资讯
这种新材料终成半导体功率器件主流(2016-11-14)
比较碳化硅与硅的导通电组及阻断电压
SiC电晶体将成为吸引人的替代方案，取代工业功率电子领域现有的IGBT技术。
SiC独有的材料特性，可设计无少数载子的单极装置，取代......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果｡最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证......
安森美发布升级版功率模块，助力太阳能发电和储能的发展(2024-08-28)
安森美发布升级版功率模块，助力太阳能发电和储能的发展;硅与碳化硅混合解决方案在减少尺寸的同时，将输出功率提高了15%
中国上海 - 2024 年 8月 28 日 - 安森美推出采用 F5BP 封装的最新一代硅和碳化硅......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时，碳化硅材料的优异特性让它成为了下一代功率半导体器件的理想原材料。
图1 4H型碳化硅与硅基材料特性对比......
车载光伏需求叠加 碳化硅商业化进程加速(2023-10-27)
车载光伏需求叠加 碳化硅商业化进程加速;
【导读】从2018年特斯拉Model 3首次采用碳化硅逆变器取代硅基IGBT以来，碳化硅的车载应用就在加速。与此同时，碳化硅......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
容易发生误导通风险。
以下表格为硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具体参数和性能数值对比......
安森美发布升级版功率模块，助力太阳能发电和储能的发展(2024-08-28 11:29)
安森美发布升级版功率模块，助力太阳能发电和储能的发展;
硅与碳化硅混合解决方案在减少尺寸的同时，将输出功率提高了15%安森美（纳斯达克股票代号：ON ）推出采用 F5BP 封装的最新一代硅和碳化硅......
低碳化、数字化推动可持续发展 英飞凌亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-11)
开关在微型逆变器中的应用等。
此外，Yole Group化合物半导体资深分析师邱柏顺从行业分析的角度向与会者分享了全球碳化硅与氮化镓市场最新发展趋势及展望。华中科技大学教授、博导......
低碳化、数字化推动可持续发展 英飞凌亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-10)
Group化合物半导体资深分析师邱柏顺从行业分析的角度向与会者分享了全球碳化硅与氮化镓市场最新发展趋势及展望。华中科技大学教授、博导彭晗综合介绍了宽禁带功率器件的应用机遇与挑战。
在9日下午举行的碳化硅......
新能源电驱系统关键技术及发展趋势(2023-05-05)
新能源电驱系统关键技术及发展趋势; 第三代半导体材料可以满足现代社会对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求，且体积小、污染少、运行损耗，正逐步成为发展的重心。
当前主流的第3三代半导体材料为碳化硅与氮化硅......
功率模块IPM、IGBT及车用功率器件(2024-04-29)
电路和控制电路等多个功能模块。
IPM模块通常包括一个功率MOSFET、IGBT（绝缘栅双极晶体管）或SiC（碳化硅）等开关器件，以及一个驱动电路，用于控制这些开关器件的导通和截止。此外，IPM模块还通常集成有电源电路、电流......
理想率先迈入补能“5G时代”，碳化硅的春天来了？(2023-06-24)
可以延长续航；或者以更小的电池，可以达到相同的续航里程，进而降低系统成本。
在“2023碳化硅功率器件应用及测试技术大会”上，毫厘机电拿出了一组对比数据。在峰值功率上，硅基IGBT模块可以达到560KW......
碳化硅与氮化镓的未来将怎样共存？(2023-02-03)
碳化硅与氮化镓的未来将怎样共存？;氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体现已量产并迅速扩大市场份额。 据市场研究公司 Yole 称，到 2027 年底，GaN 和 SiC 器件......
碳化硅与氮化镓的未来将怎样共存？(2023-02-06 10:40)
碳化硅与氮化镓的未来将怎样共存？;氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体现已量产并迅速扩大市场份额。 据市场研究公司 Yole 称，到 2027 年底，GaN 和 SiC 器件......
瑞能半导体亮相2023慕尼黑上海电子展，加速升级创领功率器件新浪潮(2023-07-12)
器件组合，Si-MOSFET, 可控硅与功率二极管，IGBT 等功率分立器件，以及各类型功率模块如双极性功率模块，碳化硅模块，IGBT模块。丰富的产品系列能覆盖光伏储能，工业......
