资讯
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
符号衬底的箭头指向哪里，简化符号栅极有没有小圆圈，衬底该接高接低，栅极高电平导通还是低电平导通，导通电流方向是什么】的答案，时不时还真有点卡壳。这真的不能怪我们，是真的太绕了，比如P管栅极居然是低电平有效，简化......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
-2-B
由于MOS管在制造工艺上栅极S的引线的电流容量有一定的限度，所以在Q1在饱和导通时VCC对MOS管栅极S的瞬时充电电流巨大，极易损坏MOS管的输入端。
为了保护MOS管的安全，在具体的电路中必须采取措施限制瞬时充电的电流......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在MOS管栅极并联稳压管(图中......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
可能储存有一部分电荷，但是没有释放回路，MOS管栅极电场仍然存在且能保持很长时间，建立导电沟道的条件没有消失。在下次开机时，在导电沟道的作用下，MOS管立即产生不受控的巨大漏极电流Id，引起MOS管烧坏。
......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-06)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;
【导读】意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
组成栅源寄生电容泄放回路，栅极二极管提供一个低阻抗MOS管关断路径，加快MOS管关断。（电路中元件参数看根据实际PCB进行调整）
半桥驱动电路，当MOS管栅源电压高于阈值电压时MOS管开始导通，IRF3710的阈......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
计算出来。
下面我们根据此MOS计算mos管栅极打开时，所需的电流值，公式如下：
**此处的FSW代表的为mos管开关频率，QG则代表的是mos管寄生电容值（一般我们取最大值）。
以该mos管的QG......
七种MOS管栅极驱动电路(2024-10-30 00:55:57)
七种MOS管栅极驱动电路;
在使用mos管驱动电路设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑mos的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07 11:02)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07 11:02)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN驱动器集成电流隔离功能,具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07)
意法半导体GaN驱动器集成电流隔离功能,具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-06)
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
极之间没有导电沟道，所以电流为0；
当开关S闭合，场效应管栅极获得正电压，上面会带有正电荷，它产生的电场穿过电介质，将P衬底中的电子吸引过来并聚集，从而在两个都是N型掺杂的源漏极之间出现导电沟道，由于......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
先从一个最简单的驱动电路开始。单片机控制 MOS 管栅极为高时，电流从电源经过电机和 MOS 管到地。当栅极为低时，MOS 管断开，此时电机线圈内的电流继续通过续流二极管回流电机的正极。我们通过调节栅极控制端的PWM占空比，就可......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
用于形成自举电路。（后续将详细讲解）
★HO和LO接到MOS管栅极，分别用于控制高端和低端MOS的导通与截止。
★COM脚直接接地即可。
3、自举电路
此部分是理解该芯片的难点，需要进行重点讲解。从上......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
电压，CE电流和CE电压的关系：
从另外一张图中细看MOS管与IGBT管栅极特性可能更有一个清楚的概念：
开启过程
关断过程
尝试去计算IGBT的开启过程，主要......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数
3.桥式整流电路
看好电路图的 电源和负载的两端接哪
4.MOS管防反接（用得......
半桥不对称 PWM 控制变换器(2024-11-15 11:28:50)
现缓启动电路
七种MOS管栅极驱动电路
1.工作原理
不对称脉宽调制半桥 DC/DCZVS变换器的电路如图 4-19所示。当开关 S1和......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
使用速度更快的的比较器，但是电路的响应时间还取决于比较器驱动MOS 管的速度，MOS 管栅极电容充放电的过程也会造成延迟。
注：意思就是如果电流曲线非常陡峭，那么到比较器准备关断MOS......
数明半导体推出高效节能的电机驱动芯片SLM8837(2024-07-03)
的保护机制会立即启动，防止系统损坏或不稳定状况发生。
当限流电路一旦检测到过流信号时，会移除栅极驱动器来限制通过 MOS 管的电流，使得芯片安全性得到极大保障，提高......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
射能力强等优点，适用于做电压放大电路的输入级。
2.2 MOS管开关电路
MOS管也常用来开关电源，其原理是利用MOS管栅极(g......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
N沟道增强型MOS管结构示意图
当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源......
