flash价格会涨到什么时候，和NOR Flash的差异是什么(2024-02-20)
。
NAND Flash是什么
NAND Flash，全名快闪存储，简单......
铠侠获准向华为出口部分产品(2020-12-04)
铠侠获准向华为出口部分产品;全球半导体观察4日消息，据日经亚洲评论报道，日本存储厂商铠侠（KIOXIA，原东芝存储器）获美国当局许可，可向华为技术有限公司出口某些产品。报道称，智能手机用快闪存储器......
Solidigm拟在美建半导体研发中心，目的是？(2022-09-19)
Solidigm拟在美建半导体研发中心，目的是？;近日，韩国存储器厂商SK海力士旗下NAND Flash快闪存储器子公司Solidigm宣布，拟在......
西部数据将拆分NANDFlash部门与铠侠合并，完成后或登市场龙头(2023-07-17)
议的内容主要是分拆西部数据的NAND Flash快闪存储器部门，然后进一步与铠侠合并。之后，西部数据的股东将控制合并后新公司约略超过一半的股权。不过，当前相关讯息仍在保密中。
报导指出，两家......
TI推出一款具有64kB程序快闪存储器的高集成可配置数字电源管理控制器UCD3138064(2013-03-28)
TI推出一款具有64kB程序快闪存储器的高集成可配置数字电源管理控制器UCD3138064;TI宣布针对 AC/DC 及隔离式 DC/DC 电源推出一款具有 64 kB 程序快闪存储器......
群联：闪存价格便宜，需求倍数增加中(2023-03-30)
为这样的状态会持续太久，且因为快闪存储器价格便宜，看到需求倍数增加中。
潘健成表示，现阶段原厂做1颗赔2、3颗，这样的状况不会太久，可能很快会有公司宣布减产，而控制器设计因为景气不好停顿了6-9个月，但群......
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世(2023-03-21)
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世;近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂展示了最新堆叠第八代3D 快闪存储器原型。表示，新3D 快闪存储器......
华邦电：存储器供给吃紧将持续到下半年(2021-02-20)
将一路缺到下半年。
他并表示，美国德州暴风雪打乱全球编码型快闪存储器（NOR Flash）供应，车用NOR芯片供不应求状况将加剧，华邦电因产能已满，“就算客户找上门，也无法再多给货”。因应......
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世(2023-03-21)
Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。
外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash......
旺宏6英寸厂或将出售，晶圆代工厂积极评估？(2021-01-06)
主要营收来源以ROM只读存储器、NOR型快闪存储器以及NAND型快闪存储器等产品为大宗，而相关产品除自行设计之外，也以自家的晶圆厂来进行制造生产。
目前旺宏旗下分别拥有一座6英寸厂、一座8英寸厂、以及......
MRAM达成新里程碑，存储产业变革要来了？(2017-08-09)
司表示，MRAM将磁性材质与传统硅晶线路结合在单一的永久耐用元件当中，不但兼具SRAM的速度，也具备快闪存储器的非挥发性。MRAM元件的设计将非挥发性存储器及RAM的优势合而为一，让新......
传台积电有意在日本建新厂，美光也将跟进？(2021-06-16)
厂商。
此外，美光还看上全球NAND Flash快闪存储器全球市场占有率第二的日本铠侠（Kioxia）。根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询资料显示，三星电子当前以33.5......
长江存储年中试产192层3D NAND？官方辟谣(2021-01-13)
最大NAND 型快闪存储器制造商三星的月产出为48万片硅晶圆，美国最大存储器厂商美光（Micron Technology, Inc.）则月产18万片硅晶圆。
除了扩产现有芯片，长江存储......
未来投资有望达2606亿，三星P3晶圆厂5月装机(2022-04-26)
亿元-2606亿元）。
据悉，三星平泽市P3晶圆厂既生产存储器又生产逻辑芯片。不过将率先生产NAND Flash快闪存储器，之后开始生产DRAM，最后是3纳米制程晶圆制造与代工产线。
此外......
外媒：三星将在5月初为NAND闪存生产安装晶圆厂设备(2022-04-20)
在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂（P2），用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。新工厂P2总投资额约30万亿韩元，就在距离平泽工厂不远处。
封面图片来源：拍信网......
铠侠3D NAND合资新厂第一期完工，预计今秋量产(2022-04-18)
一阶段将生产3D快闪存储器，包括112层、162层生产及未来制程。
铠侠总裁兼首席执行官Nobuo Hayasaka表示，很高兴通过Y7联合投资，进一步深化与西部的战略伙伴关系，由于社会快速数字化，加速......
2023 年第一季度 NAND-Flash 存储或将续跌(2023-03-20)
过去两年的市场影响以及双边制裁等因素有关。据悉，NAND-Flash
存储市场去年不断下跌，最后一个季度下滑近 25%。
首先，Flash
称为闪存，是一种像电可擦写只读存储器一样的存储器，允许......