Wolfspeed 推出 2300 V 碳化硅功率模块，助力清洁能源产业提升(2024-09-11)
模块相比，该模块的电压余量增加了 15%、改善了动态性能且温度稳定性一致性良好、可以显著缩小EMI 滤波器尺寸。和IGBT相比，Wolfspeed 方案的开关损耗可以降低 77%。针对 1500 V 应用，碳化硅......
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-26)
环节也非常容易损耗，由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料，因此切割过程耗时久，易裂片。一般而言，硅片的切割只需要几个小时，而SiC则需要数百小时。
碳化硅总体生产的成本对比Si均较高，SiC晶体......
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-27)
环节也非常容易损耗，由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料，因此切割过程耗时久，易裂片。一般而言，硅片的切割只需要几个小时，而SiC则需要数百小时。
碳化硅总体生产的成本对比......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？;众所周知，“挖坑”是的祖传手艺。在硅基产品时代，的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的就独步天下。在碳化硅的时代，市面......
碳化硅和IGBT并行不悖，新能源汽车功率器件怎么配？(2023-04-05)
碳化硅和IGBT并行不悖，新能源汽车功率器件怎么配？;
【导读】近期，特斯拉宣布将大砍碳化硅用量75%的消息冲上了热搜。这一消息，也让业内对于碳化硅究竟能否替代IGBT在新......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能直接影响到新能源汽车的能效、续航里程以及可靠性。目前，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和碳化硅（SiC）功率器件是两种主流的解决方案，它们在新能源汽车中有着各自独特的应用特点。
一、硅基IGBT在新......
瑞能半导体亮相2023慕尼黑上海电子展，加速升级创领功率器件新浪潮(2023-07-12 16:34)
极听取客户的建议来对产品性能进行有针对性的优化，为自身产品的升级与创新带来了积极效应。
技术迭代步履不停 树立高效功率器件新标准本届慕尼黑上海电子展，瑞能半导体展出了包括碳化硅器件组合，Si-MOSFET, 可控硅与......
Wolfspeed 推出 2300 V 碳化硅功率模块，助力清洁能源产业提升(2024-09-12)
滤波器尺寸。和IGBT相比，Wolfspeed 方案的开关损耗可以降低 77%。针对 1500 V 应用，碳化硅器件的开关损耗可以降低2-3倍。
设计......
Wolfspeed 推出 2300 V 碳化硅功率模块，助力清洁能源产业提升(2024-09-11 14:01)
简化提升市场可扩展性和传统母排解决方案相比，2300 V 碳化硅模块可使得设计者选用更低成本的印刷线路板来降低制造成本并且显著缩短开发时间。此外，Wolfspeed 2300 V 模块将助推产业采用两电平拓扑，与基于 IGBT 的三电平方案对比......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。
氧化镓能否与碳化硅竞争？
目前以碳化硅为代表的第三代半导体材料发展风头正劲，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，第三代半导体包括碳化硅与氮化镓，整体产值又以碳化硅......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。
氧化镓能否与碳化硅竞争？
目前以碳化硅为代表的第三代半导体材料发展风头正劲，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，第三代半导体包括碳化硅与......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
开尔文)，还不及硅的，而碳化硅的热导率最优，在传递热负荷方面优于氮化镓和硅三倍。这种散热性能使碳化硅在高功率和高温应用中具备极大的优势。
（二）衬底材料的Ga HEMT对比
表 5 不同衬底材料的GaN......
强势扩张第4代SiC，罗姆2023年量产8英寸碳化硅衬底(2023-02-27)
姆发布了第4代的沟槽SiC MOSFET产品。其第4代碳化硅产品具备低损耗、使用简单、高可靠性三大特点。
第一是低损耗。第3代与第4代新产品对比，罗姆通过把标准导通阻抗降低，目前实现40%的降低，同样......
3.9s破百，1千公里续航，蔚来 ET7 是如何做到的？有哪些值得关注的黑科技？(2021-09-29)
功率模块的新能源车企。
传统硅基IGBT是目前绝大部分新能源汽车的主要选择，而碳化硅功率器件则是替代传统硅基功率器件的重要发展趋势，特别是在中高端车型的应用。
在电动车不同工况下，SiC MOSFET 相较 Si......