直流无刷电机调速原理(2023-05-06)
磁极与转子磁极之间的吸引力就越大， 转速也就越高， 因此， 控制电流就可以控制电动机的转速。 无刷电流电动机大多采用脉宽调制（PWM） 调速方式。
直流电动机 PWM 调速工作原理是： 当场效应晶体管栅极......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
到源极的电压为负，P 沟道 MOSFET 或简单的 PMOS 将激活。但是，它需要满足每个 MOSFET 数据表的栅极到源极电压要求。当 MOSFET 激活时，通道将关闭，电流将流向它，而不......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
灯的亮灭，即当栅极有电流时，Q5导通及电流不会流入LED灯，所以LED灯灭，当栅极无电流时，Q5断开，LED灯亮。
图4.5 开漏电路原理图
开漏电路可以利用外部电路的驱动能力，减少cpu内部......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
制核心输出低电平时，三极管Q1截止，电阻R3和R4对电源（V+）分压，MOS管导通并达到饱和状态。G极电压为:
2）推挽驱动电路
当电源IC驱动能力不足时可使用推挽驱动电路。推挽驱动电路能提升电流供给能力并能快速完成栅极......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流通过单极传输，这意味着N沟道器件中只有电子。由于......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
管，Q2为PMOS管，MCU通过高低电平控制三极管Q1的导通和关断。
当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法;
的的几种本文引用地址：的输入一般有滤波器来减小电源反馈到输入的纹波，输入滤波器一般有电容和电感组成∏形滤波器，图1. 和图2. 分别为典型的AC/DC电源......
功耗限制条件下噪声最优化的低噪声放大器的设计(2024-07-18)
饱和电场强度为
噪声系数F与M1尺寸选取有着以下密切关系：
式中，QL为输人谐振同路的品质因子，Cgs为MOS管栅源之间的电容，Cpx为MOS管栅氧化层电容密度。由公式(3)、(4......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，就达不到想要的效果。
推挽驱动
当电源IC驱动能力不足时，可用推挽驱动。
这种驱动好处是提升电流......
我国首次建立基于硅晶格常数溯源的集成电路纳米线宽标准物质(2024-09-14)
促进我国集成电路产业发展。
纳米线宽作为集成电路的关键尺寸，指晶体管栅极的最小线宽（栅宽），是描述集成电路工艺先进程度的一个重要指标，其量值的准确性将极大影响电流、电阻......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
呈现电容性，因此需要相当大的电流脉冲才能在几十纳秒内对栅极进行充电和放电，峰值栅极电流可以高达一个安培。
功率mos管损......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
SiC MOS管的大量使用，在开关过程中会出现尖峰，这与电压电流的瞬态变化以及寄生参数 (电感、电容) 有关，特别是针对高频开关。在SiC MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而在寄生电容中产生大的位移电流......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
通，电流从CE流过。
当栅极G为低电平时，NMOS截止，所以PNP的CE截止，没有电流流过。
IGBT与MOSFET不同，内部没有寄生的反向二极管，因此在实际使用中(感性负载)需要......
电子管功放的检修技巧_电子管功放故障排除(2024-01-26)
率管帘栅电压，看是否与该机型机器所需要求的电压值相符，过高会过低都不正常。测功率管栅偏压需按如下三步进行，即：测阴极电压或固定负压；测偏压传递情况，测栅极有无漏电正电压。
三、功率......
一文解析51单片机PWM双舵机控制(2023-08-10)
宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
根据选型的二极管参数决定）
2、采用NMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约是0.7V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs......
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片(2023-05-16)
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片;意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
2023 年 5月 16 日，中国......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
镜如图1(b)所示，这种电流镜用衬底-漏极连接代替传统简单电流镜结构里的栅极-漏极连接[3].当然，M3和M4通过衬底连接而不是栅极，而N型MOS管M3和M4的栅极......
春风极核AE8电机控制器拆解分析(2024-03-25)
春风极核AE8电机控制器拆解分析;极核AE8为春风旗下的高端电动品牌“ZEEHO极核”的首款高性能电动摩托车产品。近日，在极核AE8电机控制器拆解分析报告中提出，电控PCBA由控制和MOS板构......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
这种驱动电路作用在于：提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
3、驱动电路加速MOS......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
bldc变频电机是直流吗 bldc变频电机优缺点(2024-07-10)
bldc变频电机是直流吗 bldc变频电机优缺点;bldc变频电机是直流吗
尽管“B”代表无刷 （Brushless）、“DC”代表直流 （Direct Current），但事实上，BLDC......
认知里的PWM脉冲宽度调制(2024-08-09)
认知里的PWM脉冲宽度调制;针对PWM，官方的解释是这样：PWM，也称脉冲宽度调制，它是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
不需要再考虑进行多晶硅栅的polycide。如图1.15（a）所示，是Salicide的MOS管结构图。
MOS器件的特征尺寸缩小到深亚微米导致的另外一个问题是短沟道效应引起的亚阈值漏电流。随着MOS器件的栅极......
相关企业
粉发光，还有一部分电子撞击到栅极上，被栅极截获，形成栅极电流。VFD图案的显示，主要通过栅极和阳极电压的正负来控制，当栅极加上正电压，该栅网下的阳极笔端也加上正电压，则与
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;深圳市凯达微电子商行;;产品简介:★深圳凯达电子有限公司 专业现货批发日本TOREX特瑞仕,立崎,全系列数码电源管理IC。主要产品有电压检测器,调整器,稳压器,升压DC/DC转换器,降压DC/DC
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