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-30kHz) IRGR4610DPbF DPAK 10 (8-30kHz) IRGS4610DPbF D2PAK 10 (8......
提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件，以提高设计灵活性。 符合......
于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外，为了进一步扩展其SiC二极管产品组合，Nexperia现还提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件，以提......
封装的更高额定电流（2 A和3 A）的器件计划将于明年第一季度正式发布。其余采用DPAK/D2PAK封装的零件计划将在2023年下半年及2024年间陆续发布，并且......
为 MOSFET 提供了一个紧凑的解决方案，同时保持了适中的功率处理能力。 在1990年代初，为满足车用电子和工业应用中对更好散热的需求，DPAK（TO-252）和D2PAK（TO-263）这两种表面贴装封装......
电流额定值超过10 A的产品，客户可在选择正向电压规格时，在超快恢复和快恢复开关产品间进行选择。首批采用CFP封装的更高额定电流（2 A和3 A）的器件计划将于明年第一季度正式发布。其余采用DPAK/D2PAK封装......
二极管产品组合，Nexperia现还提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6  A、16  A和20  A的工业级器件，以提高设计灵活性。这些......
件计划将于明年第一季度正式发布。其余采用DPAK/D2PAK封装的零件计划将在2023年下半年及2024年间陆续发布，并且也会推出标准版和车规级版本。 关于新款器件的更多信息，包括产品规范和数据手册，请访......
、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件，以提高设计灵活性。这些二极管解决了要求高电压和高电流的应用的挑战，包括开关电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池......
通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装(DPAK R2P和D2PAK R2P)和采用真2引脚配置的通孔(TO-247-2)封装，可在高达175°C的高压应用中增强可靠性。 Nexperia......
兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装，使该系列二极管可用于表面贴装（DPAK R2P和D2PAK R2P）或通孔式（TO-220-2、TO-247-2）器件。现已可提供工程样品，并计划于2022年第......
基二极管采用真2引脚(R2P) TO-220-2通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装(DPAK R2P和D2PAK R2P)和采用真2引脚配置的通孔(TO-247-2)封装，可在高达175°C......
选项包括表面贴装(DPAK R2P和D2PAK R2P)和采用真2引脚配置的通孔(TO-247-2)封装，可在高达175°C的高压应用中增强可靠性。Nexperia SiC产品组高级总监Katrin......
的功率双极性晶体管，扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合，涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。新的MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容，且在可靠性方面有着显著优势。 新的......
、75kHz、连续导通模式 (CCM) 散热/冷却液温度为 80℃ 的情况下，对一系列 TO-247-4L 和 D2PAK-7L SiC FET 的“快速开关”支路进行评估。经过评估，我们发现这两种封装......
TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构，器件正向压降比上一代解决方案低0.3V，正向压降与电容电荷乘积，即电......
可处理约10亿片(TO-220, DPAK, D2PAK, LFPAK)。东莞封测厂主要负责小尺寸IC封装，产能最高；而马来西亚工厂年产能约为200亿（主要是二极管）。 Microchip......
于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代SiC二极管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK......
出六款全新的650V和1200V产品，所有这些器件均采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装。这些最新的SiC FET可提供30、40、80和150mΩ版本，表明碳化硅器件在加速向服务器和电信电源、工业......
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET;第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而......
 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。 第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而......
Vishay推出采用TO－263（D2PAK）封装，具有多脉冲处理能力的车规级表面贴装厚膜功率电阻器;器件通过AEC-Q200认证，额定脉冲循环为100 000次，功率耗散高达35 W 日前......
, DPAK, D2PAK, LFPAK)。东莞封测厂主要负责小尺寸IC封装，产能最高；而马来西亚工厂年产能约为200亿（主要是二极管）。 Microchip Microchip的在......
技术与前几代D2PAK封装相比还实现了10% SOA性能改进（在 50 V、1 ms 条件下，电流分别为33 A和30 A）。 Nexperia的另一项创新在于，用于热插拔的新型ASFET完整......
