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图解晶体二极管电路分析法(2024-10-23 11:23:15)
图解晶体二极管电路分析法;
晶体二极管的数学模型 晶体二极管的等效电路模型 大信号模型 小信号模型 图解分析法 等效......
【学习笔记】晶体二极管整流与稳压电路 、限幅与钳位电路(2024-10-31 11:15:59)
【学习笔记】晶体二极管整流与稳压电路 、限幅与钳位电路;
晶体二极管是一种具有单向导电性的半导体器件，在电子电路中有着广泛的应用。以下分别介绍晶体二极管......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
)。
三、晶体二极管......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
允许误差±1%±2%±5%±10%±15%±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1uF、误差为±5%。
三、晶体二极管
晶体二极管......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
; Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下，提供高质量高可靠性的碳化硅产品。首款工业级碳化硅MOSFET采用平面型设计，具备优异的体二极管能力，高温直流特性，以及......
Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13 11:33)
Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-12)
Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET......
Nexperia超低电容ESD保护二极管保护汽车数据接口(2022-08-02)
高高速数据接口中的系统级稳健性和钳位性能。
有关器件和数据手册的更多信息，请访问：Nexperia.com/automotive-ESD-protection
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Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管......
如何判别二极管的好坏和极性(2023-03-23)
如何判别二极管的好坏和极性;晶体二极管有正负两个电极，且正向电阻小，反向电阻大。利用这一特点，可用万用表的电阻档，大致测量出二极管的好坏和极性。
1、二极管好坏的判别
用万用表测量小功率二极管......
Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET(2022-07-27)
://www.nexperia.com/mosfets
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Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET(2022-07-06)
-MOSFETs
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Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
这个值GS之间的结电容可能被击穿，导致MOS管损坏。
这个时候电流的流向可以从D到S，也可以从S到D，具体怎么流取决于D和S之间的电压差值。但是只要导通了，电流肯定就不会从右边的体二极管......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22)
Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，有的也叫体二极管。
红色标注的为体二极管
从上图可以看出NMOS和PMOS寄生二极管方向不一样，NMOS是由S极→D极，PMOS是由D极→S极。
寄生二极管和普通二极管一样，正接......
氮化镓在采用图腾柱 PFC 的电源设计中达到高效率(2023-10-08)
桥接式 PFC，如图二所示。交流开关拓朴使用两个在开启状态下导通的高频场效应晶体管 （FET） 和在关闭状态下导通的碳化硅 （SiC） 二极管和硅二极管。有源桥式 PFC 直接以四个低频 FET 取代连接到交流线路的二极管......
GaN如何在基于图腾柱PFC的电源设计中实现高效率(2023-08-01)
的硅金属氧化物半导体 FET (MOSFET) 不适合图腾柱 PFC，原因在于 MOSFET 的体二极管具有非常高的反向恢复电荷，会导致高功率损耗和击穿损坏的风险。SiC 功率 MOSFET 与硅相比有了微小改进，固有体二极管......
GaN 如何在基于图腾柱 PFC 的电源设计中实现高效率(2023-08-28)
可能提高效率的拓扑包括交流开关无桥 PFC、有源桥式 PFC 和无桥 PFC（如图 2 所示）。交流开关拓扑在导通状态时使用两个高频场效应晶体管 (FET) 导电，在关断状态时使用一个碳化硅 (SiC) 二极管和一个硅二极管......
Nexperia的USB4 ESD二极管件实现了保护和性能的出色平衡(2022-06-16)
-data-lines.html
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Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD......
超共源共栅简史(2023-03-29)
的导通电阻较高、效率较低，同时导电损耗显著，而且在能量回收水平较高时，其体二极管的用处不大。这里给出的解决方案，在外部并联二极管以实现 “第三象限” 操作，同时使用额外的低压阻断肖特基二极管......
-fets
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为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
P 沟道 MOSFET 作为电池反向保护
2、P 沟道 MOSFET 如何用作电池反向保护
当电池电压存在时，电流将流向体二极管。体二极管将导通，因为......
Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍(2022-11-18)
-for-hotswap-and-soft-start/
关于Nexperia
Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体......
DC-DC BUCK电路详解(2024-10-25 08:05:21)
必要的死区时间以防止短路。
• 死区时间越小，体二极管......
自走式电器上的电池放电保护(2023-11-12)
的电池放电保护电路。
图 1 显示无线电器上的电池放电保护应用电路。连接电源时，MOSFET (Q1) 的体二极管(Body Diode)变成正向偏置。DZDH0401DW 内部漏极二极管(Drain Diode)将集......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
电流消耗很高的循环能量。
关于移相全桥拓扑中功率的失效问题，其主要原因是：在低反向电压下，MSOFET体二极管的反向恢复较慢。另一失效原因是：空载或轻载情况下，出现Cdv/dt直通。在谐振中的一个潜在失效模式与由于体二极管......
万用表二极管档怎么用?万用表二极管档原理(2023-02-02)
)≈ (v+-vf)/(r17+r16+rt)=(2.8-0.3)/(1+0. 47+0.5)=1.296ma。
显然，二极管档的测试电流比起电阻档至少要大一个数量级，比值基本上能够满足大多数半导体二......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计(2024-01-30)
的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30)
栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo 的共源共栅结构／JFET 方式带来了更低的传导损耗。
UJ4SC075009B7S 的主......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30 14:48)
的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-29)
很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-28)
很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管......
【干货】BCUK电路讲解，工作原理+图文结合(2024-06-25)
区时间内，需要完成对已导通晶体管的关断和另一晶体管的导通。
控制电路在开关动作引入死区特性。
死区时间：
• 设置必要的死区时间以防止短路；
• 死区时间越小，体二极管传导越少；
• 死区时间越小，损耗......