内存变革将至，DRAM 后谁扛大旗？MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌(2024-02-22)
式随机存取内存，是一种非易失性内存技术，从 1990 年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术速度接近 SRAM，具有快闪存储器的非挥发性，容量密度及使用寿命不输 DRAM，平均能耗远低于 DRAM......
三星1000层NAND目标，靠它实现？(2024-05-14)
Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。
目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用......
东芝推出三NVMe固态硬盘系列(2015-08-12)
三个固态产品线的高性能和低延迟优化和利用PCIe接口，它提供了点对点链路与处理器，降低了系统的瓶颈。
“东芝利用PCIe和快闪存储器，以产生工业标准NVMe固态硬盘，将到达客户端，超大规模/数据......
美光准备卖掉NOR Flash业务，兆易创新有意接手(2017-02-13)
美光准备卖掉NOR Flash业务，兆易创新有意接手;
版权声明：本文内容来自经济日报，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。
全球存储业整并潮持续进行，美光科技（Micron）将退出编码型快闪存储......
群联发涨价通知，调涨全系列快闪存储控制芯片和模组(2021-04-23)
群联发涨价通知，调涨全系列快闪存储控制芯片和模组;4月23日消息，NAND Flash控制IC厂群联向客户发出涨价通知。通知称，即日起，群联全系列快闪存储控制芯片与模组均在涨价范围，其中电源管理IC......
这家半导体大厂消息不断：扩产4纳米，236层NAND在路上(2022-08-19)
确认产量和投资增加问题。
236层NAND Flash产品在路上
韩国媒体BusinessKorea报导，三星今年将发布236层堆叠NAND Flash快闪存储器产品，还计......
Microsemi推出高集成度IGLOO2拓宽FPGA产品组合(2013-06-27)
提升了可靠性，显著降低了功率，并且系统地保护了客户宝贵的设计IP。
IGLOO2 FPGA系列只需要两个电源，而竞争器件却需要三个。此外，IGLOO2器件的非易失性配置省去了外部快闪存储器，提供......
美光传将兴建新晶圆厂，美国德州可能获青睐(2022-01-21)
桑那州等也都在考虑之列，但还不清楚美光何时做最终决定。
新晶圆厂产能规划，外媒只知新工厂大概会以生产DRAM内存或NAND Flash快闪存储器为主，需据市场需求决定。 美光选地不仅考虑当地施工成本，还包......
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存(2023-06-08 11:30)
Flash（NAND快闪存储器）和CIS（CMOS图像传感器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。......
SK海力士开发面向AI PC的高性能固态硬盘‘PCB01’(2024-06-28 09:20)
计划顺利进行此产品的客户验证和量产，巩固面向AI的存储器市场内的领先地位。”关于SK海力士SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器），NAND Flash（NAND快闪存储器......
SK海力士宣布量产238层4D NAND闪存(2023-06-08)
家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器），NAND Flash（NAND快闪存储器）和CIS（CMOS图像传感器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全......
工作温度横跨400度！工研院VLSI发表世界顶尖“磁性存储器”技术(2022-06-16)
的新兴领域。
工研院电子与光电系统所所长张世杰表示，MRAM有媲美静态随机存取存储器（Static Random Access Memory；SRAM）的写入、读取速度，兼具快闪存储器非挥发性，近年......
存储器主控芯片厂商康芯威拟引入战略投资者(2022-01-18)
前的整体估值不低于经备案的评估值且不低于4亿元，最终交易价格和交易对方将根据公开挂牌征集结果确定。
资料显示，康芯威成立于2018年，主要从事存储器主控芯片的设计和销售业务，产品主要为快闪存储器控制芯片，如高端eMMC、UFS和......
全产业链的优势，三星拟提高元器件价格弥补NOTE 7造成的损失(2016-10-27)
亿美元（约新台币5,363 亿元） 。面对巨大的损失，就有外电消息指出，三星拟提高DRAM、快闪存储、以及手机用AMOLED 面板的价格，用以减少损失。
外电消息指出，原本......
处理器涨价、缺少AI杀手级应用，三星/苹果新手机内存提升有限(2023-12-11)
Flash快闪存储器，用于执行相关AI应用程序，但尚未确认该技术是否会在Galaxy S24系列中首次亮相。所以，关于手机 AI 应用的未来，当前仍存在许多不确定的消息。接下......
全球首款28nm嵌入式RRAM画质调节芯片正式量产(2024-09-09)
于业界显示芯片主流竞品“TCON+外置FLASH存储器（快闪存储器）”技术路线，显芯科技选择的“数字芯片+内置RRAM”技术路线，有效解决了外置存储器件成本居高不下、补偿参数读取速度慢等问题。同时，该款......
地震、跳电、并购、建厂...这些存储大事件你都了解吗？(2022-07-28)
和西数宣布，双方将共同投资位于日本三重县四日市的Fab7（Y7）制造工厂的第一阶段工程。
据悉，Y7厂的第一阶段将生产3D快闪存储器，包括112层、162层生产及未来制程。随着Y7厂一期建设的完成，合资......
