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TVS DW05-4R2P-AT-S 用于LVDS接口浪涌静电防护;LVDS(英文全称:Low-Voltage Differential Signaling),中文叫:低电压差分信号,是一......
池电压 VCC为系统电压 当只用电池电压供电时:MOSQ9 栅极g为0V  源极S Vs=V电池 Vgs=-V电池 PMOS导通 Q9导通了 Q10也导通了 ,然后给到 单片......
致使电压突然增高。 电压超出了用电设备的使用电压,用电设备因为过电压而被烧毁损坏,造成严重事故。因此,限制过大电压,保护电路的过压保护器件就出现了。 常用的过压保护器件有静电抑制器、TVS、压敏......
电阻、保险丝、抑制二极管、EMI滤波器、电感或者共模电感,对于原理图 缺失上面任意器件顺延布局; (2)一般对接口信号的保护器件的顺序是:ESD(TVS)、隔离变压器、共模电感、电容、电阻,对于......
ESD 二极 ,以确保在这种串联借电启动的情况下,它不会烧掉。在使用由两块 12V 单元组成的 24V 电池时,需要 使用一个 36V 二极管,因为这两个电池单元将分别充电。考虑到线路故障和误接线,所有......
)一般对接口信号的保护器件的顺序是:ESD(TVS)、隔离变压器、共模电感、电容、电阻,对于原理图缺失上面任意器件顺延布局;严格按照原理图的顺序(要有判断原理图是否正确的能力)进行“一字......
。 D1 ESD二极管: 静电保护二极管,防止静电干扰或者损坏IO口。(这个根据PCB的成本及防护级别要求来决定添加与否) 二、外接信号输入 R3上拉电阻: 将不......
从容应对在汽车行驶过程中突发的静电放电威胁,提供更可靠的电路保护,又能实现更优的器件成本。凭借超高的EMC/ESD性能,NCA1462-Q1还可在部分设计中帮助工程师省去外围电路中的共模电感或TVS。此外,更加灵活、低至1.8V的VIO设计......
/ESD性能,NCA1462-Q1还可在部分设计中帮助工程师省去外围电路中的共模电感或TVS。此外,更加灵活、低至1.8V的VIO设计可进一步节省系统中LDO或者电平转换的使用,帮助......
实现更优的器件成本。凭借超高的EMC/ESD性能,NCA1462-Q1还可在部分设计中帮助工程师省去外围电路中的共模电感或TVS。此外,更加灵活、低至1.8V的VIO设计可进一步节省系统中LDO或者......
干货分享丨静电3000伏,你感觉不到,静电多高才会伤人 | ESD原理及设计要点; 免费领取 | 四本......
品采用原边反馈控制机制.无需光耦和TL431即可实现高精度输出.恒流恒压精度达到正负4%以内.同时内部集成了高压MOS.内部设计了无电容控制电路.无需外接补偿和采样滤波电容.同时......
。其TVSESD保护器件、三极管、稳压管、大功率低功耗MOSFET等多种功率半导体产品被认定为上海市高新技术成果转化项目。目前产品已远销欧美日韩及东南亚等国家与地区,并广泛应用于智能终端、网络......
载设计使用大颗粒的电感, 可承受超过100W的负载,让挂载更无忧2.防反接设计增加多MOS+保险丝设计, 预防烧板,让通电更安全。3.电压保护设计增加电压检测设计,防止轻压或过压供电,让运......
、可控硅、桥堆、霍尔HALL传感器、高速光耦、肖特基二极管、静电保护ESD二极管、瞬态抑制TVS二极管都排到了百度首页,在海外Google的bing必应上面的收录量也达到了数十万个。在电......
电力设备、太阳能光伏、医疗设备等行业对高性能产品的需求;高中低压的MOS、可控硅、桥堆等功率器件,应用于民用消费领域;肖特基二极管、ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、通用......
实现更优的器件成本。凭借超高的EMC/ESD性能,NCA1462-Q1还可在部分设计中帮助工程师省去外围电路中的共模电感或TVS。此外,更加灵活、低至1.8V的VIO设计可进一步节省系统中LDO或者......
