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)使用方法:把两个相同参数TVS二极管同向端连接在一起。 3)方案说明:TVS二极管并联使用,可以理解为在原来一个TVS基础上,多给了一个峰值电流经过的通道,在能力上相当于让最大峰值电流加倍,大大......
、功率MOSFET零电压的开通 功率MOSFET要想实现零电压的开通,也就是其在开通前,D、S的电压VDS必须为0,然后,栅极加上VGS驱动信号,这样就可以实现其零电压的开通。在实际的应用中,通常方法就是利用其内部寄生的反并联寄生二极管......
路使用三个隔离电源,下三路(还有制动管)可以共用一个电源,简化了电源和电路结构。 为了进一步简化电源结构,4kW以下的机型可以采用自举电源,即全部驱动部分只使用一个电源,逆变桥的上下臂之间通过电容自举充电,用二极管......
230V LED驱动器(2023-08-01)
。为此,我们使用了一个 4.7V 的齐纳二极管 (1N4732A)。在齐纳二极管之前,我们连接了一个 22KΩ (5W)的串联电阻,用于限制电流。 稳压后的直流电经 47µF / 25V 电容......
的影响。 A/D转换器的每一个通道都有模拟开关,分为以下步骤完成一次转换: 1)选通模拟开关,此时外部电压通过外部输入电阻以及模拟开关的电阻向采样保持电容充电(输入端口与地之间没有并联电容); 2) 选通......
个压控型器件,G极电压要控制在20V内,过高的电压脉冲会导致G极的击穿,这个稳压二极管就是起一个保护场效应管防止击穿的作用。 对于并联在分压电阻上的电容,有一个软启动的作用。在电......
电压源的特性,属电压型变频器,在异步电动机的调速系统中,因电动机为感性负载,电容同时兼作缓冲无功功率的储能元件。 逆变部分采用为门极可关断晶闸管。逆变部分的每个桥臂均由一个门极可关断晶闸管和一个反向并联的续流二极管......
电流挡保护:一般胜利数字表都会在mA孔串上一个200mA/250V的保险管,输入电流大于200mA的时候保险管熔断保护后级电路。 二:双向限幅二极管,利用两只1N4001硅整流二极管并联构成双向限幅二极管......
阻进行分流来扩大直流电流挡测量量程,通过与表头串联电阻分压在加装二极管整理器来扩大交流电压档测量量程把交流信号整流变为直流信号流过表头来测量,指针......
电流顺利释放。 恒流源驱动电路由大功率达林顿管并联构成,它的作用是:当储能源电容器充满电荷后,由恒流源驱动电路对被测样品控制放电,亦即浪涌电流试验。根据设计的要求,若采用最大输出电流为2 kA,则必......
技术,借助针床夹具完成测试过程,精准测量PCBA 中组装的电阻、电容、电感、跳线、二极管、三极管、光耦等通用和特殊元器件的参数值,根据标准值判断故障类型,ICT 对不同器件的原理各不相同。 1.1 电阻......
时容易反灌,导致一个电流流入第二个,只要加入防止倒灌的二极管就可以了。 然而这考虑的还不够全面,实际应用过的工程师,可能会发现,并联电源模块时,有时候一个电源模块会持续输出,而另......
的功耗的总和,减去自举电阻的功耗。 如果自举二极管在栅极驱动器内部的话,添加一个与内部自举二极管并联的外部二极管,因为二极管功耗很大。外部二极管必须放置在靠近栅极驱动器的地方,以减少串联寄生电感,并显......
提高放大器的共模抑制比十分有利。激励级的工作电流高达85mA,输出级的工作电流更是高达1.7A之巨(两管并联)。由于本机电流很大,制作时一定要给每一个三极管(包括激励级和恒流源负载三极管)都加上足够大的散热器,且电......
助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护MOSFET,另一种替代方案更为经济,即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后,MOSFET随即导通,防止漏极-源极发生雪崩击穿。  A-selection齐纳二极管......
​升压转换器中的输出电压和二极管电流;了解输出电压和二极管电流如何影响升压开关调节器的性能。本文引用地址:在前面的文章中,我们使用图1中的示意图来探讨基本升压的设计决策和操作细节。现在......
之间的主要区别在于每个结构将添加到受保护的 I/O 上的寄生电容量。)每种结构均旨在引导正负 ESD 脉冲远离受保护的 IC。对于正瞬变,图 2 中的 TVS/齐纳二极管将在达到电压 VZ(通常为 6-8V......
的测量参数选择表。 表中Primary为主参数栏,Secondary为次参数栏。 表中的Z为阻抗,Y为导纳,R为电阻,G为电导,Cp为并联电容,Cs为串联电容,Lp为并联电感,Ls为串联电感,日为......
