资讯
新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录(2024-02-29)
新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录;瑞典乌普萨拉大学和第一太阳能欧洲技术中心科学家携手,研制出一款新型铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池,其能源转换效率高达23.64%,创下同类太阳能电池能效新纪录。相关......
碳中和目标下,低碳技术的商业化进程如何?(2022-08-16)
)主要有单晶硅、多晶硅电池;第二代光伏电池(薄膜电池,具备低成本的特点)主要有非晶硅、砷化镓、碲化镉、铜铟镓硒等;第三代光伏电池(薄膜电池为主,具备高效率、低成本的特点),包括宽光谱叠层多结、染料......
汉能创始人李河君被警方带走,薄膜太阳能路径为何难走?(2023-01-13)
/微晶硅薄膜电池组件的良率约为60%,主流厂商的CIGS(铜铟镓硒)电池组良率也只有65%。
曾有媒体在2018年报道称,山西省大批顾客投诉汉能薄膜太阳能发电产品涉嫌虚假宣传。该公......
国家产业结构调整指导目录中信息产业部分摘录(2024-01-03)
;先进的各类太阳能光伏电池及高纯晶体硅材料(多晶硅的综合电耗低于 65kWh/kg,单晶硅光伏电池的转换效率大于 22.5%,多晶硅电池的转化效率大于 21.5%,碲化镉电池的转化效率大于 17%,铜铟镓硒电池......
瑞士团队开发新型工艺,双面太阳能电池效率破纪录(2022-12-19)
。
基于铜铟镓二硒(CIGS)的双面薄膜太阳能电池可以从正面和背面收集太阳能,因此可能比传统太阳能电池产生更多的太阳能。然而,到目前为止,它们......
运用能量产率模型 突破太阳能预测极限(2024-04-21)
有光伏设备都以硅材为基础,可以想见这样高准确的预测所能带来的价值可期。但是当我们把这些预测用于像是铜铟镓硒(CIGS)模块等薄膜技术时却出现挑战。作为解决方案,我们为薄膜材料开发了另一款电气模型,并采......
除了功率和射频,化合物半导体还有哪些发展契机?(2021-03-29)
(In,Ga)Se2是一种含铜铟镓硒的四元直接能隙化合物,对光的吸收系数相当高(仅1um厚的材料就可吸收99%以上光子),以它为基础可以设计出光电转换效率比Si明显高的薄膜太阳能电池,达到的光电转化率为18......
广东深圳龙华区:鼓励开展液态储氢、固态储氢、氢燃料电池发电等创新技术的研究示范(2024-09-25 09:40)
多种能源协同互济,对实际建设投入500万元以上且节能率10%以上的项目,按项目投资额的10%,给予不超过200万元资助。(责任单位:区发展改革局)
(十五)开展分布式光伏示范建设。支持以碲化镉、铜铟镓硒......
广东深圳龙华区:拓宽氢能应用示范、给予200万元配套资助(2024-09-25 09:58)
际建设投入500万元以上且节能率10%以上的项目,按项目投资额的10%,给予不超过200万元资助。(责任单位:区发展改革局)
(十五)开展分布式光伏示范建设。支持以碲化镉、铜铟镓硒、钙钛......
我科学家通过红外光上转换实现高效的太阳光合成(2023-02-08)
、国防等诸多领域具有重要意义。比如对太阳能电池而言,上转换能使器件可以有效利用阳光中大量的低能量红外光子,颠覆性地提升太阳能转换效率。在前期研究中,该团......
国产电车的末日到了?美国电池技术取得重大突破,续航提升两倍(2023-11-13)
,而是硫硒电池,电解质是低廉易得的“硫”,导电材料是打孔石墨烯,它的质量更轻,导电性更好。特斯拉的4680锂电池是单个封装的,就像一节一节的5号电池一样,电池组是由很多电池串在一起的,而......
