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涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201(2023-01-11)
英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201;
【导读】英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓和......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;未来已来，的社会经济价值加速到来。本文引用地址：
本文介绍了镓未来和在方面的技术合作方案。 镓未......
深耕半导体产业30年！深爱半导体厚积薄发(2021-04-11)
领域。IGBT是深爱的重点研发产品，主要应用于电磁加热和变频领域，目前深爱重点关注氮化镓及IGBT功率器件，进工业及车规级产品，预计2021年优先推动氮化镓和IGBT器件量产。
与众多同行相比，深爱......
GaN+SiC！纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源(2024-11-08)
GaN+SiC！纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源;
【导读】纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和......
进一步了解氮化镓和碳化硅目前赢得业务的市场(2022-12-24)
进一步了解氮化镓和碳化硅目前赢得业务的市场;
电力电子在采用 和 SiC 器件方面发生了变化。硅仍然主导着市场，但很快，这些设备的出现将引导技术走向新的、更高效的解决方案。Yole......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
键应用，而且多年来已经成为这个领域的事实标准，因为当前或再过几年都没有其他技术可以可供碳化硅衬底氮化镓的功率密度和其他优势。
下图显示了Ka波段砷化镓和碳化硅衬底氮化镓MMIC射频功率放大器（如图2......
基于第三代半导体射频微系统芯片研究项目启动(2024-01-17)
基于第三代半导体射频微系统芯片研究项目启动;据云塔科技消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化镓和氮化......
陕西半导体先导技术中心举办中试线通电仪式，将开展氮化镓和碳化硅器件研发与中试(2021-11-19)
陕西半导体先导技术中心举办中试线通电仪式，将开展氮化镓和碳化硅器件研发与中试;11月18日上午，陕西半导体先导技术中心有限公司（以下简称“陕西半导体先导技术中心”）宣布......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
从摩尔定律的微缩中了解到的那样，High-K介电质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。
需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最大区别在于其它单芯片氮化镓......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最大区别在于其它单芯片氮化镓......
英飞凌成功研发出全球首款12英寸GaN晶圆(2024-09-12)
显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购 GaN Systems 近一年后，我们......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！(2024-09-13)
凌将于2024年11月在慕尼黑举办的电子展（electronica）上向公众展示首批12英寸氮化镓晶圆。
英飞凌表示，12英寸氮化镓技术的一大优势是可以利用现有的12英寸硅晶圆制造设备，这是因为氮化镓和......
英飞凌8.3亿美元收购半导体元件生产商GaN Systems(2023-03-03)
有点类似MOSFET，加Gate极，引入一个绝缘层去控制 FET的开和关。所以，我们可以看到，这种结构的氮化镓也是电压型驱动的结构。cascode结构的电压型驱动的氮化镓，是通过控制一个小N MOS去控制氮化镓......
英飞凌8．3亿美元收购半导体元件生产商GaN Systems(2023-03-03 11:32)
有点类似MOSFET，加Gate极，引入一个绝缘层去控制 FET的开和关。所以，我们可以看到，这种结构的氮化镓也是电压型驱动的结构。cascode结构的电压型驱动的氮化镓，是通过控制一个小N MOS去控制氮化镓......
Transphorm表示氮化镓供应链来源安全，生产可以稳定持续(2023-07-07)
期一宣布，将限制对半导体制造至关重要的镓和锗相关材料的出口。这些法规包括了氮化镓 (GaN) 晶圆材料。
作为高压 GaN 功率半导体制造商，Transphorm 依靠三甲基镓 (TMGa) 生产......
3家半导体企业签约金桥综保区：安集微电子、中微半导体扩产，芯跃半导体新入驻(2021-08-02)
半导体关键材料领域的隐形冠军安集微电子、打破国外刻蚀机技术封锁的中微半导体将在金桥综保区扩产。此外，主攻第三代氮化镓材料及5G射频器件的芯跃半导体等企业将新入驻金桥综保区。
据介绍，金桥综保区去年4月揭牌，是浦东第一个成功转型升级为综合保税区的海关特殊监管区......
市值超16亿美元，这家氮化镓企业成功上市(2021-10-22)
电桩等应用需求大增，同步带动以氮化镓和碳化硅为代表的的第三代半导体市场需求。
其中，氮化镓功率市场因受惠于消费性快充产品需求快速上升，加上笔电厂商有意跟进，其将......
