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是空中楼阁。 可见，此次利用半金属铋（Bi）作为二维材料的接触电极可谓是迈向1nm甚至更先进制程的关键一步。 对此，复旦大学教授周鹏认为，此项技术的突破，也给我国半导体......
工艺中有效解决晶体管尺寸缩放过程中的问题，但其重要发展瓶颈之一在于需要提供高质量、快速生产的大规模晶圆。迄今为止，世界上主要的头部企业例如英特尔，三星，台积电和欧洲的IMEC研发中心都在二维半导体上投入了大量资源，并积......
科学院上海微系统与信息技术研究所丁古巧研究员团队与华东师范大学袁清红研究员团队通过近5年努力，借助实验技术与理论研究，在双层C3N的带隙性质，输运性质等研究领域取得重大突破，结果进一步证明双层C3N在纳米电子学等领域......
登上《Nature》，南大团队在二维半导体领域取得新突破！;2023年1月11日，南京大学王欣然教授、施毅教授带领国际合作团队在全球顶级科研期刊《Nature》上以“Approaching......
我国科研团队在下一代芯片领域取得重大突破;7月22日消息，北京大学电子学院碳基电子学研究中心彭练矛-张志勇团队在下一代芯片技术领域取得重大突破，成功研发出世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片（TPU......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破;此前，有媒体报道称，二维半导体从水平和垂直两个维度，为延续摩尔定律提供了可能的技术方向。而近日，中国和韩国研发团队均在二维半导体的研发上取得......
我国科研团队在下一代芯片领域取得新突破;7月22日消息，北京大学电子学院碳基电子学研究中心彭练矛-张志勇团队在下一代芯片技术领域取得重大突破，成功研发出世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片（TPU......
晶盛机电成功发布6英寸双片式碳化硅外延设备;据晶盛机电官微消息，2月4日，晶盛机电6英寸双片式碳化硅外延设备新品发布会圆满落幕，标志着晶盛机电在第三代半导体领域取得重大突破。 晶盛......
材料与器件的规模化制备工艺和芯片设计制造等方面的产学研合作，在二维半导体材料制备、关键装备研发、集成制造工艺技术等方面协同攻关。 中国科学院院士、北京科技大学前沿交叉科学技术研究院院士张跃指出，研究......
100nm提升至50nm！中国长城半导体激光隐形晶圆切割技术取得重大突破;100nm提升至50nm！ 近日，半导体行业又传来一个好消息，中国长城在晶圆切割技术方面取得重大突破：其旗......
水平研发平台，重点开展二维半导体材料与器件的规模化制备工艺和芯片设计制造等方面的产学研合作，在二维半导体材料制备、关键装备研发、集成制造工艺技术等方面协同攻关，共同打造集成电路领域......
》（Nature Materials）。这项工作不仅提供了二维材料生长的新思路，实现了从0到1的突破；同时也聚焦二维半导体的集成电路应用，充分考虑了规模-成本-性能（S-C-P）指标的协同优化，着眼......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破;4月10日消息，中国电子科技大学和韩国浦项科技大学科研人员在新型半导体材料和器件领域取得了重大突破！ 据介绍，该项......
关键技术，加快实现高水平科技自立自强。 值得注意的是，就在上周，中国电科48所第三代半导体装备研发取得重大突破，牵头申报的“大尺寸超高真空分子束外延技术与装备”项目，获得国家科技部“高性能制造技术与重大......
中国存储、硅光子芯片重磅突破！;AI浪潮席卷全球，持续提升算力和大型存储能力成为考验各国基建措施和芯片公司的重要课题。近日，全球首个5A级智算中心在上海诞生，而中国芯片团队在硅光子学芯片、最大容量新型存储器芯片方面取得重大突破......
件 据“ 中国科学院大学”介绍，该研究成果打破了硅基逻辑电路的底层“封印”，基于量子效应获得了三维（3D）垂直集成多层互补型晶体管电路，为后摩尔时代未来二维半导体器件的发展提供了思路。目前，该项由中国科学家主导的半导体领域......