8月1日起!中国正式限制镓、锗等芯片关键材料出口(2023-08-01)
中指出,镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。
此举也引发了海外厂商囤货,因为没有这些是生产的关键材料,没有将没办法生产。
与铜......
有望颠覆市场!我国攻克短波红外成像芯片新技术,成本降至传统方式百分之一(2024-03-07)
颠覆市场”。
光谷实验室表示,在食品检测、半导体检测等工业应用中,基于短波的机器视觉如同机器的“眼睛”,具有重要意义。成像芯片作为成像系统最核心部件,对成像质量以及相机成本均起着决定性作用。
传统铟镓......
我国攻克短波红外成像芯片新技术,成本降至传统方式百分之一(2024-03-07)
颠覆市场”。
光谷实验室表示,在食品检测、半导体检测等工业应用中,基于短波红外成像的机器视觉如同机器的“眼睛”,具有重要意义。成像芯片作为成像系统最核心部件,对成像质量以及相机成本均起着决定性作用。
传统铟镓......
历经9年力积电今日重返上市(2021-12-06)
的产能,已经全部被客户包走了,显示半导体景气的成长趋势,主要是汽车电子的需求量非常的大。
此前黄崇仁曾指出,力积电有三大策略方向,首先是第四代氧化物半导体IGZO(氧化铟镓锌),第二是逻辑、内存......
年产芯片可达1.2万片!立琻半导体首条半导体紫外光源芯片产线量产(2023-08-14)
产品包括紫外高功率半导体光源芯片、像素化矩阵式智能车灯光源芯片等。据悉,InGaN (铟镓氮)基像素化矩阵式智能车大灯光源芯片的自主研发工作正有序推进,今年底将给下游客户提供样品。
封面图片来源:拍信网......
武汉光谷实验室攻克成像芯片新技术(2024-03-07)
可与硅基芯片一体化集成的量子点短波红外成像芯片,其探测波段范围远超传统铟镓砷芯片,同时制造成本仅不到近百分之一。极大的成本优势,让量子点芯片有望推开新市场的大门。
封面图片来源:拍信网......
中国3D DRAM研究取得创新进展(2023-01-10)
中国3D DRAM研究取得创新进展;随着尺寸的不断微缩,1T1C结构动态随机存储器(DRAM)的存储电容限制问题愈发显著,导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。
基于铟镓锌氧(IGZO)晶体......
四张图看懂晶体管现状(2022-11-29)
在有一些设备的工作频率约为这些频率的十亿倍。韩国和日本的工程师报告称发明了一种最高频率可达 738 GHz 的砷化铟镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)。Northrop Grumman 的工......
中国镓、锗出口限制令生效 韩国稀有金属储备告急(2023-08-03)
关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。
此举也引发了海外芯片厂商囤货,因为没有这些是半导体生产的关键材料,没有将没办法生产芯片。
据韩国媒体报道称,数据显示,韩国......
立琻半导体首条紫外光源芯片产线正式量产(2023-08-14)
投资10亿人民币,积极把握当前汽车产业“新能源化和智能化”的发展契机,布局汽车下一代光电子芯片的研发与车规级芯片制造,通过布局InGaN(铟镓氮)基像素化矩阵式智能车大灯光源芯片、AlGaN(铝镓氮)基高......
索尼发布高分辨率短波红外图像传感器,提升弱光成像性能(2023-12-04)
3.45μm像素尺寸,提供高分辨率成像
在形成光接收单元的光电二极管的铟镓砷(InGaAs)层和形成读出电路(ROIC)的硅(Si)层之间使用Cu-Cu连接。这一......
国光量子研制出国内首款量子编解码和调制解调芯片(2023-10-11)
×0.2cm,芯片一致性好,性能稳定,在应用时方便使用、易操作上手,无论是对量子产业发展还是量子科学的研究,都将产生极大促进作用。
国光量子自主研发的量子编解码和调制解调芯片,集成了铌酸锂、硅光、铟镓......
