资讯
RS瑞森半导体-PCB LAYOUT中ESD的对策与LLC方案关键物料选型分享(2022-12-02)
D1，须选用超快恢复二极管，如Trr小于75ns，类型推荐US、ES等系列。
（三）自举二极管D4，须选用快恢复二极管，配合RSC6105S-RSC6107S时，选用Trr小于250ns，类型......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复......
斯达半导35亿定增结果出炉，14家知名机构认购(2021-11-16)
为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以IGBT模块形式对外实现销售。IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片，公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
电压选择就可以更高，效率也就越高。
基本半导体的SiC肖特基二极管B2D40120HC1，实现了Si快恢复二极管无法实现的极短的反向恢复时间（trr接近于零），反向恢复电流≤5uA（Vr=1200V......
德欧泰克|SiC和硅基组件在电动汽车充电电路中的应用(2024-02-28)
充电确实是一个有价值的功能，硅碳化物器件在其效率方面发挥了重要作用。SiC提供的提高效率可以归因于其对磁性元素的影响。图1 显示基于硅的超快恢复二极管的开关损耗充电电池需要高电流，通常需要大型线圈。为了最小化体积，解决......
AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢复体二极管aMOS5™ 超结MOSFET;
【导读】日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商（AOS......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
源能效重要优值系数（FOM），相比上一代解决方案降低17%。与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
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与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复......
Littelfuse：光伏逆变器应用方案(2022-08-16)
组串式逆变器的系统整合模式更受市场青睐，越来越成为主流应用架构。在组串式逆变器设计中，Littelfuse的功率MOSFET、IGBT、整流二极管、快恢复二极管、栅极驱动器、TVS二极管、保险丝、压敏......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管......
通俗易懂讲解三极管(2023-10-11)
会自感产生很高的反向电动势，而续流二极管提供的续流通路，同时钳位反向电动势，防止击穿三极管。
续流二极管的选型必须是快恢复二极管或肖特基二极管，两者响应速度快。
如图5，对于某些控制信号为低电平时，可能......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05 09:51)
非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意味着它们适用于逆变器,整流......
瑞能半导体亮相2022慕尼黑华南电子展(2022-11-17 09:22)
重点展示，设计的产品就包括了瑞能650V（600V）/1200V 快恢复二极管，800V/1200V/1600V标准整流二极管，1200V可控硅，650V/1200V 碳化硅二极管, 1200V......
RS瑞森半导体-大功率开关电源的应用(2022-12-19)
幅度减小开关损耗的同时还可以有更高的功率密度，可广泛应用于服务器电源、大功率电源上。
瑞森半导体提供的BV为600V、 650V的超结MOS同时带有FRD完全可用于谐振电路上,具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复......
Nexperia的锗化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、热稳定性，能够节省空间(2020-05-27)
了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。
新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场，尤其......
总投资5.1亿元 捷捷微电拟投建功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目(2021-07-05)
及填充工艺、高压等平面终端工艺。主要产品为快恢复二极管芯片及器件，IGBT模块配套用高电压大通流整流 芯片，低电容、低残压等保护器件芯片及器件，中高电压功率集成芯片，平面可控硅芯片及其他芯片产品等。
该项......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;奈梅亨，2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22 13:34)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;不断扩大的CFP功率二极管产品组合再添新产品2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-13)
防反应用中提供低导通损耗和高效率，实现经济高效的DC-DC转换器。这些二极管件还有低漏电流版本，配备超低反向电流和出色的高温工作性能，可提供优异的稳健性，防止热失控。8个200 V单通道快恢复整流二极管......
35亿元！斯达半导定增申请获证监会审核通过(2021-09-25)
压特色工艺功率芯片研发及产业化项目及SiC芯片研发及产业化项目的实施主体，则为斯达半导全资子公司嘉兴斯达微电子有限公司。
斯达半导表示，公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和工艺以及IGBT、SiC......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-12)
件还有低漏电流版本，配备超低反向电流和出色的高温工作性能，可提供优异的稳健性，防止热失控。8个200 V单通道快恢复整流二极管（PNE200xxEPE/-Q系列）携带4-10 A的平......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower......
