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开关电源整流滤波电路和钳位保护电路设计(2024-06-03)
％。
(2)整流二极管的一次导通过程，可视为一个“选通脉冲”，其脉冲重复频率就等于交流电网的频率(50Hz)。
(3)为降低中500kHz以下的传导噪声，有时用两只普通硅整流管(例如1N4007) 与两只快恢复二极管......
RS瑞森半导体-PCB LAYOUT中ESD的对策与LLC方案关键物料选型分享(2022-12-02)
D1，须选用超快恢复二极管，如Trr小于75ns，类型推荐US、ES等系列。
（三）自举二极管D4，须选用快恢复二极管，配合RSC6105S-RSC6107S时，选用Trr小于250ns，类型......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复......
斯达半导35亿定增结果出炉，14家知名机构认购(2021-11-16)
为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以IGBT模块形式对外实现销售。IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片，公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
电压选择就可以更高，效率也就越高。
基本半导体的SiC肖特基二极管B2D40120HC1，实现了Si快恢复二极管无法实现的极短的反向恢复时间（trr接近于零），反向恢复电流≤5uA（Vr=1200V......
德欧泰克|SiC和硅基组件在电动汽车充电电路中的应用(2024-02-28)
充电确实是一个有价值的功能，硅碳化物器件在其效率方面发挥了重要作用。SiC提供的提高效率可以归因于其对磁性元素的影响。图1 显示基于硅的超快恢复二极管的开关损耗充电电池需要高电流，通常需要大型线圈。为了最小化体积，解决......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复......
AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢复体二极管aMOS5™ 超结MOSFET;
【导读】日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商（AOS......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
源能效重要优值系数（FOM），相比上一代解决方案降低17%。与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
碳化硅二极管......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
%。
与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复......
Vishay汽车和电动汽车解决方案亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-08)
第7代超快恢复二极管（FRED Pt® Hyperfast），快速恢复时间低至75 ns，典型正向压降低至1.10 V
电容器解决方案，包括容值高达10nF的瓷片式安规电容器；ENYCAP™双层......
Littelfuse：光伏逆变器应用方案(2022-08-16)
组串式逆变器的系统整合模式更受市场青睐，越来越成为主流应用架构。在组串式逆变器设计中，Littelfuse的功率MOSFET、IGBT、整流二极管、快恢复二极管、栅极驱动器、TVS二极管、保险丝、压敏......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管......
Vishay汽车和电动汽车解决方案亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-08)
（FRED Pt® ）二极管和整流器，瞬态抑制二极管（TVS），采用紧凑型DFN封装，提高功率密度并改进热阻。此外，还有第7代超快恢复二极管（FRED Pt® Hyperfast），快速恢复......
Vishay汽车和电动汽车解决方案亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-08 14:36)
基，快恢复（FRED Pt® ）二极管和整流器，瞬态抑制二极管（TVS），采用紧凑型DFN封装，提高功率密度并改进热阻。此外，还有第7代超快恢复二极管（FRED Pt® Hyperfast），快速恢复......
通俗易懂讲解三极管(2023-10-11)
会自感产生很高的反向电动势，而续流二极管提供的续流通路，同时钳位反向电动势，防止击穿三极管。
续流二极管的选型必须是快恢复二极管或肖特基二极管，两者响应速度快。
如图5，对于某些控制信号为低电平时，可能......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05 09:51)
非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意味着它们适用于逆变器,整流......
RS瑞森半导体-大功率开关电源的应用(2022-12-19)
幅度减小开关损耗的同时还可以有更高的功率密度，可广泛应用于服务器电源、大功率电源上。
瑞森半导体提供的BV为600V、 650V的超结MOS同时带有FRD完全可用于谐振电路上,具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复......
瑞能半导体亮相2022慕尼黑华南电子展(2022-11-17 09:22)
重点展示，设计的产品就包括了瑞能650V（600V）/1200V 快恢复二极管，800V/1200V/1600V标准整流二极管，1200V可控硅，650V/1200V 碳化硅二极管, 1200V......
Nexperia的锗化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、热稳定性，能够节省空间(2020-05-27)
了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。
新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场，尤其......
总投资5.1亿元 捷捷微电拟投建功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目(2021-07-05)
及填充工艺、高压等平面终端工艺。主要产品为快恢复二极管芯片及器件，IGBT模块配套用高电压大通流整流 芯片，低电容、低残压等保护器件芯片及器件，中高电压功率集成芯片，平面可控硅芯片及其他芯片产品等。
该项......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;奈梅亨，2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
大联大世平集团推出基于onsemi和Nexperia产品的4.5W非隔离辅助电源方案(2024-07-04)
下世平推出基于安森美（onsemi）NCP10672BD060R2G PWM控制器和安世（Nexperia）PNU65010EP快速恢复二极管的4.5W非隔离辅助电源方案。
2024......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22 13:34)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;不断扩大的CFP功率二极管产品组合再添新产品2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-13)
防反应用中提供低导通损耗和高效率，实现经济高效的DC-DC转换器。这些二极管件还有低漏电流版本，配备超低反向电流和出色的高温工作性能，可提供优异的稳健性，防止热失控。8个200 V单通道快恢复整流二极管......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-12)
件还有低漏电流版本，配备超低反向电流和出色的高温工作性能，可提供优异的稳健性，防止热失控。8个200 V单通道快恢复整流二极管（PNE200xxEPE/-Q系列）携带4-10 A的平......