中科院微电子所在动态随机存储器领域取得重要进展(2022-07-06)
进一步微缩面临挑战。基于铟镓锌氧(IGZO)晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战,在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件,形成......
美开发“塑胶芯片”,价格不到1美分?(2022-06-21)
了一款功能齐全的塑胶芯片,并设计4位元和8位元处理器,但仍有许多细节未公开。
芯片制造方面,研究团队采用柔性薄膜半导体氧化铟镓锌(IGZO)技术,过去被用在显示器面板制造,为一项可靠的成熟技术,薄膜......
安森美官宣完成收购SWIR Vision Systems(2024-07-04)
纳米粒子或晶体可以精确调整以吸收扩展波长的光。该技术将系统的可见性和检测范围从标准CMOS传感器的范围扩展到SWIR波长。迄今为止,由于传统铟镓砷(InGAas)工艺的高成本和制造复杂性,SWIR 技术的采用受到限制。
声明称,SWIR......
Instrument Systems 推出紧凑型 PD 100 光电二极管(2024-09-02)
的积分球组合
PD 100 光电二极管提供两种型号:一种配备硅(Si)探测器,适用于 400 nm 至 1100 nm的光谱范围。另一种配备铟镓砷(InGaAs)探测器,适用于 900......
80亿美元!Teledyne宣布收购热成像传感器公司Flir(2021-01-07)
辐射热仪/热式/未冷却
InGaAs –砷化铟镓
QWIP –量子阱红外探测器
预期销售增长
Teledyne预计,收购将立即增加收益,不包括交易成本和无形资产摊销,并在......
2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓(2024-11-22 17:57)
成果发表于《Nature Communications》上。
(三)基于铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显示技术
南京大学、厦门大学、合肥......
未来10年车用芯片需求将倍增,将更依赖于晶圆代工厂(2023-03-27)
)”领域上,砷化铟镓(InGaAs)、氮化镓(GaN)等非硅系芯片需求将加速,另一方面,随著高性能需求,车用芯片也将进一步无晶圆厂(Fabless)化、对晶......
E Ink元太科技与夏普显示科技携手合作开发新世代电子纸IGZO背板(2022-09-28)
Technology Corporation,简称SDTC) 宣布携手合作,E Ink元太科技将采用夏普显示科技的IGZO* (Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物)背板,运用......
TrendForce集邦咨询: 2025年手机中高端背板技术渗透率在折叠屏手机推动下或突破60%(2024-08-26)
)或氧化铟镓(IGZO)等材料,这项技术也常用于高端显示器,像Apple的iPad和Macbook系列等中尺寸产品。Oxide的漏电流较低,将有利未来在透明显示器的应用。
大世代AMOLED......
折叠屏手机推动,2025年手机中高端背板技术渗透率或突破60%(2024-08-28)
咨询表示,目前普遍用于智能手机屏幕的氧化物(Oxide)半导体背板技术,主要采用氧化锌(ZnO)或氧化铟镓(IGZO)等材料,这项技术也常用于高端显示器,像Apple的iPad和Macbook系列......
8月1日生效!中国对镓、锗相关物项实施出口管制(2023-07-04)
、3818009004、3825690004)。
6.铟镓砷(参考海关商品编号:2853909028、3818009005、3825690005)。
7.硒化镓(包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料......
国内首款量子编解码和调制解调芯片研制成功,来自国光量子(2023-10-11)
量子自主研发的量子编解码和调制解调芯片,集成了铌酸锂、硅光、铟镓砷和金属氯化物工艺,可以实现高精度的相位编码和偏振编码。整个芯片的光衰减在 3dB 之内,偏振隔离度超过 20dB。同时,整个芯片还考虑了无消相干子空间,无论......
国内首款量子编解码和调制解调芯片研制成功,来自国光量子(2023-10-11)
量子自主研发的量子编解码和调制解调芯片,集成了铌酸锂、硅光、铟镓砷和金属氯化物工艺,可以实现高精度的相位编码和偏振编码。整个芯片的光衰减在 3dB 之内,偏振隔离度超过 20dB。同时,整个芯片还考虑了无消相干子空间,无论......