喜讯！比亚迪半导体荣获2021年度广东省科技进步奖(2022-04-13)
发展。
该项目围绕新能源汽车及工业领域应用，开展高可靠性大电流功率半导体芯片及模块的技术攻关和产业化，成功开发了适用于新能源汽车及工业领域应用的新型绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片、非负温度系数快恢复二极管......
FHF20T60A型号IGBT适用于伺服电机驱动器(2023-11-02)
型号。
FHF20T60A的IGBT单管能用于伺服电机驱动器上，除了高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性外，其还有拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和......
电机驱动电路的优选IGBT单管(2023-10-23)
FHF20T60A的IGBT单管的原因是除了高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性外，还拥有拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降以及正温度系数等特点。
从这一款20A、600V电流、电压......
Vishay推出新款FRED Pt® Ultrafast恢复整流器增强可靠性，提高AOI能力(2020-02-18)
扩充其Fred Pt® Ultrafast恢复整流器产品，新型整流器采用eSMP®系列SlimSMAW（DO-221AD）封装，高度低至0.9 mm。Vishay Semiconductors二极管与常见SOD......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
（Si的SBD最高耐压为200V左右）。
因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化，并且......
瑞萨三相（T型）直流交流逆变器：效率与紧凑性的双重胜利(2024-01-09)
控制多达四台电机。此外，内置的安全功能还为变频控制应用提供新的附加价值。
降低开关损耗
在这个系统中，IGBT部分选用了具备内置快恢复二极管（FRD）的RBN75H65T1FPQ-A0，它支持最高650V的电......
安芯电子冲刺科创板IPO 募资3.95亿元投建高端功率半导体等项目(2021-09-28)
10月，主营业务为功率半导体芯片、功率器件和半导体关键材料膜状扩散源的设计制造与销售。芯片产品涵盖快速恢复二极管（FRD）芯片、外延式快速恢复二极管（FRED）芯片、瞬态抑制二极管（TVS）芯片、超高压整流二极管......
瑞能半导体亮相2023慕尼黑上海电子展，加速升级创领功率器件新浪潮(2023-07-12)
强调的是，部分封装通过了UL1557绝缘认证，高达2500V的隔离耐压能力能向用户提供更高的安全保障。
在契合终端应用展示方案中，瑞能第四代650V快恢复二极管表现亮眼，其具备耐压高，漏电流底，恢复......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
)和高速(H3)系列IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管......
瑞能半导体在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解决方案(2023-05-10)
变换器的损耗和器件温升，提升变换效率。
第四代的650V快恢复二极管具有耐压高，漏电流底，恢复速度快， 抗雪崩能力强等特点，优化的终端设计以及先进的寿命控制技术，能有优秀的EMI性能......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
，如图3所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。
图4 改进型加速MOS关断
在第......
瑞能半导体亮相2023慕尼黑上海电子展，加速升级创领功率器件新浪潮(2023-07-12 16:34)
离耐压能力能向用户提供更高的安全保障。
在契合终端应用展示方案中，瑞能第四代650V快恢复二极管表现亮眼，其具备耐压高，漏电流底，恢复速度快和抗雪崩能力强等特点，依托......
Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块(2022-11-24 13:42)
桥逆变器MOSFET
VS-ENZ025C60N
独立恢复二极管双向交错无桥PFC（四通道）
Vishay 提供全系列硅技术功率模块，包括Si和SiC二极管、 晶闸......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
，Nexperia的肖特基整流二极管和快恢复整流二极管，但也可以扩展到双极性三体管。这显著地丰富了产品的多样性，也进一步巩固了Nexperia作为封装创新领导者的地位。可通过拥有值得信赖的供应链的半导体制造商为客户提供更广泛的器件选择。......
IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列(2014-05-15)
于宽泛的开关频率范围，并提供更高的系统效率和稳固的瞬态性能。新器件内置的软恢复二极管能够提升系统效率并且降低电磁干扰，因而更加可靠。
规格
器件编号
封装
BV......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
的广泛产品组合得到了新的拓展。”
这些封装利用专有的铜夹片设计，可应对充满挑战的高效和节省空间的设计要求。如今，CFP封装可用于不同的功率二极管技术，例如，Nexperia的肖特基整流二极管和快恢复整流二极管......
瑞能半导体在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解决方案(2023-05-11 11:31)
于更高晶胞单位密度的先进工艺和优化的晶胞结构，MOSFET在导通电阻和栅极电荷特性方面能做到更好的平衡，降低变换器的损耗和器件温升，提升变换效率。第四代的650V快恢复二极管具有耐压高，漏电流底，恢复速度快， 抗雪崩能力强等特点，优化......
Vishay推出四款新系列200 V FRED Pt超快恢复整流器(2023-06-21)
Vishay推出四款新系列200 V FRED Pt超快恢复整流器;
【导读】美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年6月21日 — 日前，Vishay......
又一家半导体企业启动上市辅导(2021-03-05)
微电子开发和生产了包括高反压双极晶体管、小信号外延双极晶体管、中功率外延晶体管、平面肖特基二极管、快恢复及开关二极管、稳压二极管、TVS（瞬态电压抑制）二极管等门类，拥有600多种......
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT(2023-05-18)
提高了逆变器系统的性能和可靠性。
续流二极管是快恢复的发射极可控制的二极管，具有高效和软开关特性。
产品......
聚焦高端功率半导体芯片，苏州固锝拟1亿元设立全资子公司苏州德信(2022-02-16)
及销售能力，延伸与完善公司产业链。投资项目主要产品聚焦于高端功率半导体芯片，产品品类包括但不限于瞬态抑制二极管、快速恢复二极管，以及各种新能源汽车行业需要的芯片。
在市场“缺芯”及汽......
Nexperia表面贴装器件通过汽车应用的板级可靠性要求(2021-09-10)
的尺寸可节省大量空间，带来更大的设计灵活性。
器件封装可用于不同的功率二极管技术，例如Nexperia的肖特基或快恢复整流器二极管，但也可以扩展到锗化硅功率二极管或双极性晶体管。这显......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
有效缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本等。
02 碳化硅肖特基在光伏逆变器中的应用优势
对比硅的快恢复，碳化硅肖特基二极管在BOOST电路中的应用具有很大的优势，由于碳化硅肖特基二极管......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3－HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
封装利用专有的铜夹片设计，可应对充满挑战的高效和节省空间的设计要求。如今，CFP封装可用于不同的功率二极管技术，例如，Nexperia的肖特基整流二极管和快恢复整流二极管，但也可以扩展到双极性三体管。这显......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
随着变换器开关频率的不断提高，对快恢复二极管的要求也随之提高。众所周知，具有比硅二极管优越的高频开关特性，但是由于工艺技术等方面的原因，砷化镓二极管的耐压较低，实际应用受到局限。为适应高压、高速......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-27)
的广泛产品组合得到了新的拓展。”
这些封装利用专有的铜夹片设计，可应对充满挑战的高效和节省空间的设计要求。如今，CFP封装可用于不同的功率二极管技术，例如，Nexperia的肖特基整流二极管和快恢复整流二极管，但也......
超声波加湿器震荡电路板电路设计(2023-04-13)
BVceo＞200V， Uceo＞1． 5V(Ic＝2A时)， fT＞10MHz， Icm＝6A，通常选用BU406。
二极管 D1
选用超快恢复二极管FR107。
电位器 VR1
VR1选用......
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;深圳市嘉美电子有限公司;;主营：TVS瞬态抑制二极管、肖特基二极管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管等。欢迎前来在线咨询。
;鸿鑫电子;;长期销售拆机电子元器件;电解电容;肖特基二极管;快恢复二极管;整流二极管;场效应管;三极管;安规电容;15089115399