拥有超1000项专利组合，全球再添一家氮化镓企业上市(2022-02-23)
度的连续增长，同比达到创纪录的360万美元季营收，同比增长220%。
近年来，随着5G基站、消费性电子、新能源车等需求推动，以氮化镓和碳化硅为代表的的第三代半导体市场需求也同步增加。据TrendForce......
重拳回击！我国将对两种稀有金属实施出口管制(2023-07-04)
镓（单质）、氮化镓、氧化镓、磷化镓等，以及锗相关物项中的金属锗、区熔锗锭、磷锗锌、二氧化锗等未经许可，不得出口。出口经营者应按照相关规定办理出口许可手续，通过省级商务主管部门向商务部提出申请，商务......
纳微半导体发布全新GaNSense Control合封氮化镓芯片(2023-05-22)
纳微半导体发布全新GaNSense Control合封氮化镓芯片;
【导读】美国加利福尼亚州托伦斯，2023年3月20日讯 —— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和......
消息称车用、工业IGBT供应依然吃紧(2023-05-26)
人士还补充称，氮化镓和碳化硅等复合半导体的市场火热，已经改变了晶圆厂的路线。复合半导体不仅在汽车应用领域，而且在5G、AIoT和新能源方面也显示出了巨大的潜力。
6英寸、8......
8月1日起！中国正式限制镓、锗等芯片关键材料出口(2023-08-01)
中指出，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。
此举也引发了海外厂商囤货，因为没有这些是生产的关键材料，没有将没办法生产。
与铜......
Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化(2023-10-12)
功率半导体必须能在严酷恶劣的环境中运行数十年。使用 Transphorm 的 SuperGaN 技术，有助于降低功率损耗，从而最大限度地减小设计中其它内置组件所需承受的热应力。与其它氮化镓和硅基解决方案相比，这是一项了不起的成果，也是......
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%(2023-03-10)
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%;
【导读】随着终端产品对氮化镓的加速应用，氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅，氮化镓高频率、小体......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择(2023-07-26)
Si MOS
基于8英寸硅基氮化镓的研发工艺和大规模量产能力，英诺赛科产品得到迅速迭代和商用。截至2023年上半年，高、中、低压......
功率半导体必须能在严酷恶劣的环境中运行数十年。使用 Transphorm 的 SuperGaN 技术，有助于降低功率损耗，从而最大限度地减小设计中其它内置组件所需承受的热应力。与其它氮化镓和硅基解决方案相比，这是一项了不起的成果，也是......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。
项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
中微公司：MOCVD设备已在客户芯片生产线上验证(2022-08-23)
将持续提升在技术研发方面的投入水平，进一步缩小与海外同行业巨头在研发方面的差距。
中微公司表示，公司持续从三个维度扩展业务布局：深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。公司正在开发用于氮化镓和......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
正式落户宜兴经济技术开发区。
据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
SiC与GaN助力宽禁带半导体时代到来！(2021-01-04)
了她对宽禁带半导体市场发展的分析以及对特定新兴市场的预测。
Power Electronics News（PEN）: 您是YoleDéveloppement半导体和新兴材料部门的成员，研究范围涉及碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟以及新兴材料趋势。您认为，宽禁......
由纳微半导体与吉利子公司合建的新型研发实验室揭牌(2022-11-07)
氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率MOSFETs及二极管，进一步加速电动汽车电源系统的发展。
纳微半导体位于上海的专属电动汽车应用设计中心，将持续为该联合实验室提供技术支持，为客户提供最大化的氮化镓和......
徐州致能半导体氮化镓及其共封装器件研发生产项目预计今年11月投产(2022-05-07)
正在进行研发试验片的试生产。目前，130名员工全部复工，生产线处于满线生产状态，研发试验片的月产量能达到1000多件。
据介绍，致能半导体自主研发的氮化镓芯片共封装技术可把氮化镓功率芯片与硅驱动芯片、硅MOS芯片......
这个项目将新添一条氮化镓共封装器件生产线 年产值可达到12亿元(2021-08-20)
共封装器件生产线，可把氮化镓功率芯片与硅驱动芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封装在一起，形成氮化镓芯片共封装器件，能有效降低氮化镓芯片与其它芯片之间传统PCB板连接导致的延时较长、寄生......
