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TVS瞬态抑制二极管(2024-12-13 11:22:46)
TVS瞬态抑制二极管; 1、TVS瞬态抑制二极管的工作原理 TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管......
尽区电场增加到一定程度，碰撞电离激发出的新电子-空穴对，即“二次载流子”，又可能继续产生新的载流子，这个过程将不断进行下去，称为雪崩倍增。如果由于雪崩倍增效应导致流出PN结的电流趋于无穷大，则发生了所谓的雪崩击穿，该过......
的原理及注意点， 你会发现前面讲的PN结/二极管、三极管、MOS管、全都用上了…… 以前的专题讲解PN结二极管理论的时候，就讲过二极管有一个特性：正向导通反向截止(不记得就去翻前面的课程)，而且反偏电压继续增加会发生雪崩击穿......
的专题讲解PN结二极管理论的时候，就讲过二极管有一个特性： 正向导通反向截止，而且反偏电压继续增加会发生雪崩击穿而导通，我们称之为钳位二极管(Clamp)。这正......
方式的受电端，即PD (Powered Device) 端应用。如下是和LMR16020的对比。的输入耐压大于前级TVS的雪崩击穿电压范围，增强了系统的可靠性。此外，内部集成同步整流管在省去外部肖特基二极管......
助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护MOSFET，另一种替代方案更为经济，即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后，MOSFET随即导通，防止漏极-源极发生雪崩击穿。  A-selection齐纳二极管......
：Trr=190ns, Qrr=1.72uC • 可靠性：100%雪崩击穿测试 • 封装形式：TO247，低热阻设计 技术......
极—基极间的反向 击穿电压；VCBO是指发射极开路时集电极—基极间的 反向击穿电压，它决定于集电结的雪崩击穿电压；VCEO 是指基极开路时集电极—发射级间的反向击穿电压， 它决定于集电结的雪崩击穿......
MOS的雪崩击穿(过电压)(2024-12-09 11:48:24)
MOS的雪崩击穿(过电压); 什么是雪崩击穿？ MOSFET在电源板上由于母线电压、漏感尖峰电压等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，当该......
的禁带宽度的半导体材料具有较低的本征泄漏电流和较高的工作温度。 临界击穿电场（Ecrit)：强的化学键会造成更大的禁宽带度，也会引起雪崩击穿时更高的临界击穿电场，器件击穿电压可以近似：VBR=1/2*Wdrift*Ecirt，因此器件的击穿......
器或电源电压比较等应用，以及为MOSFET提供栅极和雪崩击穿保护。PZU系列提供SOD323、SOD323F、SOT23、DFN1006BD-2和DFN1006-2 (2.4 V-51 V)封装，包括汽车版本和标准版本。这为......
暴露在高于725 V的电压下会导致雪崩击穿，导致局部加热和潜在的结构损坏。电压尖峰（如闪电袭击或电源接线错误）和电网不稳定导致的线路膨胀可以将这些器件推向极限，导致灾难性故障。 PowiGaN技术......
）的缩写，称为单光子累崩二极管，是一种半导体光侦测器。当我们在SPAD两端施加更高的反向偏置电压（硅材料通常为100-200 V），此时光子进入硅材料后，利用电离碰撞（雪崩击穿）的效应，可以......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？; mos 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导......
周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，将展示 系列的3款新成员：一款1700 V MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些......
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管......
计算展开分析，为新项目设计提供思路，该计算方式同样适用于工业TVS选型应用。 TVS二极管，既瞬态抑制二极管，又叫雪崩击穿二极管，其工作原理与核心参数在上一章TVS简介中已经充分展开说明，有需......
它存在锁存问题 04 IGBT的主要参数 1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压，一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。 2、栅极-发射极额定电压UGE......
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管......
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轻松了解功率MOSFET的雪崩效应;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量流动。典型......
X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件; 【导读】全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管......
极小的电压增量都会带来电流的显著变化。 反向施压，称为反偏，一旦超过最大反向击穿电压，伴随的雪崩效应会产生很大的电流损坏二极管。 对理应该处于正偏状态的二极管进行故障诊断，如果测得的正向压降远大于0.7V......
技术制造，开关速度快，内阻低，优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，骊微电子供应的60v mos管SVGP069R5NSA广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。 ......
-时间法方案的接收链路主要包括以下关键器件，如下图（2）所示。 • 雪崩二极管（APD）：接收回波脉冲并转换为光电流信号 • 跨阻放大器（TIA......
”）今日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益......
以从 CCD 的结构和功能开始。 1 CMOS 光电探测器 大多数 CMOS 光电探测器都基于 PN 结光电二极管的操作。当光电二极管反向偏置(且反向电压小于雪崩击穿电压)时，与入射光强度成正比的电流分量将流过二极管......
X－FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件;全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂（“X-FAB”）今日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发......
到多区 JTE，再到空间调制 JTE，在 JTE 技术的保护下功率器件越来越逼近雪崩击穿的理论击穿电压，并且其终端区域的利用效率也不断提高，如 2018 年 NAKAYAMA 等人利用空间调制 JTE......
