资讯
为什么消费类DRAM无法满足工业应用需求？(2023-09-25)
用户可能会在一月份订购两个 DIMM 用于测试，在三月份再订购五百个用于生产，但无法保证一月份订购的模块与三月份订购的模块包含相同的材料。即使是物料清单中最细微的变化也会严重影响DRAM模块......
西安紫光国芯全系列全种类标准DRAM存储产品及场景应用解决方案 将亮相2022存储产业趋势峰会(2021-11-09)
西安紫光国芯全系列全种类标准DRAM存储产品及场景应用解决方案 将亮相2022存储产业趋势峰会;11月18日，由TrendForce集邦咨询主办的2022存储产业趋势峰会将在深圳隆重举办。届时，西安......
中国3D DRAM研究取得创新进展(2023-01-10)
中国3D DRAM研究取得创新进展;随着尺寸的不断微缩，1T1C结构动态随机存储器（DRAM）的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。
基于铟镓锌氧（IGZO）晶体......
三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线(2024-12-24)
技术的投资。
最近，三星平泽第一工厂（P1）建立了业界第一条堆叠400层3D NAND（V10）的测试线，而P4的NAND工厂则引进了堆叠286层（V9）的设备。
通过对DRAM和NAND技术......
三星电子加强DRAM生产(2024-07-22)
三星电子加强DRAM生产;
【导读】三星电子已开始量产，向Nvidia供应第四代HBM3。为了补充因HBM供应而短缺的通用DRAM供应，平泽第4工厂（P4）将转变为仅生产DRAM的生......
消息称美光在全球范围内加大HBM产能(2024-06-20)
圆补助款用来协助美光推动新一代芯片研发，占美光广岛厂研发经费的二分之一。
据TrendForce报道，美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，专注于 DRAM 生产，不包括后端封装和测试，并将重点放在 HBM 产品上。
美光......
深科技：具备最新一代DRAM产品的封测能力(2021-04-09)
产能力。
深科技介绍，公司全资子公司沛顿科技专注于存储芯片的封装测试，是国内具有从集成电路高端DRAM / Flash晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业。
据悉，深科......
敲钟挂牌！紫光国芯成功登陆新三板(2024-07-02)
国芯的业务版图广阔而多元，涵盖了DRAM
KGD、DRAM存储芯片、创新性的SeDRAM技术、存储控制芯片、模组与系统产品，以及全方位的设计开发服务，形成......
全球三大存储厂“你追我赶”(2024-07-01)
人民币，其中包括加建一座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。
同时，美光决定收购力成半导体（西安）有限......
DRAM大厂南亚科：今年将新增DDR5及1A制程产线(2023-02-24)
DRAM大厂南亚科：今年将新增DDR5及1A制程产线;据中国台湾《经济日报》报道，DRAM大厂南亚科总经理李培瑛表示，公司2023年营运计划，除持续推展现有各产品线业务外，将新......
三星考虑重新设计1a DRAM，提高HBM质量(2024-10-22)
三星考虑重新设计1a DRAM，提高HBM质量;
【导读】三星电子正遭遇重大挑战，尤其是在半导体业务方面。除了代工业务停滞不前外，其在高带宽存储器（HBM）领域的竞争力也令人担忧。业内......
“不是借鉴，是窃取！”独家揭秘江波龙被侵权事件始末(2020-06-26)
龙电子发现晶存科技自有品牌Rayson售卖起LPDDR3等DRAM存储产品。这引起了江波龙电子的注意，因为DRAM产品必需多年的技术积累和成熟的研发团队的默契配合，才能完成严格的测试认证以及发售。当时......
传三星电子今年底启动HBM4流片 为明年底量产做准备(2024-08-19)
）。
HBM4测试产品预计最早于明年初上市，最终的测试产品在流片后需要3~4个月的时间能出来。据悉，三星电子将在验证首次生产的HBM4产品的运行情况后，进行设计改进和工艺改进。之后，预计......
三星、美光两家存储大厂扩产！(2024-06-25)
在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，专注于DRAM生产，不包括后端封装和测试，并将重点放在HBM产品上。
马来西亚建厂方面，2023年10月，美光在马来西亚槟城的第二座智能(尖端组装与测试)工厂落成开业，该工......
SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破：良品率已达56.1%(2024-06-26)
正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。
SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D
DRAM单元，其中......
美光将在西安封测工厂投资逾 43 亿元，引入新产线制造 DRAM、NAND 及 SSD(2023-06-16 15:05)
美光将在西安封测工厂投资逾 43 亿元，引入新产线制造 DRAM、NAND 及 SSD;美光科技今天宣布，计划在未来几年中对其位于中国西安的封装测试工厂投资逾 43 亿元人民币。公告称，美光......