Primary为主参数栏,Secondary为次参数栏。表中的Z为阻抗,Y为导纳,R为电阻,G为电导,Cp为并联电容,Cs为串联电容,Lp为并联电感,Ls为串联电感,日为电压相对于电流的相位角,X为电抗,B为电......
损耗大幅降低的SiC MOSFET,与第二代SiC MOSFET相比,新型产品的开关损耗约降低了20%。 东芝通过在第二代产品的SiC MOSFET 内部与PN二极管并联内置了一个肖特基势垒二极管(SBD......
片式陶瓷元件。外部二极管与所示的内部二极管并联,使峰值充电电流保持在片外。 当UD栅极驱动输出变为高电平时,CVFLT电容在上部NFET的导通转换期间保持VFLT。图2所示,电荷......
输出电压范围 15mm x 15mm x 4.32mm LGA 封装 跟踪 / 裕度控制和时钟输出 内部温度二极管 支持并联电流均分 / 多相工作  ......
的MOS。MOS管推荐使用瑞森半导体低压MOS系列,选型如下: DC-AC逆变电路(全桥PWM控制) DC-AC逆变电路的主回路采用的是全桥式结构,和开关管并联的二极管起到保护作用。MOS管推......
用于VFD(变频驱动器)和LED(发光二极管)驱动器的EMI滤波。该系列还可支持能量密度较高的应用,例如紧凑型电容式电源。R52电容器的设计满足智能电网硬件所要求的高可靠性标准——这类......
-->MCU2。 1. MCU1 TX发送高电平(5V),MCU2 RX配置为串口接收引脚,此时2N7002的S、D引脚(对应图中的2、3引脚)截止,2N7002里面的二极管3-->2方向......
的电压降。环境温度升高时,二极管的正向电阻降低,两端的电压降也会减小,便使互补管的基极偏压跟着降低,抵消了工作电流因温升而增大的趋势。电阻R74与二极管并联,可防止二极管断路损坏时,功放......
特的设计功能非常适合工业和消费类应用,例如用于VFD(变频驱动器)和LED(发光二极管)驱动器的EMI滤波。该系列还可支持能量密度较高的应用,例如紧凑型电容式电源。R52电容器的设计满足智能电网硬件所要求的高可靠性标准——这类......
路开关SL组成的并联电路。 2)限流电阻RL的作用是:变频器在接入电源之前,滤波电容器C F (由CF1和CF2串联而成)上的直流电压U D =0。因此,变频器刚接入电源的瞬间,将有一个很大的冲击电流经整流流向滤波电容......
谐振逆变器 (SEPR),尽管其功率水平相对有限。 该拓扑主要由并联电感器和电容器谐振回路网络以及组合的 IGBT 和二极管以及一个小电容器组成,该电容器可提高 EMI 性能,并与二极管......
是在半桥FET关断时承载换向电流的必要元件。FET关断后的换向电流在第4篇博客中讨论。FET 体二极管通常由分立二极管并联,以实现更高的开关速度和更低的压降。电机绕组电流通常从电机电源 VMPS 流入......
能电感,D10是这个开关电源的整流二极管,Q1、Q2是开关管,为了保证PFC开关电源有足够的功率输出,采用了两只MOS管Q1、Q2并联应用 图3-2所示是该并联开关电源等效电路图,图中可以看出该并联开关电源是加在整流桥堆和滤波电容......
两种情况下的设计具有相同的IZ,我们只需更改RZ的值。电容C1解耦接地端和输出端之间的基准二极管。此外,具有低电感的0.1μF电源解耦电容(图1中未显示)通常连接到+VDD和-VSS,非常......
输入信号通过一个 0.1uf 的电容器和一个并联的信号二极管输入电容器。 调制信号被馈送至天线。发射信号需要天线。天线接收电信号并将其转换为电磁辐射。这种辐射由天线发射。 如何操作电视发射器电路? 首先......
反向阻值很小,在没有小阻值元器件并联时,pn结可能击穿短路。若正反两次阻值均很大,说明已开路。 必须指出:由于二极管的伏安特性是非线性的,用万用表的不同电阻挡测量二极管的电阻时,会得出不同的电阻值,例如r×100......
结构 贴片是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。主要采用下图所示的积层结构,通过积层张数、层间的调整,可以控制击穿电压、静电容量。而是P型半导体和N型半导体结合而构成的,是硅基ESD防护器件。在二极管......
存在不能使用贴片的情况。的确,由于其历史背景,产品目录和数据表中记载的不同项目很多,难以像电容器和其他通用部件那样,仅靠纸上记载的规格进行特性的比较。因此,在本报道中,将明确和二极管的不同之处,并介绍可以进行二极管......
要经过一段时间,高压下Rds会消耗大量的功率,而导致mos管发热异常。该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用,使场效应管能快速截止,减少功耗。 2)防止栅源极间过电压: 由于......