了一个标准的电压要求。 （2）没有雪崩击穿 没有雪崩击穿，一旦击穿，就是永久性的，类似于电容里面的介质击穿。对于650V的器件而言，如果是硅MOS管，一般实际击穿电压大约在750V左右（设计裕量10......
逆变器中选用的碳化硅器件的规格也在不断提升，对器件的浪涌能力、击穿电压、雪崩能量以及正向电流等参数要求都在变高。 基本半导体面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅功率模块三类产品。其中碳化硅肖特基二极管......
/m·k)等材料特性，以及优异的器件品质因子(Johnson、Keyes、Baliga)，采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率、抗辐照电子器件，克服器件的“自热效应”和“雪崩击穿”等技......
雪崩光电二极管的创新技术，应对激光雷达的成本挑战;据麦姆斯咨询介绍，Phlux Technology的InGaAs技术可以使雪崩光电二极管（APD）在1550 nm波长下工作，灵敏度是传统APD的......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统; 【导读】碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，相较于硅（Si），具有更大的介电击穿强度、更快......
后的产品组合包含市场上首款集成了950V具有耐雪崩击穿能力的超结 MOSFET的功率半导体器件，支持更宽的输入电压范围。新器件同时支持隔离和非隔离的拓扑结构包括Flyback和Buck，可以在100 kHz和......
埃赛力达全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍;新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍; 新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能 提供......
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埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍; 【导读】提供以市场为导向的创新化光电解决方案工业技术领导者——埃赛......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管......
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等特性进行探测，具有可保持测量信号完整性、理论量子效率高、工作电压低、探测灵敏度高等优点，同时具有室温单光子探测的潜力。 该文章介绍了单光子探测器的工作机理，总结对比了光电倍增管、雪崩光电二极管等传统单光子探测器以及基于新型二维材料的雪崩光电二极管......
) 之间存在谐振，漏极引脚 上会出现高压尖峰。漏极引脚上的过高电压可能导致雪 崩击穿，并最终损坏 MOSFET。因此，必须添加一个额 外的电路，实现电压箝位。 一个......
 内部二极管......
埃赛力达推出用于测距和LiDAR系统的增强型 InGaAs 雪崩光电二极管;新型APD设计可在相同的激光输出功率下实现更远测距范围埃赛力达近期宣布推出增强版 C30645 / C30662 型......
）外，该技术还能通过减少BOM数量简化设计。  在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩......
更便宜； 2.缺点：PSR采用原边辅助绕组作为采样电压，由于变压器工艺、输出二极管的一致性、输出寄生电阻等因素，导致 PSR 输出精度较低，一般只用在小功率电源上（15W 以内）。   PSR反激电路 相对......
如何用示波器测量稳压管稳压值;　　稳压管（也称齐纳二极管）是利用PN结被击穿时的特性来工作的。在一定的反向电压下，稳压二极管被击穿，击穿后它的两端电压基本保持在一个稳定的数值上，此时着改变二极管......

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-3L和TO-220F-3L俩种封装，采信安微电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC
上海欧光电了科持有限公司
;上海欧光电了科持有限公司;;欧光电子科技有限公司代理德国SILICON-SENSOR公司APD（雪崩光电二极管） 主要分类： 1、系列8高速/高增益APD 2、系列9近红外增强APD 3、系列10
北京睿驰盛仕电子科技有限公司
）、SiPM（硅光电倍增管），铟镓砷APD（InGaAs）、雪崩二极管（APD）、脉冲激光二极管（PGA/PGEW系列）、光电二极管阵列、PIN快速光电二极管、四象限探测器及各种红外热释电、热电堆探测器等。
sonya
;sonya;;hamamatsu 滨松代理 硅光电池，硅光电二极管，PSD位置探测器,雪崩光电二极管APD,热释电红外光电传感器，光电二极管阵列，波长探测器，四象限探测器 用于激光测距，激光
上海欧光电子科技有限公司销售部
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深圳市斯达特来电子科技有限公司（东北办事处）
芯片、整流二极管芯片、超快速二极管芯片、快恢复二极管芯片、超高速二极管芯片、超高速二极管芯片、开关二极管芯片、稳压二极管芯片、雪崩二极管芯片、变容二极管芯片、MOS场效应管芯片、可控硅芯片等. 公司
深圳市斯达特来电子科技有限公司 销售部
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深圳市斯达特来电子科技有限公司（东北分公司）
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上海欧光电子科技有限公司（业务部）
限探测器,PIN管,InGaSn探测器件,雪崩二极管,CCD和CMOS, 光学元件, 电子元件等，提供OEM加工。 我们可以提供全套的应用电路和技术支持,欢迎与我们联系.
深圳市福田区峰科电子商行
;深圳市福田区峰科电子商行;;我公司专业推广功率半导体器件。主要品牌有： 美国Fairchild（仙童），主要有IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块,场效应管，软快恢复二极管，肖特基二极管