35亿元！斯达半导定增申请获证监会审核通过(2021-09-25)
压特色工艺功率芯片研发及产业化项目及SiC芯片研发及产业化项目的实施主体，则为斯达半导全资子公司嘉兴斯达微电子有限公司。
斯达半导表示，公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和工艺以及IGBT、SiC......
BLDC电机常用IGBT：适用各类家电优选IGBT单管(2024-07-30)
、FHF20T60A单管具备高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性
2、具有20A, 600V, VCEsat典型值：1.49V-typ ，＜1.7V；ID (Tc=100℃)：20A；BVCES：600V......
大联大世平集团推出基于onsemi和Nexperia产品的4.5W非隔离辅助电源方案(2024-07-03)
下世平推出基于安森美（onsemi）NCP10672BD060R2G PWM控制器和安世（Nexperia）PNU65010EP快速恢复二极管的4.5W非隔离辅助电源方案。
图示1-大联大世平基于onsemi和......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower......
Vishay推出新款FRED Pt® Ultrafast恢复整流器增强可靠性，提高AOI能力(2020-02-18)
扩充其Fred Pt® Ultrafast恢复整流器产品，新型整流器采用eSMP®系列SlimSMAW（DO-221AD）封装，高度低至0.9 mm。Vishay Semiconductors二极管与常见SOD......
喜讯！比亚迪半导体荣获2021年度广东省科技进步奖(2022-04-13)
发展。
该项目围绕新能源汽车及工业领域应用，开展高可靠性大电流功率半导体芯片及模块的技术攻关和产业化，成功开发了适用于新能源汽车及工业领域应用的新型绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片、非负温度系数快恢复二极管......
FHF20T60A型号IGBT适用于伺服电机驱动器(2023-11-02)
型号。
FHF20T60A的IGBT单管能用于伺服电机驱动器上，除了高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性外，其还有拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和......
电机驱动电路的优选IGBT单管(2023-10-23)
FHF20T60A的IGBT单管的原因是除了高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性外，还拥有拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降以及正温度系数等特点。
从这一款20A、600V电流、电压......
FHF20T60A型号IGBT适用于破壁机马达驱动(2024-08-12)
，那究竟国产中有比较好可以替换的IGBT单管吗？
从需要方面，我们要选择高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性的IGBT单管来替换NCE20TD60BF型号。
这里对于国产IGBT单管而言，可以......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
（Si的SBD最高耐压为200V左右）。
因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化，并且......
℃温度条件下，产品的正向压降最大为1.4V，正向导通压降低，反向电流的典型值为8uA，反向电流小，系统功耗低。
5、采用TO-247-3封装，利于设计。
二次侧整流二极管通常使用FRD（快速恢复二极管......
瑞萨三相（T型）直流交流逆变器：效率与紧凑性的双重胜利(2024-01-09)
控制多达四台电机。此外，内置的安全功能还为变频控制应用提供新的附加价值。
降低开关损耗
在这个系统中，IGBT部分选用了具备内置快恢复二极管（FRD）的RBN75H65T1FPQ-A0，它支持最高650V的电......
大联大世平集团推出基于onsemi和Nexperia产品的4.5W非隔离辅助电源方案(2024-07-02)
下世平推出基于安森美（onsemi）NCP10672BD060R2G PWM控制器和安世（Nexperia）PNU65010EP快速恢复二极管的4.5W非隔离辅助电源方案。
图示1-大联大世平基于onsemi和......
安芯电子冲刺科创板IPO 募资3.95亿元投建高端功率半导体等项目(2021-09-28)
10月，主营业务为功率半导体芯片、功率器件和半导体关键材料膜状扩散源的设计制造与销售。芯片产品涵盖快速恢复二极管（FRD）芯片、外延式快速恢复二极管（FRED）芯片、瞬态抑制二极管（TVS）芯片、超高压整流二极管......
瑞能半导体亮相2023慕尼黑上海电子展，加速升级创领功率器件新浪潮(2023-07-12)
强调的是，部分封装通过了UL1557绝缘认证，高达2500V的隔离耐压能力能向用户提供更高的安全保障。
在契合终端应用展示方案中，瑞能第四代650V快恢复二极管表现亮眼，其具备耐压高，漏电流底，恢复......
基于MP4021的LED照明驱动电源设计(2024-07-22)
针对LED而设计，集成PFC，功率因数很高。工作在临界导通模式，降低了开关管的开关损耗;省去光耦和相关电路，降低了成本;采用独特的开关管控制技术，对开关管和快恢复二极管的要求大大降低，与一些必须选择昂贵开关管和二极管......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
)和高速(H3)系列IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管......
瑞能半导体在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解决方案(2023-05-10)
变换器的损耗和器件温升，提升变换效率。
第四代的650V快恢复二极管具有耐压高，漏电流底，恢复速度快， 抗雪崩能力强等特点，优化的终端设计以及先进的寿命控制技术，能有优秀的EMI性能......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
，如图3所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。
图4 改进型加速MOS关断
在第......
的方案中提到基本半导体的SiC半导体器件，可为车载电源转换系统提供最高的功率密度和耐用性，非常适合车外充电和其他户外应用。
电动车充电
如下图所示，将快速恢复二极管或肖特基二极管作为整流二极管使用。
电动......
瑞能半导体亮相2023慕尼黑上海电子展，加速升级创领功率器件新浪潮(2023-07-12 16:34)
离耐压能力能向用户提供更高的安全保障。
在契合终端应用展示方案中，瑞能第四代650V快恢复二极管表现亮眼，其具备耐压高，漏电流底，恢复速度快和抗雪崩能力强等特点，依托......
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