借助高耐性ESD抑制器采取车载Ethernet的ESD对策

发布时间:2023-10-08  

随着汽车驾驶辅助技术的发展和能够与车外通信的电子设备的普及,车载电子控制单元(车载ECU)的安装数量有望增加,车载网络的通信负荷也呈现增长趋势。车载Ethernet作为一种具有高速、大容量的车载网络通信前景光明,它与CAN相比,数据传输速度更快,并且可基于IP(Internet Protocol因特网协议)进行数据交换,因而具有易采用民用Ethernet技术,安全性高等优点。


本文将介绍针对车载Ethernet的ESD对策效果显著的高耐性ESD抑制器的评估结果。

01Open Alliance(车载Ethernet标准化组织)ESD对策电路Open Alliance,规定了ESD保护元件的配置(图1)。ESD对策零部件的配置,可以选择配置在连接器正下方的ESD_1、或配置在共模扼流圈(下称CMC)与Ethernet PHY(物理层IC)之间的ESD_2的任何一种构成。现在主流的电路构成则是在靠近ESD输入部的ESD_1中配置一个ESD保护元件,其要求规格和试验项目已由Open Alliance做出规定。


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图1 由Open Alliance规定的ESD保护元件的配置

02Open Alliance规定的ESD保护元件规格与要求试验


Ethernet通信中,ESD-1的触发电压(工作开始电压)为100V以上,相比之下,在CAN通信的ESD对策中使用的ESD保护元件(层叠压敏电阻和TVS二极管)的工作开始电压则为27V以上,要求对应高触发电压。本公司生产的高耐性ESD抑制器满足下表所示的由Open Alliance规定的ESD保护元件的要求规格。

下一节中,我们将介绍表2所示的ESD保护元件的要求试验中高耐性ESD抑制器的评估结果。


表1 Open Alliance规定的ESD保护元件的要求规格

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表2 Open Alliance规定的ESD保护元件的要求试验

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03Open Alliance要求试验中高耐性ESD抑制器的评估结果

Mixed Mode S-parameter measurement


作为信号品质的评估,测量下述3个S参数。

Sdd11(返回损耗):输入的差分信号在输入端的反射量

Sdd21(插入损耗):输入的差分信号在输出端的损耗量

Ssd21(信号模式转换):输入的差分信号在输出端被转换成共模信号的量有关Sdd11和Sdd21,已知ESD保护元件的静电电容的绝对值、成对使用的静电电容之差值增大时Ssd21(信号模式转换)变差。

静电电容:0.1pF,容差:+0.1/-0.08pF,静电电容的绝对值小,窄容差的高耐性ESD抑制器,其信号品质优异,满足要求规格。


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图3 Mixed Mode S-parameter的评估结果



Damage from ESD


<评估ESD外加引起的S参数变动的步骤>

  • 测量初始值(ESD外加前)的S参数(Sdd11,Sdd21,Scd21)

I

  • EC61000-4-2 接触放电±8kV各外加20次→测量S参数


I

  • EC61000-4-2

接触放电±15kV各外加20次→测量S参数


<判定基准>

Sdd11,Scd21(4个端口上的信号模式转换),ESD外加前后的变动为±1dB以内

Sdd21,ESD外加前后的变动为±0.1dB以内。譬如,在ESD耐性低的ESD保护元件中,S参数因绝缘劣化而大幅变化,无法再满足1项的Mixed mode S-parameter的标准。高耐性ESD抑制器具有25kV的ESD耐性,因而ESD外加引起的S参数变动符合上述基准。



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图4 Damage from ESD的评估结果



ESD discharge current measurement


关于S参数,仅通过ESD保护元件进行评估,而关于此试验,则如下图所示预想实际的电路进行评估。将PHY工作时的阻抗模拟为CMC后级的2Ω电阻,根据示波器的电压波形来评估流向PHY的电流。

Open Alliance的标准书中按电流值分类为ClassIII、ClassII、ClassI,这意味着ClassIII是最佳的ESD保护元件。


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图5 使用ESD保护元件时流过PHY的ESD电流评估的模拟电路与电流值变化


图6中示出在高耐性ESD抑制器与100BASE-T1用的CMC的组合时外加+3kV到+15kV而得的电流波形。虽然波峰部流过5A左右的电流,这是ClassIII的Limit值,但是之后的电流值几乎为0A,抑制了流向PHY的泄漏电流。即使升高ESD外加电压,电流波形也几乎没有什么变化,高耐性ESD抑制器抑制了流向PHY的泄漏电流,相当于3个Class中最优异的ClassIII。


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图6 使用ESD保护元件时流过PHY的ESD电流评估



Unwanted Clamping Effect

at RF immunity Test


此试验中,同样不是通过ESD保护元件单独进行电路评估,而是并用ESD保护元件和CMC进行电路评估(图7)。这是对ESD保护元件在RF功率外加时是否抑制噪声进行评估,因而需要将对作为基准的RF功率外加时的CMR(Common Mode Rejection,共模抑制)外加高于基准值的高功率时的CMR的变动抑制在±1dB以内。另外,CMR通过下式来表示。


CMR= P_in - P_out

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图7 RF功率外加时的抗干扰性评估的模拟电路


图8中示出RF功率外加时的抗干扰性的评估结果。即使将39dBm的ClassIII的RF功率外加到20dBm的标准值上,CMR也没有什么变化,可见对于RF功率外加具有较高的抗干扰性。

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图8 RF功率外加时的抗干扰性评估结果

04小结


高耐性ESD抑制器在第三方认证机关(FTZ)的评估中符合100BASE-T1的要求规格,为采取效果更显著的车载Ethernet的ESD对策做出贡献。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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