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MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
● CRSS=CGD=反向传输电容
图2 功率MOSFET的输入电容
图3 功率MOSFET的输出电容
图4 功率MOSFET的反向传输电容
器件的电容通常随所施加的电压而变化。因此，完整的表征需要了解在最大额定电压下的电容......
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
CRSS = CGD = 反向传输电容
图2. 功率MOSFET的输入电容 图3. 功率MOSFET的输出电容......
飞兆半导体的100V BOOSTPAK解决方案提高了可靠性，降低了LED应用中的系统成本(2013-06-05)
V，ID = 2.1 A 低栅极电荷 = 2.78 nC（典型值） 低反向电容 (Crss) = 2.04 pF（典型值）
FDD850N10LD:RDS(ON) = 61 mΩ（典型......
安捷伦推出面向功率电路设计的功率器件电容分析仪(2014-07-11)
分析仪能够轻松完成此项任务。
B1507A 为测量和测试高频开关电源的所有参数提供了完整解决方案。其测量功能包括高电压偏置（+/-3 kV）下的三端子电容（Ciss、Coss 和 Crss）、栅极......
不同电压和功率等级的三菱电机SiC功率器件介绍(2024-03-08)
电池的宽度，如图所示。如图所示，这种增强型平面MOSFET技术具有出色的电阻，与其他沟槽栅极结构相比具有很强的竞争力。此外，JFET掺杂降低了反向传输电容Crss。该电容会影响SiC器件的开关速度。较小......
稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性(2024-07-24)
正确地抑制在开关操作过程中因寄生电感而产生的过压。为抑制导通期间的压差，静态导通电阻(RDSon)最好低于1mΩ。只有本征电容和Rg都很小，开关损耗才能降至最低，从而实现快速的开关操作。Crss/Ciss比率是一个非常敏感的参数，有助......
清纯半导体推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片(2024-02-07)
Turn-on），以及不同桥臂之间的串扰等。本产品通过对栅极微结构布局的优化，一方面提升了输入电容Ciss与转移电容Crss的比值，另一方面提高了阈值电压，从而实现对串扰的抑制。如图4所示，产品......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
电流最大，电阻最大，根据P=I*I*R，此时管子消耗的功率最大，发热最严重，所以尽可能让平台电压工作的时间很短。
一般来说，耐压等级越高，MOS管的输入电容越大，反向传输电容Crss越小，米勒效应也相应减小。
......
电动机控制应用三种不同的dV/dt控制方法(2022-12-20)
统方法可能会提高外部栅极电阻值。因为这些器件的CGD（CRSS）相对较高，所以外部RG值可以放缓dV/dt而不会过度延迟时间。对于图腾柱PFC等快速开关应用而言，这种方法非常好，在这种情况下，较快的dV/dt会带......
英飞凌推出OptiMOS™ 6200V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立(2024-03-20)
的软度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了89%，使开关和EMI性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss和Crss），减少......
英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET， 以更高的功率密度和效率树立行业新标准(2024-03-20)
度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧......
英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准(2024-03-20)
极管性能方面，OptiMOS™ 6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和......
英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率(2024-03-21)
均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss和Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th)分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温......
联讯仪器高压低漏电开关矩阵RM1013-HV，满足功率半导体参数测试应用！(2024-12-30)
路径切换示意图
在半导体功率器件测试中通常需要测量Ciss/Coss/Crss等高压电容参数。高压电容测量与I-V测量之间的路径切换一直是测试中的难点，高压切换矩阵中内置了可切换的高压电容......
意法半导体推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET(2024-11-29 14:02)
晶体管STL305N4F8AG 的额定漏极电流高于300A，最大导通电阻 RDS(on)为1mΩ，可在高功率应用中实现出色的能效。动态性能得到了改进，65nC(典型值)的总栅极电荷和低电容(Ciss......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
下，位移电流越小。这一点，IGBT7和CoolSiC™ MOSFET尤其出色。以FP25R12W1T7为例，它的米勒电容Crss仅有0.017nF，相比同电流IGBT4的0.05nF，减少了近2/3......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
管比SJ MOS有着更小的饱和电流以及更高的BV值，这也是受限于其芯片面积和无雪崩能力的特殊特性；同时更低的驱动电压和栅极电荷Qg，造就了其高频低损的优良开关特性。
图2 GaN&Si电容......
英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准(2024-03-20 15:24)
度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧......
