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光伏赛道火热，却受“心脏”产能制约，SIC与IGBT谁是新能源的最优解？(2022-11-16)
光伏赛道火热，却受“心脏”产能制约，SIC与IGBT谁是新能源的最优解？;
【导读】“逆变器就靠排队抢货，单子可以接，队伍请排好”，在各大光伏行业交流群里，询问......
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？(2023-08-21)
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？;俗话说，好马配好鞍，好自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率，最好还要有完善的保护功能，例如退饱和保护、两电......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
带器件更适合可能面临恶劣工况的电机应用，比如混合动力电动汽车（HEV）中的集成电机驱动器、海底和井下应用、空间应用等
传统的电机驱动中，往往使用IGBT作为开关器件。那么，SiC MOSFET相对于Si IGBT有哪些优势，使得它更适合电机驱动......
碳化硅如何最大限度提高可再生能源系统的效率(2023-07-06)
用中的性能产生合理范围内的影响。
SiC 电源开关需要能够处理高电压和额定电流的栅极驱动器。栅极驱动器必须提供足够的栅极电荷来切换 SiC 电源开关并防止产生电压尖峰。
与 IGBT 相比，SiC 电源......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著;商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动......
电动压缩机设计-SiC模块,压缩机(2024-09-25)
/SiC MOSEFT效率对比
3. 适用于高频应用
SiC MOSEFT是单极性器件，没有拖尾电流，开关速度比IGBT快很多。这也是SiC MOSEFT比IGBT更适用于更高频率应用的原因。而更高的驱动......
电动压缩机设计-SiC模块篇(2024-09-25)
速度比IGBT快很多。这也是SiC MOSEFT比IGBT更适用于更高频率应用的原因。而更高的驱动频率（比如20kHz或以上），可以有效减小电机的噪音，提高电机系统的响应速度和动态抗干扰能力。另外，更高......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
半桥电路的控制要求。
2、IGBT驱动
IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，两者的区别在于关断时的门极电位。采用......
SiC规模量产前，IGBT还有多大商机？(2020-12-25)
SiC规模量产前，IGBT还有多大商机？;IGBT在整车中的成本占比增加
据Informa Tech的数据显示，全球IGBT市场规模早在2018年就达到了62.2亿美元，同比增速为17.4......
从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求(2023-09-07)
压、高效率、漏电流小、驱动电流小、开关速度快等，被广泛应用于电力控制系统中。
在低碳浪潮中，IGBT受到了热捧，其不仅器件可靠性更高，并且相较于传统的MOSFET、BJT，拥有更低的漏电流，因此......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-26)
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;
【导读】Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-23)
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能Littelfuse宣布......
金升阳推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列(2023-11-24)
金升阳推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列;
【导读】金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识;IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用？本文引用地址：高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功 率半导体器件。由于功率器件技术不断改进，大功......
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器;Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和......
PI推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器(2023-12-15)
PI推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器;
【导读】PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化......
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-22)
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能
美国伊利诺伊州芝加哥，2024年5......
如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器(2024-07-23)
4 比较了 IGBT、SiC MOSFET 和 SiC FET 的短路耐受时间 (SCWT) 差异。在短路时，SiC MOSFET 会经受极高的峰值电流，这可能会损坏 MOSFET 栅极二极管。可以通过使用较低的栅极电压驱动......
PI 推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器(2023-07-28)
PI 推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器;
【导读】PI新推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动......
Power Integrations推出汽车级IGBT/SiC模块驱动器产品系列SCALE EV，为巴士、卡车以及建筑和农用电动汽车提供强大动力;
Power Integrations推出......
大联大世平集团推出基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案(2023-03-07)
于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动器的5KW工业电源方案。
图示1-大联......
新能源汽车加速爆发，功率器件迎来增长新契机(2023-06-06)
功率、电压以及高能耗敏感度，电动车厂往往会采用导通压降小、工作电压高的IGBT模块。
可见，相较硅基MOSFET而言，IGBT 更适合高压工作，两者形成互补。
在电力驱动系统中，IGBT用于......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
门极电压大于15V后，即使门极电压再升高，VCE饱和压降变小得不多了。所以IGBT选用15V驱动是一个不错的选择。
对开关损耗的影响
另外，门极的正压对降低开关损耗也是有帮助的。因为......
Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模块门极驱动器;Power Integrations推出......
大联大世平集团推出基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案(2023-03-07)
）NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动器的5KW工业电源方案。本文引用地址：
图示1-大联大世平基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案的展示板图
工业......
RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品(2023-12-20)
RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品;
【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换......
RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展(2024-02-27)
RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展;
【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC(2023-01-30)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC;瑞萨电子推出新型栅极驱动IC
用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms
2023......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30 16:19)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别(2023-03-13)
-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。因为接下来的几篇将谈相关的话题，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上，根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。
下图......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM......
士兰微：2023年上半年IGBT业务营收同比增长300%以上(2023-08-22)
（包括IGBT器件和PIM模块）的营业收入已达到5.9亿元，较去年同期增长300%以上。
基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块， 已在比亚迪、吉利、零跑、汇川......
