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; Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管......
间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下，提供高质量高可靠性的碳化硅产品。首款工业级碳化硅MOSFET采用平面型设计，具备优异的体二极管能力，高温直流特性，以及......
Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN......
Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管......
Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET......
高高速数据接口中的系统级稳健性和钳位性能。 有关器件和数据手册的更多信息，请访问：Nexperia.com/automotive-ESD-protection 关于Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管......
如何判别二极管的好坏和极性;晶体二极管有正负两个电极，且正向电阻小，反向电阻大。利用这一特点，可用万用表的电阻档，大致测量出二极管的好坏和极性。 1、二极管好坏的判别 用万用表测量小功率二极管......
://www.nexperia.com/mosfets 关于Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管......
-MOSFETs 关于Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET......
Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN......
，有的也叫体二极管。 红色标注的为体二极管 从上图可以看出NMOS和PMOS寄生二极管方向不一样，NMOS是由S极→D极，PMOS是由D极→S极。 寄生二极管和普通二极管一样，正接......
桥接式 PFC，如图二所示。交流开关拓朴使用两个在开启状态下导通的高频场效应晶体管 （FET） 和在关闭状态下导通的碳化硅 （SiC） 二极管和硅二极管。有源桥式 PFC 直接以四个低频 FET 取代连接到交流线路的二极管......
的硅金属氧化物半导体 FET (MOSFET) 不适合图腾柱 PFC，原因在于 MOSFET 的体二极管具有非常高的反向恢复电荷，会导致高功率损耗和击穿损坏的风险。SiC 功率 MOSFET 与硅相比有了微小改进，固有体二极管......
可能提高效率的拓扑包括交流开关无桥 PFC、有源桥式 PFC 和无桥 PFC（如图 2 所示）。交流开关拓扑在导通状态时使用两个高频场效应晶体管 (FET) 导电，在关断状态时使用一个碳化硅 (SiC) 二极管和一个硅二极管......
-data-lines.html 关于Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD......
的导通电阻较高、效率较低，同时导电损耗显著，而且在能量回收水平较高时，其体二极管的用处不大。这里给出的解决方案，在外部并联二极管以实现 “第三象限” 操作，同时使用额外的低压阻断肖特基二极管......
-fets  关于Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET......
-for-hotswap-and-soft-start/ 关于Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体......
的电池放电保护电路。 图 1 显示无线电器上的电池放电保护应用电路。连接电源时，MOSFET (Q1) 的体二极管(Body Diode)变成正向偏置。DZDH0401DW 内部漏极二极管(Drain Diode)将集......
电流消耗很高的循环能量。 关于移相全桥拓扑中功率的失效问题，其主要原因是：在低反向电压下，MSOFET体二极管的反向恢复较慢。另一失效原因是：空载或轻载情况下，出现Cdv/dt直通。在谐振中的一个潜在失效模式与由于体二极管......
)≈ (v+-vf)/(r17+r16+rt)=(2.8-0.3)/(1+0. 47+0.5)=1.296ma。 显然，二极管档的测试电流比起电阻档至少要大一个数量级，比值基本上能够满足大多数半导体二......
的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管......
栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo 的共源共栅结构／JFET 方式带来了更低的传导损耗。 UJ4SC075009B7S 的主......
的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管......
很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。 此外，新产品还提高了体二极管......
很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。 此外，新产品还提高了体二极管......
间内工作在轻载的应用，可以利用“无拐点电压”的特点来降低能耗和总拥有成本（TCO）。 如果体二极管可以用作续流二极管，如CoolSiC™ MOSFET，这将提供另一个对某些驱动器很重要的好处。无论......
产品组合，请访问nexperia.com/xx。 关于Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管......
NexperiaNexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体......
工作栅极电压 推荐的工作栅极驱动电压，是通过考虑性能（如 RDS（ON）、开关损耗（EON、EOFF）、体二极管的正向压降（VF）及其反向恢复损耗（EREC））和可靠性，特别是栅极氧化层质量来确定的。 如表2所示......
云汉芯城与德欧泰克达成合作，上线半导体二极管及整流器产品;近日，云汉芯城与知名半导体二极管和整流器专家Diotec Semiconductor（以下简称“德欧泰克”）正式达成合作。云汉......