是时候从Si切换到SiC了吗？(2023-03-20)
间内工作在轻载的应用，可以利用“无拐点电压”的特点来降低能耗和总拥有成本（TCO）。
如果体二极管可以用作续流二极管，如CoolSiC™ MOSFET，这将提供另一个对某些驱动器很重要的好处。无论......
专业与性能并行：顾邦半导体 GBS60020，为高功率应用量身定制！(2024-11-13)
优化的基础上，实现了超快开关速度和体二极管特性，专为高频大功率应用场景设计，适合硬开关（如PFC）和软开关（如LLC、移相全桥）等高效电源拓扑结构。
顾邦......
Nexperia面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品(2022-12-19)
产品组合，请访问nexperia.com/xx。
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Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品(2022-12-19 10:15)
NexperiaNexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
工作栅极电压
推荐的工作栅极驱动电压，是通过考虑性能（如 RDS（ON）、开关损耗（EON、EOFF）、体二极管的正向压降（VF）及其反向恢复损耗（EREC））和可靠性，特别是栅极氧化层质量来确定的。
如表2所示......
云汉芯城与德欧泰克达成合作，上线半导体二极管及整流器产品(2024-01-02 10:01)
云汉芯城与德欧泰克达成合作，上线半导体二极管及整流器产品;近日，云汉芯城与知名半导体二极管和整流器专家Diotec Semiconductor（以下简称“德欧泰克”）正式达成合作。云汉......
云汉芯城与德欧泰克达成合作，上线半导体二极管及整流器产品(2024-01-02)
云汉芯城与德欧泰克达成合作，上线半导体二极管及整流器产品;近日，云汉芯城与知名半导体二极管和整流器专家Diotec Semiconductor（以下简称“德欧泰克”）正式达成合作。云汉......
Nexperia推出适用于24 V电源系统的车载网络ESD保护产品组合(2023-03-06 14:35)
设计工程师提供多种性能选项。关于新款器件的更多信息，包括产品规范和数据手册，请访问：Nexperia.com的产品组合页面。关于NexperiaNexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
碳化硅带来的优势。
当然，碳化硅MOS管在交通领域最大的问题在于体二极管，主要可以总结为四个痛点：
其中，第一个痛点是碳化硅的体二极管的导通压降大，这带来了损耗大和双极退化的缺点。如上图左边部分展示的内容，业界......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
场最容易集中的地方，CoolSiC™ 不光完美处理了倒角，还上了双保险，在沟槽一侧设置了深P阱。在器件承受反压时，深P阱可以包裹住沟槽的倒角，从而减轻电场集中的现象。
深P阱的另一个功能，是作为体二极管的阳极。通常......
常看常新！Buck电路，简洁而不简单！(2024-11-20 21:43:40)
时间
• 设置必要的死区时间以防止短路。
• 死区时间越小，体二极管......
Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET(2022-11-18)
-and-soft-start/
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Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-30)
和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG......
LED基础知识及万用表测试LED方法(2023-04-03)
LED基础知识及万用表测试LED方法; LED（发光二极管）是一种半导体二极管（一种p-n结），可在正电流从LED阳极流向阴极时发光。阳极表示为“+”，即二极管的正极。阴极表示为“-”，即二极管......
基于ST CCM PFC L4986A 设计的1KW 双BOOST PFC电源方(2023-10-12)
电压正半周时，开关管 Ｓ１ 导通时，电流流经Ｌ１、Ｓ１、Ｄ４ 和 Ｌ１、Ｓ１、Ｓ２ 体二极管及Ｌ２ 两条路径，此阶段电感 Ｌ１ 储能；
开关管 Ｓ１ 关断时，电流流经Ｌ１、Ｄ１、Ｒ、Ｄ４ 和 Ｌ１、Ｄ１、Ｒ......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
是比亚迪BG820 IGBT模块的续流二极管VF，大约1.6V
上图是比亚迪BM840 SiC MOSFET模块的体二极管Vsd，是的，你没看错，4.6V。SiC MOSFET自带的体二极管在IGBT......
相关企业
;佛山市南海康恒盛进出口有限公司;;我公司经营进口外国牌子的半导体集成电路、晶体三极管、晶体二极管等半导体电子元器件贸易,主要品牌有Sanyo,TOSHIBA,Philips,NEC,VISHAY
;深圳杰科达实业有限公司;;深圳市杰科达实业有限公司，本公司是一家股份制公司，拥有强大的经济势力。本公司本着贸易互惠，信誉第一的原则。专营电子配件IC ，晶体二极管，电脑配件，半导体，晶体管等！我们
;无锡旭茂电子有限公司;;公司成立于2005年7月,专注于半导体二极管:肖特基/快恢复二极管生产销售,以及场效应管销售
灯 仪器仪表 产品以下; D I P S M D 桥式整流器/稳压二极管/普通二极管/恢复二极管/能量二极管/开关二极管/高效整流二极管/TO-9双极型晶体管/TO-92M0D双极型晶体管TO-92L
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
;台湾强茂电子有限公司;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;强茂电子;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;龙鑫电子有限公司;;我公司主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;深圳威铨电子（台湾强茂）电子有限公司;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;上海红讯无线电厂;;本厂原为上海无线电29厂专制单位。秉承红讯品牌传承红讯精神，用户至上，三包三保。研发、生产、经营晶体二三极管。（大中小晶体三极管，金封、塑封、玻璃封装。与世