国内首款量子编解码和调制解调芯片研制成功,来自国光量子(2023-10-11 11:08)
编解码和调制解调芯片性能如何,主要有调制精度、衰耗、调制带宽、偏振隔离度、纠缠制备效率等几个需要重点关注的关键指标。国光量子自主研发的量子编解码和调制解调芯片,集成了铌酸锂、硅光、铟镓砷和金属氯化物工艺,可以......
什么是红外辐射?红外热像仪及其工作原理(2023-01-04)
与敏感度均低于量子探测器。
量子探测器由锑化铟(insb)、铟镓砷(ingaas)、硅化铂(ptsi)、碲镉汞(hgcdte或mct)和量子阱红外探测器(qwip)上分层的砷化镓/砷化铝镓等材料制成。量子......
激励核心技术团队 立昂微1元转让立昂东芯9%股权(2021-02-09)
昂东芯的核心技术力量,也是未来发展不可缺少的主要技术支柱。
截至目前,汪耀祖率领的技术团队已经为立昂东芯开发了6款高集成的铟镓磷异质结双极型晶体管(InGaP HBT),7款亚......
新研究展示了薄膜电子学在柔性芯片设计中的潜力(2024-04-25)
目方法米尼和他的同事们建造的微处理器是标志性的MOS 6502。今天,这款芯片是一件博物馆展品,但在70年代,它是第一台苹果、康柏和任天堂电脑的驱动器。该团队在硅基底(使用非晶态铟镓锌氧化物)和基板上(使用......
“半导体口粮”出口管制影响多大?上市公司回应来了(2023-07-05)
司是集锗矿开采、深加工和研发为一体的企业,其锗产业链非常完整,拥有高纯二氧化锗、有机锗、区熔锗、太阳能电池用锗单晶及晶片等10多类产品。资料显示,该公司的锗产品产销量在全国范围内居于首位,是国......
单光子探测器研究现状与发展(2023-03-15)
研制的SPAD系列以及日本滨松公司的系列产品。图3为滨松公司生产的硅APD、铟镓砷APD、硅APD阵列系列样图及其光谱响应曲线图。硅APD在弱光检测中具有高速、高灵敏度特点,主要工作在波长为400......
斥资610亿元,郭台铭10.5代面板厂落脚广州(2016-12-31)
事高端显示技术产品研发。
鸿海集团董事长郭台铭(右)介绍堺显示器的功能
SDP表示,新的十点五代产线还将导入氧化铟镓锌(IGZO)技术,预计2019年开始量产,生产大尺寸8K超高......
信越化学开发出用于Micro LED显示器的新工艺技术、转移部件和其他设备(2023-02-06 09:51)
的激光剥离成为可能。通过在LED晶圆接合后进行热固化,可以防止芯片倾斜和开裂。对于容易出现裂缝的Mini LED芯片以及氮化铟镓(InGaN)和四元系统的红色Micro LED芯片,可以......
信越化学开发出用于Micro LED显示器的新工艺技术、转移部件和其他设备(2023-02-06)
的激光剥离成为可能。通过在LED晶圆接合后进行热固化,可以防止芯片倾斜和开裂。对于容易出现裂缝的Mini LED芯片以及氮化铟镓(InGaN)和四元系统的红色Micro LED芯片,可以......
华为/中科院共研成果即将亮相?3D DRAM商业化尚需时日(2022-05-30)
表与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术,并进行各种相关演示。
报道称,华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧IGZO-FET(由 In、Ga、Zn、O 组成的透明氧化物)材料的CAA(Channel-All......
Phlux推出短波红外InGaAsAPD,瞄准汽车激光雷达市场(2024-03-18)
,并筹集项目资金。Phlux计划成为“激光雷达(LiDAR)中的英伟达(Nvidia)”。
据麦姆斯咨询报道,Phlux于2024年1月推出新开发的Aura系列1550 nm铟镓砷(InGaAs)雪崩......