美光将在西安封测工厂投资逾 43 亿元，引入新产线制造 DRAM、NAND 及 SSD(2023-06-16)
美光将在西安封测工厂投资逾 43 亿元，引入新产线制造 DRAM、NAND 及 SSD;6 月 16 日消息，美光科技今天宣布，计划在未来几年中对其位于中国西安的封装测试工厂投资逾 43 亿元......
南亚科：没有裁员计划 DRAM市况下半年回稳(2023-02-25)
南亚科：没有裁员计划 DRAM市况下半年回稳;
【导读】2月23日，据经济日报报道，中国台湾最大DRAM厂南亚科总经理李培瑛指出，该公司1B制程有相当大的突破，第一颗产品已完成试产，明年......
西安紫光国芯展出全系列全种类DRAM存储产品，DDR5模组产品首次亮相MTS 2022(2021-12-10)
西安紫光国芯展出全系列全种类DRAM存储产品，DDR5模组产品首次亮相MTS 2022;英特尔12代酷睿处理器的发布推动了内存市场升级换代，DDR5登上舞台。
DDR5在稳......
首颗自研2D MLC NAND Flash！江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力(2024-02-01)
，江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。
双管齐下
自研DRAM芯片测试......
江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力(2024-02-01 10:25)
龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。双管齐下自研DRAM芯片测试......
江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力(2024-02-01 10:25)
龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。双管齐下自研DRAM芯片测试......
首颗自研2D MLC NAND Flash 江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力(2024-04-02)
，江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。
双管齐下
自研DRAM芯片测试......
第四代低功耗动态 DRAM 与其延展版的车辆应用解决方案(2020-07-29)
第四代低功耗动态 DRAM 与其延展版的车辆应用解决方案;日本计划在东京奥运会上展示无人驾驶技术，展现了近年来汽车智能化的成果。随着5G技术与人工智能（AI）的发展，车载......
铨兴科技正式亮相深圳市工业展览馆(2022-06-16)
客户提供一站式的SMT全自动化贴片加工服务。在测试方面拥有自主研发的DRAM IC测试软件、完善的模组测试体系等，为产品保质保量。
产品展示：DRAM内存模组、SSD固态硬盘、数码......
三星推出12纳米级DRAM 明年开始量产(2022-12-23)
三星推出12纳米级DRAM 明年开始量产;
【导读】三星近日宣布推出了业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。据韩国中央日报报道，为了抢占逐渐扩大的DDR5市场，三星......
白皮书证实SK海力士DDR5是实现行业最优化数据中心的关键(2023-09-14)
白皮书证实SK海力士DDR5是实现行业最优化数据中心的关键;
SK海力士携手英特尔共同发布关于DDR5应用于英特尔CPU的性能验证白皮书
较上一代产品，SK海力士DDR5 DRAM......
江波龙电子FORESEE ePOP3轻装上阵，有限空间创造无限可能(2022-03-22)
，实现了批量自动测试机台，并自主开发测试程序，同测数可达256颗且可拓展，能够实现同一产品里的eMMC测试、DRAM速度测试、功能测试、功耗测试等测试能力，为产品质量保驾护航。
（自动化测试机台）
展望......
武汉新芯3DLink™技术，赋能西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM) 平台(2021-08-03)
-铜）互连的方式直接键合，实现对存储器的直接访问。通过定制的DRAM支持多种容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多种带宽；同时为不同逻辑工艺提供标准化接口和测试用IP，使SoC集成......
佰维服务器内存RD100系列DDR4 RDIMM通过Intel授权实验室AVL认证(2022-01-12)
是保障存储芯片产品质量的重要环节。佰维在Flash芯片测试、存储芯片FT测试、老化测试、DRAM存储芯片ATE测试、DRAM存储芯片SLT测试等多个环节，拥有测试设备硬件开发、测试算法开发以及测试自动化软件平台开发的全栈芯片测试......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21)
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功;- 三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展三星电子宣布，已成......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21 10:42)
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功;- 三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展三星电子宣布，已成......
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM， 已向客户提供样品(2023-04-20)
已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证，据悉客户对此产品抱有极大的期待。
SK海力士封装测试（P&T）担当副社长洪相后表示：“公司以全球顶级后端工艺技术力为基础，接连......
总投资100亿元，沛顿存储芯片封测项目将于12月投入生产(2021-03-24)
一期项目投资30.67亿元，公司已公告拟通过非公开发行募资17.1亿元，与国家集成电路大基金二期、合肥经开创投等共同投资完成，包括新建月均产能4800万颗DRAM存储芯片封装测试的项目、月均246万条......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
）之间的适当平衡需要通过各种工艺/设计优化来确定，就如上述的这些方案。
通过虚拟加工新架构设计的原型，测试不同存储密度下的不同DRAM设计方案，并为可以帮助制造未经测试......