碳化硅功率半导体：进入放量窗口期，降本提质是关键(2023-04-12)
功率半导体有望在今年四季度正式上车。
今年中国电动汽车百人会论坛上，英飞凌科技方面也透露，到2027年，英飞凌第三代半导体碳化硅相对目前对比产能会是10倍左右的增加，目标是达成在2030年左右占有30%的市......
总投资超200亿，IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产(2021-06-24)
总投资超200亿，IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产;近年来，以IGBT为主的功率半导体和以碳化硅、氮化镓为主第三代半导体均受到市场的高度关注。
其中，IGBT，被视为电力领域的“CPU......
瑞萨电子与 Wolfspeed 签署 10 年碳化硅晶圆供应协议(2023-07-06)
求急剧增加。 瑞萨电子正在迅速采取行动，通过扩大其内部制造能力来满足功率半导体不断增长的需求。 该公司最近宣布在甲府工厂扩产 IGBT，并在高崎工厂建立碳化硅生产线。
与传统的硅功率半导体相比，碳化硅......
新能源电驱动核心的技术有哪些(2023-05-10)
车企和用户都不那么太划算。
△ 某电机能效MAP图
于是提高电机控制单元中的主逆变器能效，成为提升整个电驱系统能效的新方向。
也就是用SiC碳化硅模块替代目前主流的IGBT模块！
△ 碳化硅材料优点
碳化硅SiC......
缺货或持续至明年上半年，IGBT后，谁能成车用半导体厂商下一个风口？(2023-03-28)
凌不断改进芯片结构，已将IGBT技术迭代至第七代，IGBT产品向小型化、高功率、高可靠性发展。
随着IGBT供需持续紧张，有关宽禁带半导体材料碳化硅替代硅基IGBT的话......
广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心通过认定(2024-05-03)
器件与半导体元器件工程技术研究中心”顺利通过认定。
资料显示，美浦森半导体成立于2014年，是国内专业从事硅与碳化硅器件研发、生产和销售的半导体公司，其在深圳、上海设有研发中心。此次......
电动汽车电驱动系统核心技术是什么(2024-03-26)
车企和用户都不那么太划算。
△ 某电机能效MAP图
于是提高电机控制单元中的主逆变器能效，成为提升整个电驱系统能效的新方向。
也就是用SiC碳化硅模块替代目前主流的IGBT模块！
△ 碳化硅材料优点
碳化硅SiC......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
、高效率和低EMI应用需要，高压砷化镓高频整流二极管已在Motorola 公司研制成功。与硅快恢复二极管相比，这种新型二极管的显著特点是：反向漏电流随温度变化小、开关损耗低、反向恢复特性好。
13.碳化硅与碳化硅......
“冰火两重天”，五大变化梳理全球SiC产业(2024-11-28)
SiC器件的价格是硅基器件的1.5-2倍。业内人士预测称，未来两三年内，SiC器件与同规格IGBT器件的价格对比数值有望下降到1.2-1.5倍。
图源：清纯半导体
业内专家表示，碳化硅......
9月即将量产，东芝纯碳化硅产品提上日程(2021-09-15)
模块
值得注意的是，东芝也展出了其SiC混合模块，该混合模块是介于硅和碳化硅之间的产品，可称之为混合型的IGBT。该器件采用PMI封装方式，内部的IGBT（IEGT芯片）采用硅材料，但是二极管部分采用碳化硅......
国内首款基于自主碳化硅的汽车“芯”动力在株洲下线，各大车厂逐步加大碳化硅车规级使用(2021-12-27)
及模块技术的企业。目前，中车时代电气在IGBT器件领域建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸SiC（碳化硅）的产业化基地。据《湖南日报》报道，中车时代电气拥有目前国际SiC（碳化硅）芯片......
中国车用碳化硅功率模块的成长之路(2023-08-08)
中国车用碳化硅功率模块的成长之路;在全球汽车电动化的浪潮下，汽车半导体领域的功率电子器件作为汽车电动化的核心部件，成为了车企和电机控制器Tire 1企业关注的热点。车用功率模块已从硅基IGBT为主......
功率半导体巨头拓展中国“朋友圈” 国产碳化硅商业化按下“加速键”(2023-05-16)
的使用量，而不会减少。”黄河科技学院客座教授张翔向记者表示，碳化硅具有耐高温、耐高压的特性，非常适用于高压场景，而且在主逆变器中，碳化硅模块和IGBT模块相比，能够提高约5%的系统效率。
有碳化硅......