脉冲功率为峰值脉冲电流与钳位电压Va的乘积,Pp越大,在给定最大钳位电压条件下,TVS管的瞬态浪涌电流吸收能力越大,TVS管的ESD保护效果越好。因此,在选择V的前提下,应选择Pp较大的TVS。 电容......
品采用原边反馈控制机制.无需光耦和TL431即可实现高精度输出.恒流恒压精度达到正负4%以内.同时内部集成了高压MOS.内部设计了无电容控制电路.无需外接补偿和采样滤波电容.同时......
引用地址: 为什么需要保护电路 一般的CAN收发器芯片ESD、浪涌防护等级较低,如SM1500隔离CAN收发器虽隔离耐压为3500VDC,裸机情况下,CAN接口ESD可达6kV,但无......
要添加额外的外围保护电路。 为什么需要保护电路 一般的CAN收发器芯片ESD、浪涌防护等级较低,如SM1500隔离CAN收发器虽隔离耐压为3500VDC,裸机情况下,CAN接口ESD可达6kV,但无......
电路设计少不了ESD,详述一下其理论,超详细!;一直想给大家讲讲的理论。但是由于理论性太强,如果一些器件理论不懂的话,这个大家也不要浪费时间看了。任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定......
我就和大家从最基本的理论讲起逐步讲解ESD保护的原理及注意点,你会发现前面讲的PN结/二极管、三极管、MOS、snap-back全都用上了。 以前......
要添加额外的外围保护电路。 ▌为什么需要保护电路 一般的CAN收发器芯片ESD、浪涌防护等级较低,如SM1500隔离CAN收发器虽隔离耐压为3500VDC,裸机情况下,CAN接口ESD可达6kV......
建议加上) 4、D1 ESD二极管 静电保护二极管,防止静电干扰或者损坏IO口。(这个根据PCB的成本及防护级别要求来决定添加与否) 二、外接......
大学技术带头人Leon教授决定合作,将其主研的碳化硅MOS(SiC MOS和SiC SBD)推广到中国市场的新能源汽车上。 萨科微始终坚持在碳化硅功率器件行业埋头苦干,并逐渐引入清华大学和海归的高级半导体人才,成为......
电或者一些高压脉冲有吸收作用。(个人建议加上) 4、D1 ESD二极管 静电保护二极管,防止静电干扰或者损坏IO口。(这个根据PCB的成......
值8.4V 充电电流600毫安 单灯指示 线性SOP8 FS4059A 5V输入充8.4V芯片 充电1A 单灯指示 双节内置MOS SOP8 FS4062A 5V输入充8.4V芯片 充电4A 单灯......
中可知,24V系统过抛负载测试需要选用TVS(SM8S36CA和6.6SMDJ36CA)保护汽车电子产品免受瞬态浪涌威胁和损坏。汽车24V系统过抛负载测试,除了选型TVSSM8S36CA和......
中可知,24V系统过抛负载测试需要选用TVS(SM8S36CA和6.6SMDJ36CA)保护汽车电子产品免受瞬态浪涌威胁和损坏。汽车24V系统过抛负载测试,除了选型TVSSM8S36CA和......
去耦电容都会通过两个器件快速放电,这会导致通过两个开关设备的电流脉冲非常短但非常强。 通过允许开关转换之间的死区时间(在此期间两个 mos 均不导通),可以最大限度地减少发生击穿的机会,这允......
尽可能详细的记录了板子的信息,以及根据自己的理解做了有限的解读。仅总结了一些多引脚的芯片信息,对于与一些小的MOS,二极管,ESD等器件,由于数量多且大多没有丝印无从查起,所以没有对其进行总结,还有......
正是我们用数字万用表测量三极管引脚的依据。 02先找到基极 原理 万用表红表笔相当于是电池的正极,黑表笔相当于是电池的负极,不管是NPN管还是PNP,b和c、e极之间都存在一个PN结,当表笔给PN结加......
4种开关电源开关管(MOS)驱动电路分析; 开关电源开关管(MOS),有几种驱动电路?你都知道哪一种? ......
次年会上,挚物AIoT产业研究院联合物联网智库正式发布了全新升级版的《2023中国AIoT产业全景图谱报告》,在图谱中,发布方将AIoT产业划分为“端”、“边”、“”、“云”、“用”、“产业服务”六大......