3D Xpoint存储点燃SSD市场新战火(2017-03-22)
Optane固态硬盘预期能为此试图在快闪存储与DRAM之间开创新市场的新一代存储技术，建立虽然小巧但意义重大的滩头堡。
新款DC P4800X系列固态硬盘采用NVMe标准介面，一开始将提供375GB容量......
NAND闪存主控芯片供应商2023年第1季财报出炉(2023-05-05)
覆盖数据中心、PC、智能手机、工业应用SSD等多元商业领域。过去十年间，慧荣科技NAND控制芯片出货量突破60亿组，同时支持英特尔、铠侠、美光、三星、SK海力士、西部数据等厂商所生产的各式快闪存储器。
封面......
韩媒：韩国半导体产业正逐渐失去竞争力(2021-05-12)
%下跌至2020年41.7%。NANDFlash快闪存储器市场，由于美光科技正考虑收购日本厂商铠侠（Kioxia），并购一旦完成，不但可能动摇三星的龙头地位，还可能导致三星利润下滑。
尽管......
揭秘STM32多路电压测量电路 —电路图天天读（62）(2024-05-14)
计中使用的SD卡为MicroSD，也称TF卡。MicroSD卡是一种极细小的快闪存储器卡，主要应用于移动电话，但因它的体积微小和储存容量的不断提升，现在已经使用于GPS设备、便携式音乐播放器、数码相机和一些快闪存储器......
全球NAND闪存市场竞争局势白热化(2022-05-20)
快闪存储器，包括112层、162层生产及未来制程。
2NAND市场前景依然可观
自1987年铠侠的前身东芝存储发明NAND闪存以来，全球NAND闪存市场规模已达700亿美元，容量......
存储行业市场迎来反转，国产赛道竞争激烈(2024-05-09)
DRAM）两类，SRAM 不需要周期性地刷新，速度比较快，但成本也较高，是利基存储；DRAM需要周期性地刷新，速度较慢，但成本较低，是大宗存储。
ROM主要包括掩膜型只读存储器、可编程只读存储器、快闪存储器......
华为Kirin960支持的UFS是什么鬼？(2016-10-26)
（固态技术协会）发布了UFS 2.0的新一代快闪记忆体存储标准，UFS 2.0快闪记忆体读写速度可以高达每秒1400MB，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的快闪记忆体存储......
SK海力士展示300层NANDFlash，最快2024年问世(2023-03-21)
SK海力士展示300层NANDFlash，最快2024年问世;SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。
据tomshardware报道，SK海力......
这就是中国必须建设本土存储产业的原因(2017-01-11)
持续萎缩，分析师去年一度唱衰电脑用存储市况，但人算不如天算，下半年笔电用存储需求旺盛，让NAND 快闪存储呈现缺货状态。至于PC 用DRAM 报价，今年第一季预估将再上涨三成。
另外，即使三星Galaxy......
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;深圳正维科技有限公司;;深圳正维科技有限公司成立于2006年7月,是专业销售快闪存储器的贸易公司,可广泛应用于：电子词典 学习机 记忆玩具 手机 MP3 MP4 GPS U盘 SD卡 MMC卡
IC eMMC F-RAM NAND闪存 NOR闪存 NVRAM 可擦除可编程ROM 电可擦除可编程只读存储器 动态随机存取存储器 托管型NAND 存储器 存储器 IC 开发工具 存储器
,NANYA等系列, 产品主要有：NOR FLASH MEMORY（闪存）、SDRAM（动态存储器）、SRAM（静态存储器）、DDR1,2,3,等, 本公司常年存储有上万种电子元器件, 其中
、Winbond、ISSI等品牌的IC，产品主要有：NOR FLASH MEMORY（闪存）、SDRAM（动态存储器）、SRAM（静态存储器）等。欢迎新老客户来电咨询，本公司坚持以“质量保证、价格
设备每秒兆指令数: 100MIPS 程序存储器类型: 闪存 程序存储器大小: 128KB 最大时钟频率: 100MHz 可编程输入/输出端数量: 35 数据RAM大小
、NANYA、Winbond、ISSI等品牌的IC，产品主要有：NOR FLASH MEMORY（闪存）、SDRAM（动态存储器）、SRAM（静态存储器）等。欢迎新老客户来电咨询，本公司坚持以“质量
;深圳市金顺隆电子有限公司;;深圳市金顺隆电子有限公司是一家专业缓存、闪存、显存、存储器芯片供应商，具有十五年的集成电路销售经验，致力成为全球优秀的缓存、闪存、显存、存储器芯片供应商。我们
Samsung三星 Hynix现代 MTK联发科 等系列手机套片 EMMC存储器 MCP存储器 NAND闪存 DDR内存
、Micron、Infineon、等品牌的IC，产品主要有：NOR FLASH MEMORY（闪存）、SDRAM（动态存储器）、SRAM（静态存储器）、等, 我公司在深圳和香港拥有大量原装现货库存，欢迎
bergmicro;博观科技;;广东博观科技有限公司于2012年4月落户珠海高新技术开发区，是国内一家从事高端通用闪型存储器芯片研发的高新集成电路设计公司，在上海设有研发机构工作站，在美