1700V D2PAK 封装车用  的补充，打造了完整的产品组合，可满足 400V 和 800V 电池架构的应用需求。 Qorvo 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“这一......
产品是对 Qorvo 现有的 1200V 和 1700V D2PAK 封装车用 SiC FET 的补充，打造了完整的产品组合，可满足 400V 和 800V 电池架构电动汽车的应用需求。 Qorvo 电源......
D2PAK 封装车用 SiC FET 的补充，打造了完整的产品组合，可满足 400V 和 800V 电池架构电动汽车的应用需求。Qorvo 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“这一......
宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023......
件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。 CoolSiC™ MOSFET 650 V G2组合1-1 供货情况 采用 ThinTOLL 8x8和......
英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度;【2024年6月13日，德国慕尼黑讯】在技......
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对......
液体冷却最大限度排出标准 PCB 和 IMS 基板上的热量，因此热阻非常低。” 采用 D2PAK-7L 封装系列的全新 750V 第四代 SiC FET 售价（1000 件起，美国离岸价）为 3.50 美元......
Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装......
型增强安全工作区(SOA)技术，此技术是专为提供出色的瞬态线性模式性能（安全气囊应用中的关键性能指标）而量身定制。BUK9M20-60EL可在新LFPAK33封装中实现此性能，与旧DPAK封装相比，在保......
Nexperia的650 V两种超快速恢复整流二极管采用D2PAK真双引脚封装，具备高效率和高可靠性;封装配置使整流二极管符合更高的爬电距离和电气间隙标准 奈梅亨，2024 年 7 月 10 日......
三代增强SOA技术与前几代D2PAK封装相比还实现了10% SOA性能改进（在 50 V、1 ms 条件下，电流分别为33 A和30 A）。 Nexperia的另......
场效应晶体管可在发生短路的情况下防止负载损坏。供货OptiMOS线性场效应晶体管现可供货，有三个电压等级：100 V、150 V和200 V。它们可采用D2PAK或D2PAK 7pin封装。这些行业标准封装兼容简易替换元件。......
整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高压终端 (JTE) 设计，具有高功率密度、快速开关时间、软恢复能力和出色的可靠性。它们采用D2PAK真双引脚封装 (SOT8018)，封装尺寸与标准D2PAK封装相同，但只有两个引脚，而不......
与前几代D2PAK封装相比还实现了10% SOA性能改进（在 50 V、1 ms 条件下，电流分别为33 A和30 A）。Nexperia的另一项创新在于，用于热插拔的新型ASFET完整标示了25°C和125......
发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS......
DPAK 或 D2PAK 等表面贴装器件 (SMD)，再到最新的无引脚封装，以及内部硅技术的显著改进， 解决方案正在不断发展，以更好地满足工业市场新的要求。本文介绍了 TOLT 的封装方案、热性......
术专为提供出色的瞬态线性模式性能（安全气囊应用中的一个关键指标）而量身定制。 与传统 DPAK 封装相比，ASFETs 产品组合结合了最新的硅沟槽技术和 LFPAK 封装，使其......
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度;在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能......
贸泽开售采用D2PAK－7L 封装的工业用UnitedSiC 750V UJ4C／SC SiC FET;提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子(Mouser......
贸泽开售采用D2PAK－7L 封装的工业用UnitedSiC 750V UJ4C／SC SiC FET;提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子(Mouser......
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A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极......
和功率器件，包括dsPIC33C 数字信号控制器 （DSC）、MCP14C1隔离型SiC栅极驱动器和mSiC™ MOSFET，采用行业标准的D2PAK-7L XL封装。本文引用地址：该解......
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2; 【导读】在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能......
）。 mSiC MOSFET采用符合AEC-Q101标准的D2PAK-7L XL表面贴装封装，包括五个并联源极检测引线，可降低开关损耗、提高电流能力并降低电感。该器件支持400V和......

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