基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品(2023-05-12)
代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。
● 更高......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
、漏源电容Cds可以由以下公式确定：
公式中MOS管的反馈电容Crss,输入电容Ciss和输出电容Coss的数值在MOS管的手册上可以查到。
电容充放电快慢决定MOS管开通和关断的快慢，为确......
英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准(2024-03-22)
关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联......
一文读懂碳化硅设计中的热管理(2023-10-11)
MOSFET具有低反向恢复电荷的体二极管，可以显著降低损耗，即使在更高的频率下操作也是如此。芯片尺寸小有助于高频操作，减少栅极电荷，减小米勒 (Crss) 和输出 (Coss) 寄生电容，从而......
采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC™沟槽式MOSFET推动电动出行的发展(2023-07-03)
)）大于4V且Crss/Ciss比率极低，因此在VGS=0 V时可实现可靠的关断，而且没有寄生导通的风险。这使得单极驱动成为可能，从而降低了系统成本和复杂性。另外，新一代产品具有低导通电阻（RDS......
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算(2023-10-20)
通过实验对其性能进行验证：
PDSWITCHING = (CRSS × VIN² × fSW × ILOAD)/IGATE
其中CRSS是MOSFET的反向传输电容(数据资料中的一个参数)，fSW为开关频率，IGATE是MOSFET的栅......
应对 PCS 创新，德州仪器全方位保驾护航(2024-01-12)
，从而优化了整体性能。
GaN 具有低寄生电容电容（Ciss、Coss、Crss）并且无第三象限反向恢复。这些特性可实现更高频率的硬开关拓扑，例如图腾柱无桥功率因数控制器 (PFC)，而 MOSFET......
采用TO263－7封装的新一代1200 V CoolSiC 沟槽式MOSFET推动电动出行的发展(2023-07-03 11:36)
的开关损耗降低了25%，具有同类最佳的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极-源极阈值电压（VGS(th)）大于4V且Crss/Ciss比率极低，因此在VGS......
高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(2022-12-23)
输出电压斜率可以近似为：
插入变形表达式 Ig ( avr ),并整理得到：
其中 Cgd ( off )是密勒效应电容，在数据表中定义为Crss。
量化关断栅极电阻
在量化关断电阻时，最坏......
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南(2025-01-12 16:34:20)
理得到：
其中 Cgd(off) 是密勒效应电容，在数据表中定义为 Crss。
6.3 量化关断栅极电阻
在量......
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET(2023-07-03)
同类最佳的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极-源极阈值电压（VGS(th)）大于4V且Crss/Ciss比率极低，因此在VGS=0 V时可实现可靠的关断，而且......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
提高产量并降低成本。
图4：罗姆的第4代器件具有更低的Ronsp、Coss和Crss（来源：罗姆）
图中的第二个声明为，因为各个密勒电容的降低，所以开关损耗将会降低。事实上，虽然......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
的第二个声明为，因为各个密勒电容的降低，所以开关损耗将会降低。事实上，虽然我们比较的芯片的测试结果与之并不完全匹配，但我们可以确认Crss（在额定电压下）降低了约90%，而且Coss也有所降低，具体......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
我们之前所讨论的那样，这是一个至关重要的进步，因为它能缩小芯片尺寸，从而提高产量并降低成本。
图4：罗姆的第4代器件具有更低的Ronsp、Coss和Crss（来源：罗姆）
图中的第二个声明为，因为各个密勒电容......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
，电荷主要用于为输入电容 CISS 充电。
ii. 当 VGS 处于平坦区域电压 VGP 时，电荷主要用于为反向传输电容（栅漏电容）CRSS 充电。
iii.当 VGS 从......
安森美创新解决方案助力汽车电子 “芯”发展(2024-05-07 12:02)
V 和 900 V N 沟道 EliteSiC MOSFET 具有低反向恢复电荷的体二极管，可以显著降低损耗，即使在更高的频率下也是如此。芯片尺寸小有助于高频操作，减少栅极电荷，减少米勒 (Crss......
你知道安规Y1电容和安规Y2电容的区别吗(2023-08-31)
你知道安规Y1电容和安规Y2电容的区别吗;电容器种类之多，形同外表型号不同，型号相同但是电压和其它方面还是不一样的，就比如说安规电容。安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危......
一起了解薄膜电容之CL电容的特性(2023-09-01)
一起了解薄膜电容之CL电容的特性;科技的进步推动了电子行业的发展，而在电子行业中离不开电容器这一类电子元件。电容器是容纳和存储电荷的容器，在电子产品内部中有电容器的身影。电容......
