资讯
与美光、SK海力士分道扬镳，传三星不走3D DRAM路线(2023-05-29)
目前拥有30项与3D DRAM相关的专利。
据韩媒报道，三星电子正在开发一种4F² DRAM存储单元结构，这一结构比3D DRAM......
存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命(2024-07-23)
也正着手开发HBM4，会考虑采用包括混合键合在内等相关技术，目前一切都在研究中。
03
3D DRAM进程加速
3D DRAM（三维动态随机存取内存）是一种具有全新存储单元结构的DRAM技术......
千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局(2024-01-31)
应用于10纳米或以下节点的DRAM制程，因为以目前的技术预计会面临线宽缩减的极限。报道称，如果三星4F2 DRAM存储单元结构研究成功，在不改变节点的情况下，与现有的6F2 DRAM存储单元结构......
中天弘宇首款NOR Flash量产出货，采用55nm工艺(2023-02-17)
电子倍增注入浮栅」技术和创新的存储单元结构及电路结构，致力于打破穿通效应对NOR Flash使用更先进工艺节点的限制，使存储单元的沟道长度能够继续向90nm以下微缩，达到小面积、低成本、低功耗、大容......
10nm后，DRAM有这些发展方向(2023-06-13)
）DRAM 方面取得了重大进展。
据三星称，新的16 GB、12 nm DDR5 DRAM具有精致的电路、优化的单元结构......
类 3D NAND 设计，Neo 半导体推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 层(2023-05-10)
成为在不久的将来取代 2D DRAM 的可靠候选者。
3D X-DRAM 技术的核心在于创新使用了浮动体单元 （FBC），利用当今成熟的 3D NAND 工艺，只需要一个掩模（mask）即可定义位线孔并在孔内形成单元结构......
DRAM制程失速，全球存储市场在竞争什么？(2023-02-17)
——这种DRAM单元结构将在未来几代产品上延续。但如果存储厂商保持6F2 DRAM单元设计以及1T+1C结构，2027年或2028年10nm D/R将是DRAM的最......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）
l 这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。
l DRAM技术的不断微缩正推动向使用水平电容器堆叠的三维器件结构......
进入1x nm时代，DRAM产业举步维艰(2017-04-20)
，延迟和制程升级。DRAM本身是建立在一个晶体管一个电容器（1T1C）单元结构的基础上。单元排列成一个矩形，呈网状模式。
简单的说，对DRAM单元的晶体管施加电压，反过来给存储电容器充电，然后每比特数据存储......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-22)
更高极限的新路径。
平面升立体，3D DRAM跳出原框架
由上文可知，DRAM工艺突破放缓的原因主要在于存储单元的简洁结构——由一个用于存储......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
升立体，3D DRAM跳出原框架
由上文可知，DRAM工艺突破放缓的原因主要在于存储单元的简洁结构——由一个用于存储电荷的电容器和一个用于访问电容器的晶体管组成。业界的思路也就是颠覆这种结构，并辅......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
DRAM顺势成为了存储厂商迫切想突破DRAM工艺更高极限的新路径。
贰平面升立体，3D DRAM跳出原框架
由上文可知，DRAM工艺突破放缓的原因主要在于存储单元的简洁结构——由一个用于存储......
DRAM将跨入3D时代(2017-03-17)
时间内必须要采用3D DRAM解决方案。什么是3D超级DRAM (Super-DRAM)？为何我们需要这种技术？以下请见笔者的解释。
平面DRAM是存储单元阵列与存储逻辑电路分占两侧，3D Super......
三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存，用于AI服务器(2024-10-31)
垂直堆叠的V-NAND，以最大限度地提高容量和性能。
三星目前批量生产286层大容量V9 NAND闪存芯片。在现有的NAND芯片中，存储单元......
mini2440的SDRAM分析(2024-08-01)
个256Mb的16位位宽的DRAM,注意这里是256Mb，是小b,所以总共是256／８＝３２MB。看看SDRAM内部的结构功能框图:
这款DRAM内部的存储单元首先是由4个称作BANK的单元组成（图中......
中科院微电子所在动态随机存储器领域取得重要进展(2022-07-06)
中科院微电子所在动态随机存储器领域取得重要进展;DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，传统1T1C结构的DRAM的存储电容限制问题以及相邻存储单元之间的耦合问题愈发显著，导致DRAM......
DRAM，加速走向3D(2023-03-15)
程上的突破进展呈现放缓趋势。
“尤其是随着10nm制程的临近，使其在晶圆上定义电路图案已经接近基本物理定律的极限。由于工艺完整性、成本、单元泄漏、电容、刷新管理和传感裕度等方面的挑战，DRAM存储单元......
NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？(2022-08-19)
积累了近40年的发展底蕴，并已成为存储器第二大细分市场。按存储单元密度来分，NAND Flash可分为SLC、MLC、TLC、QLC等，对应1个存储单元分别可存放1、2、3、4bit的数据。目前NAND......