中国正式管制镓和锗后，镓价格上涨超50%(2023-08-18)
很可能是一种战略，以确保中国有足够的内部供应，以满足其自身在半导体或技术制造业的增长雄心。”
出口限制也可能针对美国国防工业，因为氮化镓(GaN)被用于军用飞机和军舰的先进雷达等系统。
中国表示，为了“维护......
技术，有助于降低功率损耗，从而最大限度地减小设计中其它内置组件所需承受的热应力。与其它氮化镓和硅基解决方案相比，这是一项了不起的成果，也是Transphorm氮化镓......
Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统(2023-10-12 10:46)
技术，有助于降低功率损耗，从而最大限度地减小设计中其它内置组件所需承受的热应力。与其它氮化镓和硅基解决方案相比，这是一项了不起的成果，也是Transphorm氮化镓......
中国为何宣布对镓和锗实行出口管制？专家这么看(2023-07-04)
人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国务院批准，决定对镓、锗相关物项实施出口管制。
根据公告，镓相关物项中，金属镓（单质）、氮化镓、氧化镓、磷化镓等，以及......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
人们的能源意识日渐增强，对于具备出色效率和功率密度的高功率应用的需求日益旺盛。而在这方面，硅将很快达到物理极限。Nexperia双极性分立器件部门总经理Mark Roeloffzen表示：“诸如氮化镓和......
产研：车规级氮化镓普及面临哪些难点？(2023-06-27)
充电、太阳能转换器和马达驱动等。在对氮化镓和碳化硅的比较中，邱绍谚指出，两者并无绝对优劣，关键在于应用范围：氮化镓应用在650V以下，而碳化硅在650V以上。如果氮化镓成功应用在1200V，将会......
英飞凌GaN解决方案赋能欧姆龙社会解决方案公司的全新车联网（V2X）充电系统(2024-02-28)
获得了领先的应用技术知识并据此开发出让我们的客户和终端用户更加满意的全新和改进型充电与放电系统。我们期待与英飞凌一起进一步开发基于氮化镓和碳化硅（SiC）的功率解决方案，推动可再生能源和电动汽车的发展。”
由碳化硅和氮化镓......
华润微：深圳12英寸线预计2024年底通线(2023-09-04)
，目前产品验证速度和产品爬坡进度按计划进行。预计年底产能达到2万片，争取达到2.5万片，明年预计产能达到3万片，争取达到3.5万片。
华润微还表示，公司第三代宽禁带半导体碳化硅和氮化镓......
“白菜化”的有源相控阵雷达(2024-01-12)
孜孜不倦地大力发展雷达技术，现在虽不能说遥遥领先，但也是拥有了世界一流的雷达技术，加之“白菜价”的氮化镓原材料，就不难理解为什么如今有源相控阵雷达已经在我国遍地开花了。
虽然......
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度(2024-06-13 10:04)
中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化......
中国实施出口管制后，镓成本创10个月新高(2023-08-18)
国家安全和利益”，这些措施是必要的。
《日本时报》称，出口限制也可能针对美国国防工业，因为氮化镓(GaN)被用于军用飞机和军舰的先进雷达等系统。
正如我们之前报道的那样，中国被认为是世界上大约60%的锗......
汉高携粘合剂技术创新解决方案亮相2021 SEMICON China(2021-03-22)
半导体行业的粘合剂专家，汉高重点展示了其为实现系统性封装的先进封装技术、存储器内部芯片堆叠的加工技术、氮化镓和碳化硅技术、紧凑摄像头模组及推动3D摄像头模组粘接的智慧电子材料粘合剂解决方案。
先进......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
IGBT外，一些新型功率器件也广泛使用于数字电源中，如SiC MOSFET和氮化镓晶体管（GaN FET）等。SiC Mosfet管具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态......
2025年，全球SiC/GaN功率半导体市场将增至52.9亿美元(2022-05-06)
如山东天岳今年成功登陆科创板，天科合达等也准备IPO，泰科天润、英诺赛科等一级市场融资也相当顺利，同光晶体融资也获得长城汽车、汇川技术的支持。
第三代半导体是以氮化镓和......
相关企业
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
兆龙； 【氮化镓】： 英诺赛科、GaN systems； 【单片机】： GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头，集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过
;江苏苏州谷邦（等离子氮化）表面技术有限公司;;谷邦公司拥有多台国内最先进的金属表面离子渗氮设备-真空＊辉光＊脉冲-等离子氮化炉（可承载直径2000mm氮化工件），炉内气压、气体气氛、温度