图像传感器公司正在经历新一轮创新(2024-07-25)
和织物等材料的可见性。
SWIR Vision Systems 的薄膜胶体量子点光电二极管阵列技术。图片由 SWIR Vision Systems 提供
SWIR 技术因其所基于的铟镓......
全球智能手机生产量预估;清华研发首款实时超光谱成像芯片(2022-06-06)
上发表与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术,并进行各种相关演示。
报道称,华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧IGZO-FET(由 In、Ga、Zn、O 组成的透明氧化物)材料的CAA......
未来十年车用芯片激增(2023-03-28)
的半导体需求和价值量也随之水涨船高。
IDTechEx 指出,在激光雷达(LiDAR)领域上,砷化铟镓(InGaAs)、氮化镓(GaN)等非硅系芯片需求将加速,另一方面,随着高性能需求,车用芯片也将进一步无晶圆厂(Fabless)化、对晶......
相关企业
)、SiPM(硅光电倍增管),铟镓砷APD(InGaAs)、雪崩二极管(APD)、脉冲激光二极管(PGA/PGEW系列)、光电二极管阵列、PIN快速光电二极管、四象限探测器及各种红外热释电、热电堆探测器等。
的主要产品有:精铟、纯铟丝/氧化铟/铟合金/铟锡合金粉末/铟铜镓硒太阳能材料、精铋、氧化铋;焊料/纯锡丝及锡合金. 我们的宗旨为:质量第一,客户第一,信誉第一。 我们衷心希望与国内外客户建立业务联系和合作关系。
产品在ISO9001:2000质量保证的基础上,生产AlGaInP(铝镓铟磷)四元的红光、黄光、黄绿光和InGaN(铟镓氮)的蓝光、绿光等标准芯片、功率型芯片及SMD支架、蓝宝石衬底。目前
;阳光电池阳光电池总汇;;阳光电池总汇主要经营阳光电池,汤浅电池等0品牌的电池销售。包含A400系列阳光电池,A500系列阳光电池等 阳光电池,阳光电池,阳光电池,阳光电池,阳光电池,阳光电池,阳光电池
;北京润普兴业科技有限公司;;北京润普兴业科技有限公司提供德国阳光电池 德国阳光蓄电池 阳光电池 阳光蓄电池 美国gnb电池 美国gnb蓄电池 松下电池,松下蓄电池 松下ups电池 日本松下电池
;北京友谊世纪进出口贸易;;北京润普兴业科技有限公司提供德国阳光电池 德国阳光蓄电池 阳光电池 阳光蓄电池 美国gnb电池 美国gnb蓄电池 松下电池,松下蓄电池 松下ups电池 日本松下电池 沈阳松下电池
;惠州鑫恒通能源科技有限公销售中心;;电池采购联系电话:0752-2388818 13928323685 联系人:王友林 电池生产厂家惠州鑫恒通能源科技有限公司的产品品种及规格如下: 一、碱性电池
;广州汤浅电池总汇汤浅电池;;专营汤浅电池的销售服务,日本汤浅电池至今将近有90年的历史,是长期地从事蓄电池的研究、开发与生产,其Yuasa(汤浅电池)牌蓄电池享誉全球,不仅是日本五大电池
;广州阳光电池总汇;;德国阳光电池产品种类繁多,欢迎您来电咨询有关阳光电池产品的详细信息! 阳光电池是使用德国高新技术,是世界上铅酸蓄电池制造先驱及领导者,阳光电池是胶体阀控式铅一酸免维护蓄电池
;北京恒成科技有限公司;;北京世纪鑫源科技有限公司提供 德国阳光蓄电池 阳光电池 阳光蓄电池 圣阳蓄电池 理士蓄电池 美国gnb电池 美国gnb蓄电池 松下电池,松下蓄电池 松下ups电池 日本松下电池