现有功能集之上添加了一个新拓扑和两个新的设计功能,可帮助您进一步缩短开发电源的设计时间。 新工具包含场效应晶体管 (FET) 损耗计算器、并联电容器的电流共享计算器、交流/直流电源大容量电容器计算器、用于......
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过被测电阻的电流就很大,这时候表针偏转的幅度也就很大,说明被测电阻的阻值很小。 MF-47万用表保护电路讲解:1:表头保护:表头钳位保护,利用两只IN4001硅整流二极管并联构成双向限幅二极管......
一个10K电阻或在栅极串联电阻上反向并联一个二极管。这部分内容网上可找到较多介绍。 ......
较低电压电源始终处于可供使用的状态,因此当切换至备用电源时却发现其早已悄无声息地发生了故障 (这在简单的二极管“或”系统中是有可能出现的),这种情况并不令人感到意外。 3、在负载均分系统中,可以并联......
器件关断时保护 eFuse 的体二极管免受过大反向电流的影响。一旦输入电压降至 UVLO 以下,器件就会关断,由于输出电容在完全放电之前维持输出电压,这会在器件上产生反向电压。与此同时,负电压对肖特基二极管......
电流直流负载),可以在输出和输入之间放置一个肖特基二极管,如图8所示,以在器件关断时保护 eFuse 的体二极管免受过大反向电流的影响。一旦输入电压降至 UVLO 以下,器件就会关断,由于输出电容......
,电路中C7为整流电容,C6、C8为滤波电容,放光二极管是电源工作指示灯。对于发光二极管串联电阻的选取,我们可以这样计算:R=(VCC-Vd)/Id。其中Vd为发光二极管的压降,Id为发光二极管......
桥式整流: 图1 传统桥式整流与大容量电解电容滤波电路如图1a所示。由于整流二极管具有单向导电性,只有在AC线路电压瞬时值高于电容C1上的电压时才会有电流通过,致使AC输入电流发生严重失真‚电流......
池的电量,显示的是电压 蜂鸣档:可以测二极管单向导通,显示的数字是二极管的电压降,单位毫伏。蜂鸣档测通断,非常实用。 ω:电阻档,测量电阻的时候一定要断电。 hfe:测的参数,显示的是三极管的放大倍数。测三极管......
),也就是门极开启电压时候。在整个t1时间,MOS处于截止区。 从t2时刻开始,MOS就开始导通了,标志就是Id开始上升。电流从原来的电感出来流经二极管,现在开始要慢慢的向MOS换流。所以MOS的漏......

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;深圳市兴联电子有限公司;;IC ,二极管,电阻电容
;无锡市特种电力电容器厂;;无锡市特种电力电容器厂成立于八十年代初,是无锡地区最早生产电力电容器的专业厂家,是中国输变电行业的成员单位,中国电工技术委员会会员。本厂生产高低压并联电容器、自愈式低电压并联电容
系列复合电容器、CD系列起动电容器及自愈式低压并联电容器,年产交流电动机电容器300万只,自愈式低压并联电容器200万Krar以上。
系列复合电容器、CD系列起动电容器及自愈式低压并联电容器,年产交流电动机电容器300万只,自愈式低压并联电容器200万Krar以上。
技术力量雄厚。公司配备了国内较为先进的电容器生产流水线,先进的真空干燥浸渍设备,完备齐全的试验设备,实现了主导产品按国际IEC标准生产与检测。主要产品:并联电容器;集合式并联电容器;自愈式低压并联电容器;滤波电容
技术力量雄厚。公司配备了国内较为先进的电容器生产流水线,先进的真空干燥浸渍设备,完备齐全的试验设备,实现了主导产品按国际IEC标准生产与检测。主要产品:并联电容器;集合式并联电容器;自愈式低压并联电容器;滤波电容
;珠海市友联电子有限公司;;珠海市友联电子有限公司成立于2002年,专业致力于全系列环保电阻器生产以及电解电容器,绦纶电容,二三极管以及稳压二极管的配套销售。全部产品具有SGS环保认证!厂家
体系认证及CCEE电工产品安全认证。主要生产自愈式低电压并联电容器、无功功率补偿控制器,TBB系列低压并联电容器装置、CBB60/65,CD60系列交流电动机电容器、金属化脉冲电容器、充磁机电容器、紫外线灯电容
模块1600V/150A PAT20016 二晶闸管反向并联模块1600V/200A PDH308 二极管与晶闸管同向串联模块800V/30A PDH608 二极管与晶闸管同向串联模块800V/60A
了ISO9001国际质量体系认证及ISO14001国际环境体系管理体系认证。主要生产高压真空断路器.自愈式低电压并联电容器、交流电机软起动器、无功功率补偿控制器,TBB系列低压并联电容器装置、高压并联电容器、电热电容