功耗降低23%，三星12nm级DDR5 DRAM成功量产(2023-05-19)
级制程工艺的16Gb DDR5 DRAM，并与今年5月与AMD完成了兼容性测试。三星表示，这款产品是业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。
资料显示，DDR5 DRAM是联......
突破！长鑫存储LPDDR5正式发布，国产存储发展起速(2023-11-29)
突破！长鑫存储LPDDR5正式发布，国产存储发展起速;11月28日，长鑫存储宣布推出LPDDR5系列DRAM产品，并成功完成了与小米、传音等国产手机品牌机型的上机验证。据悉，LPDDR5是长......
三星官宣，512GB内存扩展器 CXL DRAM正式推出！(2022-05-10)
年第三季度开始，三星计划向客户和合作伙伴提供512GB CXL DRAM的样品，以进行联合评估和测试。并计划随着下一代服务器平台的推出，为该CXL DRAM产品的商业化做准备。......
韩半导体设备厂商积极开发新一代HBM加工工具(2023-09-03)
韩半导体设备厂商积极开发新一代HBM加工工具;
【导读】据韩媒ZDNet Korea报道，韩美半导体（Hanmi）、Nextin、YEST等韩国半导体设备制造商都在通过开发相关后端工艺和测试......
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用(2024-08-06 10:22)
经特殊说明，本文中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。[1] 四层堆叠封装，每层均由两片LPDDR DRAM芯片组成[2] 用于保护半导体电路免受高温、冲击......
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用(2024-08-06 10:22)
经特殊说明，本文中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。[1] 四层堆叠封装，每层均由两片LPDDR DRAM芯片组成[2] 用于保护半导体电路免受高温、冲击......
从TCS23，看Arm TCS的设计理念(2023-06-27)
。
通过现实的用例环境以及实验室基准测试，TCS23得到了非常好的结果，比如每帧平均减少 30% DRAM 的带宽，而在PUBG实际测试中，DRAM 带宽更是减少了 44%。
DRAM带宽......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21)
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功;
【导读】三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起......
美光西安封装和测试新厂房破土动工(2024-03-28)
光宣布在西安追加投资43亿元人民币，其中包括加建这座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。
新厂......
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM，已向客户提供样品(2023-04-21)
已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证，据悉客户对此产品抱有极大的期待。
SK海力士封装测试（P&T）担当副社长洪相后表示：“公司......
三星10纳米级1c内存突然延期(2025-01-28)
第六代10纳米级1c DRAM制程遇到困难。
尽管市场在2024年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯片。
但因......
美光面向数据中心客户推出 DDR5 服务器 DRAM，推动下一代服务器平台发展(2022-07-07)
美光面向数据中心客户推出 DDR5 服务器 DRAM，推动下一代服务器平台发展;· 随着 CPU 内核数量不断增加，改进后的内存架构相比 DDR4[1] 可将带宽提高近一倍，进而......
美光面向数据中心客户推出 DDR5 服务器 DRAM，推动下一代服务器平台发展(2022-07-07)
美光面向数据中心客户推出 DDR5 服务器 DRAM，推动下一代服务器平台发展;· 随着 CPU 内核数量不断增加，改进后的内存架构相比 DDR4[1] 可将带宽提高近一倍，进而......
美光宣布吴明霞女士出任美光中国区总经理(2023-05-11)
达克股票代码：MU）今日宣布委派吴明霞（Betty Wu）女士担任美光中国区总经理, 并继续兼任 DRAM 封装与测试运营企业副总裁。
美光全球运营执行副总裁 Manish Bhatia 表示......
美光科技发生人事变动！(2023-05-12)
美光科技发生人事变动！;5月11日，美光科技宣布委派吴明霞（Betty Wu）担任美光中国区总经理，并继续兼任DRAM封装与测试运营企业副总裁。
据美光介绍，吴明......
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elpida;尔必达;;尔必达（ELPIDA）是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商，主要生产DRAM颗粒，并且自己制造原产的ELPIDA内存条.Elpida在欧美市场以提供高品质的DRAM类产
;超联应用;;IC DRAM EXCHANGE SALE
;IC Trade;;dram flash wireless samsung TI cypress trading
;SZYL ELECTRONIC CO.,LTD;;几年从事SRAM DRAM FLASH
;樊琳;;dram,flash,wireless,eeprom .cypres,TI,Samsung,chip trading
元器件和成品检测服务的公司。公司由多名在IC设计及测试领域具备资深经验的工程师组建而成，并与国内众多高校建立了良好的合作关系，具有强大的芯片测试及分析实力。目前已经测试的芯片种类多达上万种，其中包括DC/DC
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
;嘉盈;;专业精营-DRAM/Flash/Memory Card/Module - Original Brand & OEM HK
;深圳联升达电子公司;;DRAM 内存芯片 内存条