市场规模可达上千亿美元，三星2025年率先进入3D DRAM时代(2024-04-04)
减少元件面积，但提升刻蚀精确度要求。
相较2D DRAM结构，堆叠DRAM可充分利用Z轴向空间，较小面积容纳更多存储单元......
巨头们低调发力，3D DRAM或在未来3年成为主要方向(2023-03-16)
成为未来的新增量。
然而，庞大的需求端下，是人们不断增长的对高容量、高性能、小存储单元尺寸以及低功耗存储设备需求，这也使得DRAM在带宽和延迟方面的挑战更为紧迫，带宽......
SK海力士发布2024财年第一季度财务报告(2024-04-25)
也将及时供应最高性能的产品，并继续维持以盈利为主经营，不断改善公司业绩。”
* 四层存储单元（QLC）：NAND闪存凭借数据存储方式，可分为每个单元可存储1位数据的单层存储单元（SLC，Single Level Cell......
随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?(2022-12-30)
内容，故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器(英文：StaticRAM，SRAM)和动态随机存储器(英文DynamicRAM，DRAM)。
随机存取存储......
SK海力士重磅消息：NAND Flash达到300层，“两王”之争谁是上风？(2023-03-23)
更高极限的新路径。
DRAM工艺突破放缓的原因主要在于存储单元的简洁结构——由一个用于存储电荷的电容器和一个用于访问电容器的晶体管组成。业界的思路也就是颠覆这种结构，并辅以特殊的材料，从而......
SK海力士2024年第一季度收入12.4296万亿韩元 创同期历史新高(2024-04-26)
1位数据的单层存储单元（SLC，Single Level Cell），存储2位数据的多层存储单元（MLC，Multi Level Cell），存储3位数据的三层存储单元（TLC，Triple......
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代(2024-04-01)
幅减少器件面积占用，但提升了对刻蚀工艺精度的要求。
相较现有 2D DRAM 结构，堆叠 DRAM 可充分利用 z 方向空间，在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容纳提升至 100G 以上。
3D DRAM 市场......
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代(2024-04-02 09:16)
升了对刻蚀工艺精度的要求。相较现有 2D DRAM 结构，堆叠 DRAM 可充分利用 z 方向空间，在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容纳提升至 100G 以上。3D DRAM 市场有望于 2028 年达......
后疫情时代需求爆发，半导体存储产业迎来新的曙光(2024-01-05)
介质，采用非易失性存储技术，可以长期保存 数据。按存储单元密度来分，NAND Flash可分为SLC、MLC、TLC、QLC四种，以实 现高密度的数据存储；按堆叠方式又分为平面式和垂直堆叠式两种结构......
存储器和数字芯片测试的基本测试技术(2023-06-07)
器可以分为以下几类，如表1所示：
存储器术语的定义
在讨论存储器芯片测试之前，有必要先定义一些相关的术语。
写入恢复时间（Write Recovery Time）：一个存储单元......
Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术(2024-10-24 10:46)
器 (SCM) 的研发，SCM 是一种位于半导体存储器层级结构中 DRAM 和闪存之间的存储器解决方案，旨在以比 DRAM 更大的容量和比闪存更高的速度处理数据。在 IEDM 上，Kioxia 将揭晓针对这三种半导体存储......
嵌入式存储器的前世今生(2017-06-19)
。RRAM的存储单元具有简单的金属/阻变存储层/金属(MIM)三明治结构如图六所示。
图六 RRAM器件结构图
哪种存储会是未来的选择？
FRAM的读......
存算一体：内核架构创新，打破算力能效极限｜深度研报(2023-06-01)
存算一体技术及产业有望引领世界。
存算一体当前有一些相似的称呼（如近存计算），其内在结构差别如下：
近存计算：不改变计算单元和存储单元本身设计功能，通过采用先进的封装方式及合理的硬件布局和结构优化，增强......
晶圆级拆解英特尔Optane 3D XPoint存储器，探索黑科技！(2017-06-27)
究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane存储器之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态存储......
Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术(2024-10-23)
器 (SCM) 的研发，SCM 是一种位于半导体存储器层级结构中 DRAM 和闪存之间的存储器解决方案，旨在以比 DRAM 更大的容量和比闪存更高的速度处理数据。
在 IEDM 上，Kioxia......
存储控制器FSMC与触摸屏介绍(2024-02-22)
器DRAM(Dynamic RAM)以及静态随机存储器SRAM(Static RAM)两种。
2.DRAM存储器：动态随机存储器 DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表 1，无电......
51单片机——存储器（一）(2022-12-14)
51单片机——存储器（一）;1.存储器概述
存储器是许多存储单元的集合，存储器单元实际上是时序逻辑电路（锁存器）的一种，按单元号顺序排列。每个单元由若干二进制位构成，以表示存储单元中存放的数值，这种结构和数组的结构......