5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品！(2023-02-20)
可以很好地替代 IGBT。SiC 不仅有更高的开关频率，从而提高性能和效率，而且还能使用更小的封装。
03 注意栅极驱动器
相比其他 MOSFET，SiC 晶体管需要更大的栅极驱动电压。典型 SiC 晶体......
从燃油车到电动汽车，空调压缩机也在“新能源化”(2024-07-02)
SiC功率器件。尤其是空调压缩机长期运行在较轻负载的场景下，而SiC MOSFET的导通损耗相比硅IGBT更低，因此在低负载场景下的效率明显提升。根据致瞻科技的数据，针对800V电压平台，因为......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您;在高压开关电源应用中，相较传统的硅和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）有明显的优势。使用硅可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它......
Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE－iFlex LT NTC IGBT／SiC模块门极驱动器;SCALE-2技术将流行的100mmx140mm IGBT和SiC......
Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE－iFlex LT NTC IGBT／SiC模块门极驱动器;SCALE-2技术将流行的100mmx140mm IGBT和SiC......
第三代半导体功率器件在汽车上的应用(2023-02-01)
点评一下目前几种主流的电动汽车的优劣势，硅基MOSFET、SJ-MOSFET、硅基SiC、硅基GaN等？
电动汽车功率器件目前主要是硅基IGBT、MOSFET、GaN以及SiC MOSFET。硅基的IGBT优点......
SCALE－iFlex LT NTC IGBT／SiC模块门极驱动器可增强系统的可观测性和整体性能(2023-07-31 14:50)
SCALE－iFlex LT NTC IGBT／SiC模块门极驱动器可增强系统的可观测性和整体性能;PI新推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动......
大联大世平集团推出基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案(2023-03-07)
主要是以IGBT为主。但持续的高频、高温和大电流等工作条件，会使IGBT温度升高，影响转换效率。针对这个问题，大联大世平基于onsemi NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动......
意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能(2024-11-13 13:02)
意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能;面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源......
大功率芯片散热电动汽车电机控制器结构优化(2023-10-24)
一种损耗的减小均能大幅提高系统运行效率。
从开关频率方面来看，通常硅 IGBT 的应用开关频率不大于 40kHz，而 SiC 而开关频率通常在 100-200kHz，相对来说得到大幅提升，在用于 PWM 驱动......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
作为电源控制的过流保护之外，还应将其指定为栅极驱动电路的一部分。
SiC MOSFET 动态开关
1、导通
SiC MOSFET 的开关曲线与 Si MOSFET 非常相似，主要区别在于导通期间的 20 V 栅极驱动......
不同电压和功率等级的三菱电机SiC功率器件介绍(2024-03-08)
不同电压和功率等级的三菱电机SiC功率器件介绍;如今，在各种应用中，SiC器件被用于实现高效和紧凑的转换器。应用范围涵盖所有额定功率，从空调到电池充电器，再到工业驱动甚至铁路推进。本文......
中国车规芯片系列（6）：功率半导体迎来超越窗口期(2023-11-20)
高输入阻抗和低导通压降等优点。IGBT模块同时具备节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点。作为能量转换和传输的核心装置，IGBT也是新能源汽车电机驱动部分最核心的元件。
大家好，这里是盖世汽车。
本期内容，我们......
瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;
【导读】2023 年 1 月 30日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24 14:14)
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515;
纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24 14:14)
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515;
纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24)
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515;单通道式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
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了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
and manufacturing company dedicated to products based on Silicon Carbide (SiC) technologies and Amorphous
;云南领跑科技有限公司;;我公司是一家专业从事大功率IGBT驱动模块的开发与应用的企业。我公司研发的大功率IGBT智能驱动模块在充分吸收和借鉴国外最新技术的基础上自主创新，研制
sic-safco;;;
;施克斯集团有限公司;;施克斯集团有限公司前身是德国 SIC Silicone materials institute（硅材料研究事物所），成立于1981年6月，位于德国科特布斯市蒂姆大街，是专
;西安众鑫特种材料有限公司;;西安众鑫特种材料有限公司是一家专业从事SiC微粉和SiC晶须及其下游产品研发、生产和销售的高新技术企业，也是全球首家突破传统生产技术，利用
;北京普尔盛技术有限公司;;北京普尔盛电子技术有限公司始创于2001年，是集贸易及研发制造于一体的专业电力电子器件供应商。2003年成立驱动事业部专注于IGBT驱动芯片的开发设计，于技
;北京通广利达科技有限公司;;2003年成立，西门康 三社：可控硅 二极管模块 IGBT,inpower 数字化IGBT驱动
;中捷联创电子技术有限公司;;深圳市中捷联创电子技术有限公司是，是一家专业从事现代国电力半导体器件模块-IGBT，IGBT智能化模块-IPM。专门用于模块的驱动
;上海睿萨电子科技有限公司;;专业电子元器件经销商，产品包括薄膜电容,无感电容,充油电容,螺栓式电解电容,功率IGBT,IGBT驱动板,可控硅,大功率IGBT,电源模块等。