单节锂电池产生高电压来运行电机。 下图为 升压转换器的简化原理图 ,由 电容 、 电感 、 MOS 和......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址:MOS,是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
号晶体管和二极管; 小信号MOS; 功率MOS; 双极型功率管; 晶闸管; 整流器; 接口保护器件(ESD保护等); 通用逻辑器件。   恩智浦标准产品部主要客户:   汽车市场:博世; 大陆汽车; 德尔......
利用反证方式来看看MOS管作为开关时的连接方式。 NMOS和PMOS 的开关连接方式是不同的。 NMOS:D极接输入,S极接输出,(正常导通) PMOS:S极接......
30V MOSN沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS,SVG032R4NL5采用......
来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲击电流。 3.2.2电路描述: 图9所示为基于MOS管的自启动有源冲击电流限制法电路。MOS Q1放在DC/DC电源......
单元、键盘、和显示部分组成。 1 探头原理 1.1 盖革-弥勒计数管原理 GM管原理见图1。盖革-弥勒计数管(GM)也称气体放电计数器。一个密封玻璃管,中间是阳极用钨丝材料制作,玻璃......
电源负极。按图中电流箭头所示,该流向的电流将驱动电机顺时针转动。 另一对MOS2相Q3导通的时候(此时必须保证Q1和Q4关断),电流从右至左流过电机,从而驱动电机沿逆时针方向转动。驱动电机时,保证H桥两......
色圈内的波形,高低电平相反,我们把这种波形称为互补PWM波形。 图1 二、添加死区原因 上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的,首先,半导体器件内部都有结电容的,列如MOS,MOS管导通,需要......
荷,会导致mos管误触发,可靠的放电电路还是需要依赖mosg极->D507->驱动芯片地回路来进行可靠的放电。 3)防护漏源极之间过电压 : 虽然漏源击穿电压VDS一般都很大,但如......
、60V的电流、电压, RDS(on) = 8.0mΩ(typ) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,和ao mos 60v AO4264E/威兆VS6410AS封装、电压、导通......
借助高耐性ESD抑制器采取车载Ethernet的ESD对策;随着汽车驾驶辅助技术的发展和能够与车外通信的电子设备的普及,车载电子控制单元(车载ECU)的安装数量有望增加,车载......
列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。 据悉,安建半导体成立于2016年,目前产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品,其中低电压的SGT-MOS、高电压的SJ-MOS......
SEPIC和降压应用的电路原理图。 图1示例的动力控制系统原理图是一个基于LT8711的同步SEPIC变换器,其中包含: ●   两个非耦合电感L1和L2 ●   N沟道调制MOSFETMN1......
视频体验下: 2、同时测量MOSQ1的栅极G和漏极D: 波形如下: 栅极G(黄色波形)为低电平时,在MOS管关断的瞬间,漏极D(紫色波形)上由电机产生感应电动势的峰峰值,竟然高达约28V: 查看......

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ESD测试和整改,提供专业的技术支持和服务! 本公司产品类型为:WiFi 天线,蓝牙天线,GPS 天线,GPS 模组,DC/DC,TVSESD/EMI器件,保险丝,LED,LDO,Mos
;深圳市拓信达电子有限公司;;主营 贴片二三极管 MOS 肖特基 ESD防静电管等系列
;深圳市福田区佳鑫电子经营部;;深圳市福田区佳鑫电子经营部 经销批发的ESD防护、TVS、PESD、电容电阻、钽电容畅销消费者市场,在消费者当中享有较高的地位,公司
;北京鸿盛佳业科技有限公司;;经营产品:瞬态抑制(TVS) 放电管、ESD静电保护管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波
;深圳市嘉德微电子有限公司;;深圳市嘉德微电子有限公司 MOS/TVS/ESD保护管/高频管/场效应管/变容管/电源IC,二三极管等SMD,产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器
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;深圳市福田区新亚洲电子市场二期中元伟业电子商行;;中元半导体专业经营世界名牌厂家,MOS/TVS/ESD保护管/高频管/场效应管/变容管/电源IC,二三极管等SMD,产品主要应用于民用、工业
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