高效片上学习的忆阻器存算一体芯片，在支持片上学习的忆阻器存算一体芯片领域取得重大突破，有望促进人工智能、自动驾驶可穿戴设备等领域发展。相关成果发表于最新一期的《科学》（Science）。相同任务下，该芯......
半导体领域突破性成果！我国科学家首创;晶体是科技发展的基石，也是现代计算机、通讯、航空、激光技术等领域不可或缺的关键材料。制备完美的晶体通常依赖于使用小晶体模板，即以“晶体种子”作为生长起点，随后......
设备，标志着晶盛机电在第三代半导体领域取得重大突破。 据介绍，晶盛机电用时两年开展6英寸双片式SiC外延设备的研发、测试与验证，在外延产能、运营成本等方面已取得国际领先优势，与单片设备相比，新设......
授高滨团队基于计算范式，研制出全球首颗全系统集成的、支持高效片上学习的忆阻器芯片，在支持片上学习的忆阻器存算一体芯片领域取得重大突破，有望促进人工智能、自动驾驶可穿戴设备等领域发展。相关......
新型纳米腔重新定义光子极限，为量子光学新应用打开大门;一个由欧洲和以色列物理学家组成的团队在量子纳米光子学领域取得重大突破。他们引入了一种新型的极化子腔，并重新定义了光子限制的极限。6日发表在《自然......
中国电科48所第三代半导体装备项目获国家科技部立项;近日，中国电科48所第三代半导体装备研发取得重大突破，牵头申报的“大尺寸超高真空分子束外延技术与装备”项目，获得国家科技部“高性能制造技术与重大......
中国科学院化学研究所等发展直写高性能原子级厚二维半导体薄膜新策略;二维（2D）半导体材料为将摩尔定律扩展到原子尺度提供了机会。与传统基于蒸镀和光刻技术的加工技术相比，印刷电子因成本效益、灵活......
/高κ栅介质精准合成与三维异质集成难题，突破了二维半导体应用于高性能低功耗芯片的关键瓶颈，为开发未来芯片带来新机遇。 超低损耗量子芯片互联  南方科技大学俞大鹏院士研究团队在分布式量子计算研究方面取得突破......
中信博再斩获GW级国际订单！;日前，中信博斩获了乌兹别克斯坦1GW的光伏电站订单，这是继Sherabad500MW项目之后，中信博在乌兹别克斯坦的又一重大突破。也是不到三个月的时间内，中信博在乌兹别克斯坦取得......
博众仪器）自主研发的200kV透射电子显微镜BZ-F200已经进入了小批试产阶段，这标志着国产首台200kV透射电子显微镜取得重大突破。透射电子显微镜被列为受限制的“35项关键技术”之一，是半导体、生命......
-FAB对半导体制造工艺上的又一重大突破。这一集成方法使隔离产品的设计更加灵活，从而应对可再生能源、EV动力系统、工厂自动化和工业电源领域的新兴机遇。 XA035基于350纳米工艺节点，非常......
X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项;全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在电隔离技术领域取得重大......
学习能在硬件端直接完成）的忆阻器存算一体芯片，在支持片上学习的忆阻器存算一体芯片领域取得重大突破，有望促进人工智能、自动驾驶可穿戴设备等领域发展。相关成果在线发表于最新一期的《科学......
的大批量生产和销售。2021年10月，陈小龙研究团队最终在自研的衬底上初步生长出了8英寸SiC晶体。 中国科学院物理研究所表示，8英寸SiC导电单晶研制成功是物理所在宽禁带半导体领域取得的又一个标志性进展，研发......
国内科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展;近日，据华中科技大学官网消息，该校材料成形与模具技术全国重点实验室教授翟天佑团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展，研制了一种具有边缘接触特征的新型二维......
汽车关键零部件取得突破，电子手刹控制器实现国产化，100%自主研发;又一汽车关键零部件实现国产化。头一段时间，五菱汽车工业在EPB系统方面取得重大突破，成功搭载多款车型验证，实现......
