三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

发布时间:2024-12-24  

三星电子将在平泽二厂(P2)建设一条10nm第七代DRAM(1d DRAM)试验线,以加强其竞争地位并提高新一代产品的良率。

据报道,三星计划于2024年第四季度开始建设1d DRAM试验线,预计于2025年第一季度完工。虽然这条1d DRAM生产线具体生产规模的细节尚不清楚,但业内估计,试验线的月产能通常约为10000片晶圆。

三星计划于2025年开始量产1c DRAM,随后于2026年开始量产1d DRAM。该公司在为1c DRAM量产做准备的同时建立这条试验线的决定反映出其积极的发展战略。

业内人士称,新任三星设备解决方案(DS)负责人全英铉(Young-Hyun Jun)的技术背景使他能够直接管理三星的存储技术,从DRAM等核心业务开始,在DS部门内实施重大改革。与此同时,三星也在加大对NAND闪存技术的投资。

最近,三星平泽第一工厂(P1)建立了业界第一条堆叠400层3D NAND(V10)的测试线,而P4的NAND工厂则引进了堆叠286层(V9)的设备。

通过对DRAM和NAND技术的战略投资,三星旨在保持其在全球存储市场上相对于竞争对手的技术优势。加速开发测试线和推进下一代产品的量产,凸显了三星决心在激烈的竞争环境中巩固其领先地位。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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