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道(2023-03-10)
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道;以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对......
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道(2023-03-13)
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道;以碳化硅与氮化镓为代表的市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对......
安森美新一代混合功率模块探秘：平衡性能与成本的创新(2024-11-08 10:10)
性：混合模块可以根据终端应用的具体需求，灵活选择不同的技术组合，如硅基IGBT和碳化硅二极管或碳化硅MOS。这种灵活性使得模块能够更好地适应不同应用场景，实现性能和成本的最佳平衡。性能优化：通过......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
化层的形成。由于碳化硅材料中同时含有Si和C原子，因此需要一种非常特殊的栅介质生长方法。SiC-MOSFET采用沟槽结构，以最大限度地发挥SiC的特性。
3、碳化硅MOS的优点
硅IGBT通常......
英飞凌科技：专注电机驱动三大市场 迎接电机市场新挑战(2023-03-23)
于在系统层面大幅度提升电机驱动能效。微控制器配合英飞凌的IGBT 或者碳化硅功率器件共同使用，可以从硬件层面实现系统级的最高效率。英飞凌基于自身先进的工艺和长期累积的开发经验，可以提供这种高性价比的产品。此外......
IGBT持续缺货的三个原因(2023-06-01)
的交期一致，最长在54周。
IGBT的短缺预计会持续到2024年，导致IGBT缺货的原因可以简单归为三点，其一是产能受限，扩增缓慢；其二是，车用需求旺盛，特斯拉砍75%碳化硅用量大幅提升IGBT需求......
汽车行驶所需芯片：超全分类及发展趋势(2024-05-14)
结构升级IGBT制造三大难点IGBT模块封装难点IGBT市场现状电动汽车采用碳化硅的优势碳化硅器件产业链从器件生产流程看各个环节难度衬底制备——碳化硅器件核心工艺碳化硅功率器件制造与封测难度 ......
厂商谈IGBT大缺货：根本买不到！(2023-03-21)
元件作为各家电动汽车性能致胜的一大依赖技术，整车厂们争相绑定未来几年的SiC供应，IGBT供应商也不例外。
TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄指出，碳化硅拥有优越的电气特性，传统的硅材料无法比拟。碳化硅......
相关企业
;唐山德意陶瓷制造有限公司;;唐山恒通碳化硅有限公司（唐山德意陶瓷制造有限公司）成立于 2000 年 10 月 1 日，位于唐山市高新技术开发区。公司是由多名青年科技专家投资兴建，集科
;江苏环能硅碳陶瓷有限公司;;泰州市环能硅碳棒制造有限公司是一家专业生产碳化硅制品企业，公司致力于研发高性能硅碳棒及碳化硅陶瓷，并与高等科研所合作开发新型高温电热元件，是一
;淄博兴德碳化硅有限公司;;本公司目前致力于开发｜磁性材料炉用推板 碳化硅莫来石结合新型耐火材料
;枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司;;碳化硅 枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司 地址：山东省滕州市经济工业园区 电话：0632－5883388 5883366 传真：0632－5883366 电子
和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅，刚玉莫来石耐火材料，产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有：规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口；粉体煅烧匣钵；氧化
;苏州英能电子科技有限公司;;苏州英能电子科技有限公司，成立于2011年5月，是一家专注碳化硅二极管研发、生产、销售的半导体制造公司，其以优秀的归国博士团队为基，与浙江大学电力电子中心密切合作，引进国外碳化硅
;潍坊通用工程陶瓷有限公司;;潍坊通用工程陶瓷有限公司是一家专业从事研究、生产、销售真空反应烧结碳化硅制品的股份制高新技术企业。本公 司引进德国真空反应烧结碳化硅生产工艺和软件技术，拥有
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产
全自动液压震动成型机和高速升温烧成梭式窑（1750℃）可生产大面、超厚、超薄耐火材料制品，主要产品有：碳化硅、莫来石、刚玉-莫来石、堇青石-莫来石、硅线石（红柱石）-莫来石系列产品，其中二氧化硅结合碳化硅转、莫来石结合碳化硅砖、刚玉
;潍坊六方碳化硅陶瓷有限公司;;