Electronics。  基于新结构和新原理的二维半导体器件展现出广泛的应用前景，有望解决硅基器件在极限尺寸下面临的问题。然而，二维材料原子级厚度使其在半导体先进制程中显得过分脆弱。特别......
封测行业市场空间将进一步扩大。而能否实现全产业链的协同发展，是先进封测行业能否提升产业价值、取得重大突破的关键。从长期来看，国内半导体产业正处于快速发展期，芯片设计公司和晶圆代工厂的增加将带动本地封测需求。先进......
，标志着公司在集成电路领域取得了又一重大突破。此次发布的HWD32H743芯片以其卓越的性能和广泛的应用前景，吸引了业界的广泛关注。 近日，成都......
水教授团队研发出中国第一款相变存储芯片，擦写速度是当时闪存芯片的1000倍，国际领先。 2018年，习近平总书记给科技工作者提出“要加快在芯片技术上实现重大突破，勇攀世界半导体存储科技高峰”的要求。随后......
器为代表的新质生产力芯片严苛制造要求的关键。经过系列科技攻关与研发创新，凯世通已实现关键技术突破，产品测试性能表现优异，维护成本低，并已交付给客户进行产线验证。 天津大学在氮化铝、氮化硅陶瓷半导体设备耗材高精度加工领域取得重大突破......
X－FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项;全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，在电隔离技术领域取得重大......
X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项;全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，在电隔离技术领域取得重大......
清华大学团队在忆阻器存算一体芯片领域获突破;清华大学官微消息，近期清华大学集成电路学院吴华强教授、高滨副教授基于存算一体计算范式在支持片上学习的忆阻器存算一体芯片领域取得重大突破，研究......
美国官员担心它可能利用美国技术援助中国军方，但中芯国际否认与中国军方有任何关系。 杰富瑞分析师说："中国在[半导体]技术领域取得重大突破这一事实可能会在美国引起更多关于制裁有效性的争论。" 他们预计拜登政府将在未来几个月内收紧2022年10......
全球最大的电动汽车市场，中国在这一领域的研发和创新尤为引人注目。最近，国产固态电池技术取得了重大突破，其中宁德时代和智己汽车的研发成果尤为突出。这些技术进展不仅可能对电动汽车行业产生深远影响，还可......
重大进展！中国团队成功实现12英寸二维半导体晶圆批量制备技术;近日，《科学通报》以《模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物》为题，在线发表了松山湖材料实验室/北京......
DGIST研发模仿人脑效率的下一代AI半导体技术;韩国大邱庆北科学技术院（DGIST）的电气工程与计算机科学系教授权赫俊领导的研究团队近日取得重大突破，成功开发出一种模仿人脑在人工智能和神经形态系统中效率的下一代半导体......
可提升半导体性能和制造效率，中国稀土取得重大突破;稀土元素在半导体产业中扮演着重要的角色，尤其是在高性能半导体材料的制造过程中。稀土元素的应用涵盖了从抛光材料、靶材到激光技术等多个方面，这些应用对于提升半导体......
。机组研制、水道建设、系统设计三项关键技术均取得重大突破，实现了高水平的科技自立自强，标志着我国在超高水头超大容量抽水蓄能工程领域达到了国际领先水平。   工程共获得国家及省部级奖励奖项146项......
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管;近期，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，成为世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体......
鸿海布局第四代化合物半导体;近日，鸿海 研究院半导体所，携手阳明交大电子所，双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破，提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温应用领域......
有限公司从165家企业、183款产品中脱颖而出，一举斩获“2023年度最具创新精神IC设计企业奖”一项大奖。 CHIPWAYS深耕国产汽车半导体领域多年，始终坚持创新是引领企业发展的第一动力，在汽车三电领域核心车规芯片上做出了多项历史性突破......
中国星地激光高速通信重大突破：每秒速率10Gbps; 6月28日消息，据央视新闻报道，中国科学院空天信息创新研究院近日在星地激光高速领域取得了重大突破，成功利用自主研制的500毫米......

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