云汉芯城与德欧泰克达成合作，上线半导体二极管及整流器产品;近日，云汉芯城与知名半导体二极管和整流器专家Diotec Semiconductor（以下简称“德欧泰克”）正式达成合作。云汉......
设计工程师提供多种性能选项。关于新款器件的更多信息，包括产品规范和数据手册，请访问：Nexperia.com的产品组合页面。关于NexperiaNexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产......
碳化硅带来的优势。 当然，碳化硅MOS管在交通领域最大的问题在于体二极管，主要可以总结为四个痛点： 其中，第一个痛点是碳化硅的体二极管的导通压降大，这带来了损耗大和双极退化的缺点。如上图左边部分展示的内容，业界......
场最容易集中的地方，CoolSiC™ 不光完美处理了倒角，还上了双保险，在沟槽一侧设置了深P阱。在器件承受反压时，深P阱可以包裹住沟槽的倒角，从而减轻电场集中的现象。 深P阱的另一个功能，是作为体二极管的阳极。通常......
-and-soft-start/ 关于Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产......
LED基础知识及万用表测试LED方法;　　LED（发光二极管）是一种半导体二极管（一种p-n结），可在正电流从LED阳极流向阴极时发光。阳极表示为“+”，即二极管的正极。阴极表示为“-”，即二极管......
和关断损耗更低。   此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG......
电压正半周时，开关管 Ｓ１ 导通时，电流流经Ｌ１、Ｓ１、Ｄ４ 和 Ｌ１、Ｓ１、Ｓ２ 体二极管及Ｌ２ 两条路径，此阶段电感 Ｌ１ 储能； 开关管 Ｓ１ 关断时，电流流经Ｌ１、Ｄ１、Ｒ、Ｄ４ 和 Ｌ１、Ｄ１、Ｒ......
是比亚迪BG820 IGBT模块的续流二极管VF，大约1.6V 上图是比亚迪BM840 SiC MOSFET模块的体二极管Vsd，是的，你没看错，4.6V。SiC MOSFET自带的体二极管在IGBT......
Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFETs、氮化......
一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采......
用万用表测试LED有哪些注意事项;用万用表测试LED，有哪些注意事项？ 【导读】LED（发光二极管）是一种半导体二极管（一种p-n结），可在正电流从LED阳极流向阴极时发光。阳极表示为“+”，即二极管......
*1.9=2.28V。（备注：1.9为125℃下电阻标准化比率） 这时候您可能心里就要犯嘀咕了：打开了MOSFET后，导通损耗反而变大了？电流到底是走沟道还是体二极管？如果......
SiC MOSFET的结构里天然集成了一个体二极管，无需额外并联二极管。SiC体二极管参与换流，它的反向恢复电流要远低于IGBT反并联的硅PiN二极管，因此，即使在同样的dv/dt条件下，SiC......
负栅极电压的最佳方法是通过开尔文源极概念使用单独的电源和驱动器电路，并集成二极管钳位。位于开关的栅极和源极之间的二极管钳位限制栅极出现负电压。 反向恢复电荷 Qrr 特别针对使用导通体二极管进行连续硬换向的谐振拓扑或设计，还必......
出了新的设计考量，即在主电池包基础上增添副电池包，并且可支持热拔插，来实现不间断供电。然而在主电池包向副电池包换流过程中，低压侧电池包的充电FET的体二极管容易承受大电流，导致过热，如图3所示，如果......
Vishay推出薄型PowerPAK 600 V EF系列快速体二极管MOSFET;Vishay推出薄型PowerPAK® 600 V EF系列快速体二极管MOSFET，其RDS(ON)*Qg......
基础知识之光二极管传感器;1. 什么是光二极管？ 光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管是一种能够将光能转化为电能的电子器件，光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN......
会积累反向恢复电荷（Qrr）。在对置开关进入导通状态之前，需要将其放电，而这些都需要一些时间。GaN晶体管在这里则有很大不同，因为没有内在的体二极管，因此也没有Qrr。这样可产生更清晰的开关波形、经过......

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