你真的了解CBB薄膜电容吗？(2023-09-26)
你真的了解CBB薄膜电容吗？;电容器大家族当中有安规电容，超级电容，陶瓷电容，电解电容，还有薄膜电容。其中薄膜电容种类繁多，尺寸之多，光按照塑料薄膜分为聚乙酯薄膜电容，聚丙烯薄膜电容，聚苯乙烯薄膜电容......
电机电容坏了的现象及维修方法(2024-01-05)
电机电容坏了的现象及维修方法;一、电机电容坏了有什么现象？
1.电机无法启动
电机电容坏了的最常见现象是电机无法启动。当电容失效时，电机将无法获得所需的能量来启动，从而导致电机无法正常工作。如果......
搞不懂去耦电容PCB 布局，一定要看这一文，配置+选型，一文搞定(2024-10-06 22:10:45)
搞不懂去耦电容PCB 布局，一定要看这一文，配置+选型，一文搞定;
今天给大家分享的是：
去耦电容
，
去耦电容......
如何处理并联电容器故障?低压电容器为什么会爆炸?(2022-12-20)
如何处理并联电容器故障?低压电容器为什么会爆炸?;在调谐、旁路、耦合、滤波等电路中起着重要的作用，可以说，是常用的一种器件。为增进大家对的认识，本文将对并联电容器的故障处理技巧、低压并联电容......
模拟电路设计中该如何选择电容(2022-11-30)
模拟电路设计中该如何选择电容;电容也是电路设计中最基本的元件，那么在电子设计中如何选择一颗合适的电容呢？我们先来了解一下电容，电容的符号是C，电容的电位是法拉（F），法拉是个特别大的单位，常用......
电容的参数_种类_应用(2024-10-15 14:49:34)
电容的参数_种类_应用;
浅谈电源设计中电容的电性能参数，常见电容器类型与实际应用
电容的性能参数
在没......
电容的参数_种类_应用！(2025-01-05 11:13:35)
电容的参数_种类_应用！;
浅谈电源设计中电容......
简单了解不同介质的薄膜电容(2023-03-07)
简单了解不同介质的薄膜电容; 随着科技的发展，电子产品的种类越来越多，对组成的电子元件的需求量也越来越多，电子元件中电容器是重要的存在。
电容器按照不同类别分为多种电容......
和普通电容相比，超级电容的优势是什么？(2023-09-01)
和普通电容相比，超级电容的优势是什么？;超级电容是一种新型电化学元件，通过极化电解质来储能。在储能过程中不发生化学反应，并且这种储能过程是可逆的，因此超级电容可以反复充放电数十万次，因此超级电容也被称为双电层电容......
超级电容工作温度变化对超级电容有什么影响(2023-08-30)
超级电容工作温度变化对超级电容有什么影响;电容器是电子产品中必不可少的电子元件，关于电容器分类有很多，我们熟悉的有安规电容、超级电容、薄膜电容、电解电容等，应用于消费类电子产品、家电、工业......
薄膜电容之了解不同的CL电容(2023-08-30)
薄膜电容之了解不同的CL电容;在众多电容器中，薄膜电容种类繁多，在薄膜电容中，CBB电容是我们较为熟悉也是电子产品经常用的薄膜电容，除了CBB薄膜电容外,CL电容也是薄膜电容用得较多的电容......
通过安规电容丝印了解安规电容(2023-08-16)
通过安规电容丝印了解安规电容;科技的发展使人们创造出许多提高人们生活水平，方便人们生活的电子产品，这些电子产品只需接通电源就能工作，而在开关电源和电子线路中，有一种电子元件能保护电路，这个电子元件就是安规电容......
了解什么是CL电容(2023-09-04)
了解什么是CL电容;薄膜电容种类居多，按照塑料薄膜分类为聚乙酯电容，聚丙烯电容，聚苯乙烯电容和聚碳酸电容。按照电介质不同又分为T型电容（聚乙烯对苯二酸盐），P型电容（聚丙烯）和N型电容（聚乙烯）这三种薄膜电容......
万用表测量电容好坏的方法(2023-01-04)
万用表测量电容好坏的方法;在日常生活和工作中，我们不得不对一些小元件进行检查，譬如判断的好坏。可你知道如何测量电容是否正常吗？今天小编就教你几种用测量电容好坏的方法。
第一种方法：用指......
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