这场DRAM技术困局谁来破？(2022-08-26)
上。DRAM是基于一个晶体管和一个电容器的存储单元。其扩展是在一个平面上，将每个存储单元像拼图一样拼接起来。要想提升DRAM工艺，电容器的缩放是一个挑战。另一......
被垄断的NAND闪存技术(2023-07-20)
因为 NAND不再依赖光刻来图案化更小的单元。相反，NAND 依赖于不同的架构，也就是 3D NAND，该架构于 2013 年首次商业化。
此后，NAND 制造商通过添加越来越多的存储单元......
三星新设内存研发机构：建立下一代3D DRAM技术优势(2024-01-30)
商考虑作为长期扩展的潜在解决方案。
3D DRAM是将存储单元（Cell）堆叠至逻辑单元上方以实现在单位晶圆面积上产出上更多的产量，从这方面来说，3D DRAM可以有效解决平面DRAM最重要也最艰难的挑战，那就......
华为/中科院共研成果即将亮相？3D DRAM商业化尚需时日(2022-05-30)
DRAM是一种将存储单元堆叠至逻辑单元上方的新型存储方式，可以实现单位面积上更高的容量，解决平面DRAM工艺微缩愈加困难的挑战。
尽管HBM的出现开启了DRAM 3D化发展道路，但必须要指出的是，与......
一文读懂车载存储芯片(2024-03-08)
足客户对大容量和高数据传输速度的要求。3. DRAM芯片动态随机存储器（DRAM）作为存储单元，由一个MOSFET和一个电容组成，DRAM存储芯片上布满存储电路，存储电路主要由一个个存储单元组成存储阵列，阵列密度决定存储......
车载存储芯片介绍(2023-06-29)
足客户对大容量和高数据传输速度的要求。
3. DRAM芯片
动态随机存储器（DRAM）作为存储单元，由一个MOSFET和一个电容组成，DRAM存储芯片上布满存储电路，存储电路主要由一个个存储单元组成存储......
S3C2440存储系统-SDRAM驱动(2024-08-21)
用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。如：PC里面的BIOS。
l RAM(Random Access Memory) ：随机访问存储器，存储单元......
S3C2440 SDRAM驱动配置编程(2024-06-06)
的BIOS。
l RAM(Random Access Memory) ：随机访问存储器，存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。可以理解为，当你......
s3c2440 SDRAM(2024-08-21)
器，存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。可以理解为，当你给定一个随机有效的访问地址，RAM会返回其存储内容(随机寻址)，它访问速度与地址的无关。这种存储器在断电时将丢失其存储......
FLASH存储器测试程序原理和几种通用的测试方法(2023-06-13)
器测试算法的研究就显得十分必要。
不论哪种类型存储器的测试，都不是一个十分简单的问题，不能只将存储器内部每个存储单元依次测试一遍就得出结论，这是因为每一个存储单元的改变都有可能影响存储器内部其他单元......
清华团队发布3D DRAM存算一体架构！(2024-08-12)
近存架构的带宽瓶颈和二维存内计算架构的工艺瓶颈问题，研究团队首次探索了三维立体存算一体架构方案。此方案通过将计算单元与DRAM存储单元在垂直方向堆叠，单元间以金属铜柱作为数据通道互联，有效解决了“滩前问题”，能任......
创纪录
TrendForce集邦咨询估计，2024年NAND Flash营收将达674亿美元、年增77%;2025年在大容量QLC(四层式存储单元) Enterprise SSD(企业级固态硬盘)崛起、智能手机采用QLC......
受价格上涨和HBM、QLC推动，2025年存储器产业营收将创新高(2024-07-22)
机构TrendForce集邦咨询发布的最新存储器产业分析报告显示，受惠于位元需求增长、供需结构改善拉升价格，加上HBM（高带宽存储器）等高附加价值产品崛起，预估2024年DRAM内存......
的崛起而创新高
根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起，预估DRAM（内存）及NAND......
KLA全新芯片量测系统助力高性能逻辑及存储芯片制造(2020-02-26)
750有助于验证特征图案是否与前层对应结构图形对准，而SpectraShape 11k则帮助监控三维结构的形状，例如晶体管和存储单元，确保它们符合规格要求。通过识别图案对准或特征形状的细微变化，这些......
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;深圳市嘉讯微科技有限公司;;本公司是一家专业代理销售存储IC供应商。经营MCP,Flash,NAND,SDRAM,DRAM存储IC。品牌有SAMSUNG ，HYNIX，MICRON
各大厂家的直接进货渠道,独家实力储备(欧美日韩意台)世界各大知名品牌工厂停产系列的库存. 产品线：军工级别(EPROM)/动静态(SRAM/DRAM)/可编程可擦写IC(EEPROM)/存储器IC/单片机IC/快闪
各大厂家的直接进货渠道,独家实力储备(欧美日韩意台)世界各大知名品牌工厂停产系列的库存. 产品线：军工级别(EPROM)/动静态(SRAM/DRAM)/可编程可擦写IC(EEPROM)/存储器IC/单片机IC/快闪